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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
2N5682E3	20.8012	RFQ	9543	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1																											120 v	10 µA	10µA			NPN		40 @ 250mA，2V	30MHz
APT38M50J	28.6900	RFQ	5318	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT38M50	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	357W（TC）
JANTX1N5527C-1/TR	17.5294	RFQ	2522	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5527C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V							7.5 v	35欧姆
CDLL5917D	11.7300	RFQ	5461	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5917		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	5欧姆
JANTXV1N751CUR-1/TR	17.6624	RFQ	5496	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N751CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	17欧姆
Jan1n6857-1/tr	-	RFQ	8378	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N6857-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																			16 V	750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
CDLL755A	2.8650	RFQ	6631	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL755		500兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
DSB0.2A30	-	RFQ	3819	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	DSB0.2	肖特基		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			30 V	650 MV @ 500 mA		10 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
APT12060LVFRG	33.9300	RFQ	1779年	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的				通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT12060	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7684702	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1200 v	20A（TC）		600mohm @ 10a，10v	4V @ 1mA	650 NC @ 10 V		9500 PF @ 25 V	-
APT60N60SCSG	22.1100	RFQ	3462	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	APT60N60	MOSFET （金属 o化物）		d3pa k	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.9V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	431W（TC）
2N5076	287.8650	RFQ	5905	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			40 W	TO-59	-			到达不受影响	150-2N5076	Ear99	8541.29.0095	1																											250 v	3 a	-			NPN	2V @ 300µA，500µA	-	-
JANSL2N5154L	98.9702	RFQ	2146	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSL2N5154L			1																											80 V	2 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
Jan1n4118ur-1/tr	7.8736	RFQ	3196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4118UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V							27 V	150欧姆
1N5733C	3.7200	RFQ	5393	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5733		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					900 mv @ 10 ma		2 µA @ 5 V							7.5 v	10欧姆
JAN2N6987U	57.6821	RFQ	4589	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/558	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	6-SMD，没有铅	2N6987		1W	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											60V	600mA	10µA（ICBO）			4 pnp（（	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N6277	215.6462	RFQ	1177	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277		250 w	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											150 v	50 a	50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
JAN2N5154U3	134.4763	RFQ	2743	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	1 MA	1ma			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANSR2N3440L	287.7120	RFQ	3517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆	TO-5AA	-			到达不受影响	150-JANSR2N3440L			1																											250 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
SMBG5380C/TR13	2.8650	RFQ	8615	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5380		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 86.4 V							120 v	170欧姆
Janhca1n5303	-	RFQ	9669	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5303	Ear99	8541.10.0070	1																																				100V	1.76mA	1.65V
JANTX2N2329	-	RFQ	4692	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			2 ma											400 v	800 mv	-	200 µA	220 MA	敏感门
1N1401	38.3850	RFQ	4678	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载			到达不受影响	150-1N1401	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）																			400 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANTX1N755DUR-1	17.8950	RFQ	8664	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N755		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
2N5348	157.9375	RFQ	5191	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N5348				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
APT5020SVFRG	11.6700	RFQ	9957	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的				表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT5020	MOSFET （金属 o化物）		D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	26a（TC）		200mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V		4440 pf @ 25 V	-
1N2795	74.5200	RFQ	4639	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2795	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io）																			150 v	1.19 V @ 40 mA	5 µs	10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	5a	-
JANTX2N3506AL	14.1113	RFQ	7198	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3506		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											40 V	3 a	-			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
2N3634	11.2119	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3634		1 w	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTXV2N5153U3	93.6586	RFQ	6935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	1 MA	1ma			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
APT77N60BC6	13.3800	RFQ	3	微芯片技术	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	APT77N60	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	77A（TC）	10V	41MOHM @ 44.4a，10V	3.6V @ 2.96mA	260 NC @ 10 V	±20V	13600 PF @ 25 V	-	481W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²