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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N3506AL	14.1113	RFQ	7198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3506		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												40 V	3 a	-			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
2N3634	11.2119	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3634		1 w	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTXV2N5153U3	93.6586	RFQ	6935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												80 V	1 MA	1ma			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APT77N60BC6	13.3800	RFQ	3	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT77N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）
JANTX2N3506U4	-	RFQ	6766	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												40 V	1 µA	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
JAN2N3486A	-	RFQ	1044	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/392	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以			400兆	TO-46	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																												60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM10DUM02G	305.8400	RFQ	6538	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10	MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				100V	495a		2.5MOHM @ 200a，10v	4V @ 10mA	1360NC @ 10V		40000pf @ 25V	-
5817SMJE3/TR13	0.5700	RFQ	9974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	5817SMJE3	肖特基		do-214aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			20 v	450 MV @ 1 A		1 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	1a	-
JANTXV2N335	-	RFQ	1020	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																												45 v		-			NPN	-	-	-
JANTXV1N3024DUR-1	56.9100	RFQ	9476	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3024		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V							15 v	14欧姆
JANTX1N5543CUR-1	37.7850	RFQ	4146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5543		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V							25 v	100欧姆
2N3741U4	78.4966	RFQ	1933年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			25 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												80 V	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 1.25mA，1a	30 @ 250mA，1V	-
JANTX2N222222AUA	22.2110	RFQ	1127	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD	2N2222		650兆	4-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																												50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN2N3868S	24.8843	RFQ	3779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3868		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												60 V	3 ma	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
UZ7740R	468.9900	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-			到达不受影响	150-UZ7740R	Ear99	8541.10.0050	1																								10 µA @ 30.4 V							40 V	15欧姆
2N4233	35.1253	RFQ	2288	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4233				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
UES706HR2	-	RFQ	4701	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		do-4	下载	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			400 v	1.25 V @ 20 A	50 ns	50 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	20a	-
APTM50H14FT3G	94.9100	RFQ	8909	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP3	APTM50	MOSFET （金属 o化物）	208W	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	4（n n 通道（半桥）				500V	26a		168MOHM @ 13A，10V	5V @ 1mA	72NC @ 10V		3259pf @ 25V	-
JANSF2N5153U3/tr	230.1212	RFQ	9924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-			到达不受影响	150-JANSF2N5153U3/tr			50																												80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N1711	25.1237	RFQ	6365	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆	TO-5	-			到达不受影响	2N1711MS	Ear99	8541.21.0095	1																												50 V	500 MA	10NA（ICBO）			NPN	1.5V @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N1717	-	RFQ	2802	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																												100 v	750 MA	-			NPN	-	-	-
Janhca1n4113	13.2734	RFQ	9745	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n4113	Ear99	8541.10.0050	1																						1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.44 V							19 v	150欧姆
JANTXV1N6874UTK2	521.6100	RFQ	4599	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6874UTK2	Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
JANTXV2N3485A	9.4031	RFQ	3307	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/392	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3485		400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																												60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N2222AL	7.5943	RFQ	1013	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222		500兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																												50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N6327	418.4180	RFQ	3910	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																												80 V	30 a	-			PNP	-	-	-
S50440T	158.8200	RFQ	6668	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-S50440TS	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			400 v	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTX2N2328AS	-	RFQ	5440	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	100				2 ma											300 v	600 mv	-	20 µA	220 MA	敏感门
JANS1N5807/TR	25.7850	RFQ	4447	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5807/TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			50 V	875 mv @ 4 A	30 ns		-65°C〜175°C	6a	-
SBR8040	131.4300	RFQ	4951	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			40 V	740 mv @ 80 a			-65°C〜175°C	80a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²