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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N5944PE3/TR8	0.9150	RFQ	2938	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5944			1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V													62 v	100欧姆
CDLL4624C	8.0850	RFQ	5324	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4624C	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V													4.7 v	1550年
CD5343B	5.0274	RFQ	5272	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C		表面安装	死				5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5343B	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		10 µA @ 5.7 V													7.5 v	1.5欧姆
1月1N6627	11.2950	RFQ	9400	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	大部分	积极的				通过洞	E，轴向	1N6627		标准			下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												440 v	1.35 V @ 1.2 A	30 ns	2 µA @ 440 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JAN2N3739	-	RFQ	9380	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/402	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2				20 w	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	1 a						100µA（ICBO）			NPN	2.5V @ 25mA，250mA	25 @ 250mA，10v	-
JANTXV1N4974CUS	40.8900	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4974CUS	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 35.8 V													47 V	25欧姆
APT100GN120B2G	29.4600	RFQ	7446	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3变体	APT100	标准		960 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			800V，100a，1ohm，15V																	沟渠场停止	1200 v	245 a	300 a	2.1V @ 15V，100a	11MJ（在）中，9.5MJ（9.5MJ）	540 NC	50NS/615NS
jankca1n4626d	-	RFQ	7851	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	死				500兆	死	-			到达不受影响	150-JANKCA1N4626D	Ear99	8541.10.0050	100														1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V													5.6 v	1400欧姆
jankca1n758c	-	RFQ	4975	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N758C	Ear99	8541.10.0050	100														1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V													10 v	17欧姆
2N6339	67.2980	RFQ	6983	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6339					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX1N4483CUS	36.7350	RFQ	6578	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，a	1N4483			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		250 na @ 44.8 V													56 v	70欧姆
JASP2N2907AUBC/TR	306.0614	RFQ	4505	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅				500兆	UBC	-			到达不受影响	150-JANSP2N2907AUBC/tr			50																					60 V	600 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JAN1N4100D-1	13.1400	RFQ	5955	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4100				DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V													7.5 v	200欧姆
JANTXV1N5520D-1	29.2200	RFQ	2852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V													3.9 v	22欧姆
JANS1N4476DUS	330.2550	RFQ	9679	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a				1.5 w	a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V													30 V	20欧姆
2N3872	26.9850	RFQ	3711	微芯片技术	*	大部分	积极的											-			到达不受影响	150-2N3872			1
JANS1N4480	83.8650	RFQ	3766	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V													43 V	40欧姆
JANTX1N3890	296.4000	RFQ	9697	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/304	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3890		标准		do-203aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1.5 V @ 20 A	200 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	12a	115pf @ 10V，1MHz
JANTX1N3645/TR	11.4600	RFQ	4531	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/279	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	S，轴向			标准，反极性		S，轴向	-			到达不受影响	150-JANTX1N3645/TR	Ear99	8541.10.0070	100	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1400 v	5 V @ 250 MA		5 µA @ 1400 V	-65°C〜175°C	250mA	-
JANTX1N5538BUR-1/TR	13.2202	RFQ	8136	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）				500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5538BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V													18 V	100欧姆
1N2256A	44.1600	RFQ	9179	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2256A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												500 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	22a	-
JAN2N336A	-	RFQ	4573	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以					TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																					45 v	10 MA						-			NPN	-	-	-
1n1193a	75.5700	RFQ	2913	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1193		标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												150 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTX1N4621C-1	23.6850	RFQ	1385	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4621			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																3.5 µA @ 2 V													3.6 v	1700欧姆
JANTX1N758CUR-1	10.9050	RFQ	1093	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N758			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8 V													10 v	17欧姆
TP5322K1-G	0.7500	RFQ	8	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP5322		MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		220 v	120mA（TJ）	4.5V，10V	12ohm @ 200mA，10v	2.4V @ 1mA	±20V	110 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
JAN1N4957CUS/TR	22.7100	RFQ	9503	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w	E-Melf	-				150-JAN1N4957CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 A		25 µA @ 6.9 V													9.1 v	2欧姆
JANTXV1N6076	22.9350	RFQ	9188	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/503	大部分	积极的				通过洞	E，轴向	1N6076		标准		e-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	1.76 V @ 18.8 A	30 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜155°C	1.3a	-
R42120T	59.8350	RFQ	1575年	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R42120		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1200 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1200 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANTXV1N5311ur-1/tr	40.5600	RFQ	7334	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5311			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5311ur-1/tr	Ear99	8541.10.0070	1																																			100V	3.96mA	2.5V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²