RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
Jan1n754cur-1	11.3850	RFQ	8767	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V							6.8 v	5欧姆
JANTX1N4992	14.1150	RFQ	8350	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4992		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V							270 v	800欧姆
JANTXV1N5544DUR-1/TR	55.0221	RFQ	5718	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5544DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V							28 V	100欧姆
JANTXV2N3421	17.1171	RFQ	1921年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3421		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
MASMBJ5375B/TR	4.2600	RFQ	2754	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB			5 w	SMBJ（DO-214AA）	-			到达不受影响	150-MASMBJ5375B/TR	Ear99	8541.10.0050	100															1.2 V @ 1 A		500 NA @ 62.2 V							82 v	65欧姆
DN2535N3-G-P003	0.9900	RFQ	1762年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	DN2535	MOSFET （金属 o化物）		TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	350 v	120mA（TJ）	0V	25ohm @ 120mA，0v	-	±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	1W（TC）
1N754AR-1	3.0300	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N754		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V							6.8 v	3欧姆
JANTX1N990CUR-1	-	RFQ	8884	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 122 V							160 v	1700欧姆
1N47633	3.4650	RFQ	6099	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N4763		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 69.2 V							91 v	250欧姆
JANTXV1N7039CCT1	207.7950	RFQ	5795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/737	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	1N7039	肖特基		TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）											1对普通阴极	150 v	35a	1.6 V @ 35 A		500 µA @ 150 V	-65°C〜150°C
JAN2N5154U3	134.4763	RFQ	2743	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					80 V	1 MA	1ma			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
1N6025ur	3.5850	RFQ	2947	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6025				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4125-1/TR	31.6700	RFQ	9492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4125-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		10 na @ 35.8 V							47 V	250欧姆
JANTX1N4372C-1	22.3950	RFQ	8490	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
JANTXV1N4624D-1/TR	16.5186	RFQ	6787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4624D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							4.7 v	1550年
JAN1N6321DUS/TR	38.3700	RFQ	3366	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6321DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100															1.4 V @ 1 A		2 µA @ 5 V							7.5 v	4欧姆
1N2808RB	96.0150	RFQ	3932	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	to-204ad	1N2808		50 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.7 V							10 v	0.6欧姆
JANTXV1N5819-1	15.8100	RFQ	8521	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5819	肖特基		do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												45 v		490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1 PMT4124E3/TR7	0.4950	RFQ	3035	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4124		1 w	do-216	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 32.65 V							43 V	250欧姆
CDLL5269C	6.7200	RFQ	5449	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5269C	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		100 na @ 68 V							87 v	370欧姆
APT30D60BCAG	6.0700	RFQ	305	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	APT30	标准		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）											1对公共阳极	600 v	27a	1.8 V @ 30 A	85 ns	250 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
JANS1N4486CUS/TR	283.9800	RFQ	2689	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4486CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50															1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V							75 v	130欧姆
MBR2080CTE3/TU	1.1700	RFQ	7235	微芯片技术	*	管子	积极的					MBR2080				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000
JANS2N5666S	94.6106	RFQ	2614	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
1N4469E3	6.0900	RFQ	1568年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		50 na @ 12 V							15 v	9欧姆
JANTXV1N3029B-1	11.8800	RFQ	1613年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3029		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 18.2 V							24 V	25欧姆
1N4486US/TR	10.2410	RFQ	1359	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	a，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4486US/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		250 na @ 60 V							75 v	130欧姆
1N748AR-1	3.0300	RFQ	8884	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N748		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V							3.9 v	20欧姆
2N6989	-	RFQ	6437	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N698		1.5W	TO-116	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					50V	800mA	10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
CDLL4756A	3.6150	RFQ	5336	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4756			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		100 na @ 35.8 V							47 V	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²