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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（ih）（IH））	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SMAJ4750AE3/TR13	0.6450	RFQ	2906	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4750		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500										1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 20.6 V							27 V	35欧姆
JAN1N4570A-1	3.4650	RFQ	6825	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4570		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1											2 µA @ 3 V							6.4 v	100欧姆
CD5365A	5.6700	RFQ	4258	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	-			到达不受影响	150-CD5365A	Ear99	8541.10.0050	1										1.5 V @ 1 A	500 NA @ 27.4 V							36 V	11欧姆
JANS1N4964US/TR	86.0502	RFQ	8093	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4964US/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.5 V @ 1 A	5 µA @ 13.7 V							18 V	4欧姆
CDLL3026B/TR	13.7522	RFQ	9753	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3026B/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 13.7 V							18 V	20欧姆
1N3009A	36.9900	RFQ	9730	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3009		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.5 V @ 2 A	10 µA @ 98.8 V							130 v	100欧姆
JANTXV2N3501U4	-	RFQ	3332	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															150 v	300 MA	50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
1N5990A	1.9950	RFQ	6992	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5990		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma	25 µA @ 1 V							3.9 v	95欧姆
JANTX2N3765U4	-	RFQ	1014	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/396	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	1.5 a	100µA（ICBO）			PNP	900mv @ 100mA，1a	40 @ 500mA，1V	-
JANTX2N2329	-	RFQ	4692	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1		2 ma	400 v	800 mv	-	200 µA	220 MA	敏感门
MSG140	-	RFQ	2057	微芯片技术	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		肖特基		DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								40 V	580 mv @ 1 a	100 µA @ 40 V	-65°C〜150°C	1a	-
JANTX1N645UR-1	-	RFQ	4682	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N645	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）								225 v	1 V @ 400 MA	50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
JANTXV1N4103UR-1/TR	11.7306	RFQ	5133	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4103UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma	500 na @ 7 V							9.1 v	200欧姆
S50310	158.8200	RFQ	6051	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S50310			1
CDLL3595	17.5500	RFQ	3773	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDLL3595			1
CDLL5546C	12.1950	RFQ	7994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5546C	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 29.7 V							33 V	100欧姆
JANS2N5415UA/TR	-	RFQ	1548年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-	-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS2N5415UA/TR			1
JANS1N4982DUS/TR	460.3500	RFQ	9066	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANS1N4982DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50										1.5 V @ 1 A	2 µA @ 76 V							100 v	110欧姆
JANS1N4963D	374.1920	RFQ	1124	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4963D	Ear99	8541.10.0050	1
JANTX1N6353US/TR	-	RFQ	8903	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6353US/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.4 V @ 1 A	50 NA @ 122 V							160 v	1200欧姆
1N5930BP/TR12	1.8900	RFQ	9361	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5930		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000										1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 12.2 V							16 V	10欧姆
JANTXV1N4103C-1	23.1600	RFQ	9405	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma	500 na @ 7 V							9.1 v	200欧姆
1N5913BUR-1	4.0650	RFQ	5842	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	1N5913		1.25 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V							3.3 v	10欧姆
CDLL4107/TR	4.9609	RFQ	7920	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4107/tr	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.9 V							13 V	200欧姆
CD5926B	3.8437	RFQ	8066	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5926B	Ear99	8541.10.0050	1
SMBG5371CE3/TR13	1.4400	RFQ	7919	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5371		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000										1.2 V @ 1 A	500 NA @ 43 V							60 V	40欧姆
Janhcb2n2907a	8.8578	RFQ	5693	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907		500兆	TO-18	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANHCB2N2907A	Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N55330D-1/TR	26.0414	RFQ	9721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N55330D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1										1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 9.1 V							10 v	60欧姆
CD5358B	5.0274	RFQ	8079	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	表面安装	死			5 w	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5358B	Ear99	8541.10.0050	1										1.5 V @ 1 A	500 NA @ 16.7 V							22 v	3.5欧姆
CD4579A	17.0100	RFQ	6975	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4579A	Ear99	8541.10.0050	1											2 µA @ 3 V							6.4 v	50欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²