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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX2N2919U	51.8966	RFQ	9625	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919		350MW	3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
TN0604N3-G	1.3900	RFQ	2	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0604	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000	n通道	40 V	700mA（TJ）	5V，10V	750MOHM @ 1.5A，10V	1.6V @ 1mA		±20V	190 pf @ 20 V	-	740MW（TA）
JANTXV2N3439U4	-	RFQ	7328	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N3439				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N3715	53.3463	RFQ	2970	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/408	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	1 MA	1ma			NPN	2.5V @ 2a，10a	50 @ 1A，2V	-
2n3636ub	13.4995	RFQ	5524	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3636		1.5 w	3-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JASP2N3636UB	-	RFQ	2502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1.5 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50														175 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
2n3486a	9.0307	RFQ	1611	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3486		400兆	TO-46-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
VN0104N3-G-P013	0.6800	RFQ	3946	微芯片技术	-	（TB）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN0104	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道	40 V	350mA（TJ）	5V，10V	3ohm @ 1a，10v	2.4V @ 1mA		±20V	65 pf @ 25 V	-	1W（TC）
2N2060L	34.8593	RFQ	4433	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2060		2.12W	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60V	500mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，5V	-
JANS2N3501	63.4204	RFQ	8779	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3501		1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N3501	113.6304	RFQ	9450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			500兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														150 v	2 µA	2µA			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N3321RB	-	RFQ	2478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 10 A	10 µA @ 18.2 V				24 V	2.6欧姆
JANTX2N5795	120.3406	RFQ	3850	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5795		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60V	600mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N6276	92.0892	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6276				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N6678	127.4672	RFQ	4936	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6678		3 W	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														400 v	15 a	100µA			NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
JANTX2N3055	-	RFQ	7581	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/407	大部分	过时的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3055		6 W	TO-3（to-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														70 v	15 a	1ma			NPN	2V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	-
2N3485A	-	RFQ	1972	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以			400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANS1N6313/TR	114.7350	RFQ	9471	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6313		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	50												1.4 V @ 1 A	3 µA @ 1 V				3.6 v	25欧姆
2N5884	63.9597	RFQ	9379	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5884				-	Rohs不合规		到达不受影响	2N5884MS	Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N3743	-	RFQ	3998	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的		-	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3743		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														300 v	200 ma	250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
JANTXV2N4029	-	RFQ	7145	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	在sic中停产		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														80 V	1 a	10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
APT20M18LVRG	21.5900	RFQ	1786年	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT20M18	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	200 v	100A（TC）		18mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V		9880 pf @ 25 V	-
JAN2N5666S	-	RFQ	1668年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
JANTXV2N3867U4	172.9000	RFQ	6545	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														40 V	3 a	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
2N5347	157.9375	RFQ	8527	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5347				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX2N222222AUA	22.2110	RFQ	1127	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD	2N2222		650兆	4-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1														50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3418	19.6707	RFQ	1300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3418		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1														60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
1 PMT4626C/TR7	1.5150	RFQ	9795	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000												1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 4 V				5.6 v	1400欧姆
1N4738AP/TR8	1.8900	RFQ	4805	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4738		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500												1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 6 V				8.2 v	4.5欧姆
1N6025B	2.7750	RFQ	7921	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6025		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma	100 na @ 84 V				110 v	650欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²