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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） （（（） 电压 -限制（最大）
JANS1N5298-1 Microchip Technology JANS1N5298-1 116.6200
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） - 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N5298 500MW do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.21ma 1.4V
2N4903 Microchip Technology 2N4903 45.1535
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N4903 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N4399 Microchip Technology 2N4399 42.3073
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N4399 5 w TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2N4399MS Ear99 8541.29.0095 1 60 V 30 a 100µA PNP 750mv @ 1a，10a 15 @ 15a，2v -
JANS2N3765U4 Microchip Technology JANS2N3765U4 -
RFQ
 ECAD 10000 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/396 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 500兆 U4 - rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 1.5 a 100µA（ICBO） PNP 900mv @ 100mA，1a 40 @ 500mA，1V -
JAN2N3764U4 Microchip Technology JAN2N3764U4 -
RFQ
 ECAD 5204 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/396 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 500兆 U4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 40 V 1.5 a 10µA（ICBO） PNP 900mv @ 100mA，1a 30 @ 1A，1.5V -
JANTXV2N6352 Microchip Technology JANTXV2N6352 -
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/472 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 2 w TO-66（TO-213AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 5 a - npn-达灵顿 1.5V @ 5mA，5a 2000 @ 5A，5V -
JAN2N2812 Microchip Technology Jan2n2812 -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 200°C（TJ） 螺柱坐骑 TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱 TO-61 - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1 60 V 10 a - NPN - - -
1N4749CPE3/TR12 Microchip Technology 1N4749CPE3/TR12 1.1550
RFQ
 ECAD 1505 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C〜150°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4749 1 w DO-204AL（DO-41） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 18.2 V 24 V 25欧姆
JANTX2N2919U Microchip Technology JANTX2N2919U 51.8966
RFQ
 ECAD 9625 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
TN0604N3-G Microchip Technology TN0604N3-G 1.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 微芯片技术 - 包 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） TN0604 MOSFET （金属 o化物） TO-92-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 40 V 700mA（TJ） 5V，10V 750MOHM @ 1.5A，10V 1.6V @ 1mA ±20V 190 pf @ 20 V - 740MW（TA）
JANTXV2N3439U4 Microchip Technology JANTXV2N3439U4 -
RFQ
 ECAD 7328 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N3439 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3715 Microchip Technology JANTX2N3715 53.3463
RFQ
 ECAD 2970 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/408 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 5 w TO-3 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 1 MA 1ma NPN 2.5V @ 2a，10a 50 @ 1A，2V -
2N3636UB Microchip Technology 2n3636ub 13.4995
RFQ
 ECAD 5524 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N3636 1.5 w 3-SMD 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 50 @ 50mA，10v -
JANSP2N3636UB Microchip Technology JASP2N3636UB -
RFQ
 ECAD 2502 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/357 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 1.5 w UB - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 50 @ 50mA，10v -
2N3486A Microchip Technology 2n3486a 9.0307
RFQ
 ECAD 1611 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 2N3486 400兆 TO-46-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 MA 10µA（ICBO） PNP 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
VN0104N3-G-P013 Microchip Technology VN0104N3-G-P013 0.6800
RFQ
 ECAD 3946 0.00000000 微芯片技术 - （TB） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） VN0104 MOSFET （金属 o化物） TO-92-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 350mA（TJ） 5V，10V 3ohm @ 1a，10v 2.4V @ 1mA ±20V 65 pf @ 25 V - 1W（TC）
2N2060L Microchip Technology 2N2060L 34.8593
RFQ
 ECAD 4433 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N2060 2.12W TO-78-6 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60V 500mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 5mA，50mA 50 @ 10mA，5V -
JANS2N3501 Microchip Technology JANS2N3501 63.4204
RFQ
 ECAD 8779 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N3501 1 w 到39 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 10µA（ICBO） NPN 400mv @ 15mA，150mA 100 @ 150mA，10V -
JANSR2N3501 Microchip Technology JANSR2N3501 113.6304
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 500兆 TO-39（（TO-205AD） - 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 150 v 2 µA 2µA NPN 400mv @ 15mA，150mA 100 @ 150mA，10V -
JANTXV1N3321RB Microchip Technology JANTXV1N3321RB -
RFQ
 ECAD 2478 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 18.2 V 24 V 2.6欧姆
JANTX2N5795 Microchip Technology JANTX2N5795 120.3406
RFQ
 ECAD 3850 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/496 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N5795 600MW TO-78-6 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 600mA 10µA（ICBO） 2 PNP （双） 1.6V @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，10V -
2N6276 Microchip Technology 2N6276 92.0892
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N6276 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N6678 Microchip Technology 2N6678 127.4672
RFQ
 ECAD 4936 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N6678 3 W TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 400 v 15 a 100µA NPN 1V @ 3a，15a 15 @ 1a，3v -
JANTX2N3055 Microchip Technology JANTX2N3055 -
RFQ
 ECAD 7581 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/407 大部分 过时的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N3055 6 W TO-3（to-204AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 70 v 15 a 1ma NPN 2V @ 3.3a，10a 20 @ 4A，4V -
2N3485A Microchip Technology 2N3485A -
RFQ
 ECAD 1972 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 400兆 TO-46（（TO-206AB） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 MA 10µA（ICBO） PNP 1.6V @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，10V -
JANS1N6313/TR Microchip Technology JANS1N6313/TR 114.7350
RFQ
 ECAD 9471 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N6313 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50 1.4 V @ 1 A 3 µA @ 1 V 3.6 v 25欧姆
2N5884 Microchip Technology 2N5884 63.9597
RFQ
 ECAD 9379 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5884 - Rohs不合规 到达不受影响 2N5884MS Ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N3743 Microchip Technology JANTX2N3743 -
RFQ
 ECAD 3998 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/397 大部分 积极的 - 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N3743 1 w TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 300 v 200 ma 250NA（ICBO） PNP 1.2V @ 3mA，30mA 50 @ 30mA，10v -
JANTXV2N4029 Microchip Technology JANTXV2N4029 -
RFQ
 ECAD 7145 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/512 大部分 在sic中停产 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 500兆 TO-18 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 80 V 1 a 10µA（ICBO） PNP 1V @ 100mA，1a 100 @ 100mA，5V -
APT20M18LVRG Microchip Technology APT20M18LVRG 21.5900
RFQ
 ECAD 1786年 0.00000000 微芯片技术 PowerMosv® 管子 积极的 通过洞 TO-264-3，TO-264AA APT20M18 MOSFET （金属 o化物） TO-264 [L] 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 100A（TC） 18mohm @ 50a，10v 4V @ 2.5mA 330 NC @ 10 V 9880 pf @ 25 V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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