RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
UES2602HR2	160.6350	RFQ	6316	微芯片技术	-	大部分	积极的					通过洞	TO-204AA，TO-3			标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ues2602hr2	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
CDLL991B	14.2050	RFQ	4050	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-		表面安装	do-213aa	CDLL991			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																															180 v	2200欧姆
CDLL5531D/TR	16.3950	RFQ	5349	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5531D/TR	Ear99	8541.10.0050	100																					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.9 V								11 V	80欧姆
JANS1N6333US/TR	127.1706	RFQ	7940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6333US/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V								24 V	24欧姆
1N4922	20.1150	RFQ	2939	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-25°C〜100°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4922			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																															19.2 v	150欧姆
1N4898A	101.5500	RFQ	4915	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-55°C〜100°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4898			400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																															12.8 v	400欧姆
JANSF2N5151U3	232.1916	RFQ	6374	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w	U3	-			到达不受影响	150-JANSF2N5151U3			1																											80 V	2 a		50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
1N55330BUR-1/TR	5.7722	RFQ	8428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N55330BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V								10 v	60欧姆
JANTX1N5519C-1	19.5300	RFQ	4914	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5519			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V								3.6 v	24欧姆
1N4249	-	RFQ	6969	微芯片技术	-	大部分	过时的					通过洞	a，轴向			标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	1000 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
Jan2n5005	416.0520	RFQ	8867	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）		底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5005			2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	5 a		50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS1N5301UR-1/TR	130.3050	RFQ	2479	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5301UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																					100V	1.54mA	1.55V
CDLL5253/tr	2.7132	RFQ	3270	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％		-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf				10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5253/tr	Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V								25 v	35欧姆
MSCDR90A160BL1NG	77.4000	RFQ	1341	微芯片技术	-	大部分	积极的					底盘安装	模块	MSCDR90		标准		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDR90A160BL1NG	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																1对系列连接	1600 v	90A（DC）	1.21 V @ 33 A		50 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C
JANTX1N4984C	38.4300	RFQ	1762年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％		-65°C〜175°C		通过洞	E，轴向	1N4984			5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V								120 v	170欧姆
1N6640US	9.3600	RFQ	6483	微芯片技术	-	大部分	积极的					表面安装	SQ-MELF，d	1N6640		标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	75 v		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5921BP/TR8	1.8900	RFQ	3083	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921			1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500																					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V								6.8 v	2.5欧姆
1N6762R	205.5600	RFQ	6460	微芯片技术	-	大部分	积极的					通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6762		标准		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对公共阳极	50 V	12a	1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-
UPS5819/TR13	0.6150	RFQ	3813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	do-216aa	UPS5819		肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	40 V		550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
Jankcbr2N5002	-	RFQ	2560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	死				2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																											80 V	50 µA		50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N5796U/TR	149.2410	RFQ	6128	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	6-SMD，没有铅	2N5796			600MW	6-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N5796U/TR	Ear99	8541.21.0095	1																											60V	600mA		10NA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3868U4	159.0680	RFQ	9413	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅				1 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											60 V	3 ma		100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JANTXV1N4619C-1/TR	16.5186	RFQ	7684	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4619C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V								3 V	1600欧姆
JANTXV1N5969DUS	-	RFQ	6364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E				5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V								6.2 v	1欧姆
SBR6025	148.2150	RFQ	6501	微芯片技术	-	大部分	积极的					螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			肖特基		DO-5（do-203ab）	-			到达不受影响	150-SBR6025	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	25 v		600 mv @ 60 a		2 ma @ 25 V	-55°C〜150°C	60a	-
LSM540J/TR13	1.1700	RFQ	6820	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	DO-214AB，SMC	LSM540		肖特基		do-214ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	40 V		520 mv @ 5 a		2 ma @ 40 V	-55°C〜150°C	5a	-
Jan1n5294-1/tr	31.6650	RFQ	5656	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5294			500MW	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5294-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																					100V	825µA	1.2V
JANS1N4135DUR-1	147.2700	RFQ	7861	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AA（）				500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V								100 v	1500欧姆
VRF152	105.1800	RFQ	2	微芯片技术	-	管子	积极的		130 v				M174	VRF152	175MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	n通道			50µA	250 MA	150W	14dB										-												50 V
TP2104K1-G	0.8100	RFQ	2	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C〜150°C		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TP2104		MOSFET （金属 o化物）		TO-236AB（SOT23）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					40 V	160mA（TJ）	4.5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	2V @ 1mA	±20V	60 pf @ 25 V	-	360MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²