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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	电压-DC 反向（（vr）（VR））	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N5535CUR-1/TR	13.1400	RFQ	3271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100																1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V							15 v	100欧姆
1N4121UR-1/TR	3.9400	RFQ	6103	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	249																1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V							33 V	200欧姆
1N5946BUR-1/TR	4.6800	RFQ	7368	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	209																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V							75 v	140欧姆
1N5541Bur-1/tr	6.6300	RFQ	9497	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	146																1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V							22 v	100欧姆
1N5279BUR-1/TR	5.3400	RFQ	1753年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	182																1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V							180 v	2200欧姆
1N4748AR/TR	3.6200	RFQ	5184	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V							22 v	23欧姆
1N3825AR-1/TR	8.9400	RFQ	9695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	108																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							4.7 v	8欧姆
1N5236BUR-1/TR	3.0900	RFQ	2089	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	323																1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V							7.5 v	6欧姆
1N5712UBCA/TR	32.0600	RFQ	5851	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		UB	-							100	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
1N4756ur-1/tr	3.6200	RFQ	1985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V							47 V	80欧姆
1N4742AURE3/tr	3.8000	RFQ	5588	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	258																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
JANS1N4106UR-1/TR	46.3100	RFQ	7508	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4106UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V							12 v	200欧姆
1N3005A	36.9900	RFQ	2728	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3005		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V							100 v	40欧姆
1 PMT4121/TR13	0.9600	RFQ	7371	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午4121		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000																1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V							33 V	200欧姆
2N6188	287.8650	RFQ	6179	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			60 W	TO-59	-			到达不受影响	150-2N6188	Ear99	8541.29.0095	1																						100 v	10 a	-			PNP	1.2V @ 100µA，2mA	-	-
JAN2N5416UA	174.8418	RFQ	3399	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5416		750兆w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																						300 v	1 a	1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
1N2997RB	40.3200	RFQ	2226	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2997		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 2 A		10 µA @ 38.8 V							51 v	15欧姆
2N6353	31.0821	RFQ	5847	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-3	2N6353		2 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																						150 v	5 a	1µA			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
jankccd2n3500	-	RFQ	6829	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCCD2N3500			100																						150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
1N5285/tr	18.6900	RFQ	1726年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5285		475MW	do-7	-			到达不受影响	150-1N5285/tr			100																															100V	297µA	1V
UFS380J/TR13	2.6100	RFQ	7198	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	DO-214AB，SMC	UFS380	标准		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v		1.2 V @ 3 A	60 ns	10 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	3a	-
2N5682E3	20.8012	RFQ	9543	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																						120 v	10 µA	10µA			NPN		40 @ 250mA，2V	30MHz
APT38M50J	28.6900	RFQ	5318	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT38M50	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	357W（TC）
JANTX1N5527C-1/TR	17.5294	RFQ	2522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5527C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V							7.5 v	35欧姆
CDLL5917D	11.7300	RFQ	5461	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5917		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	5欧姆
JANTXV1N751CUR-1/TR	17.6624	RFQ	5496	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N751CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	17欧姆
Jan1n6857-1/tr	-	RFQ	8378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6857-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													16 V		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
CDLL755A	2.8650	RFQ	6631	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL755		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
DSB0.2A30	-	RFQ	3819	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V		650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
APT12060LVFRG	33.9300	RFQ	1779年	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的				通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT12060	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7684702	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	20A（TC）		600mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	650 NC @ 10 V		9500 PF @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²