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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N5196ur	9.0600	RFQ	5450	微芯片技术	-	大部分	积极的				表面安装	DO-213AA（）	1N5196	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	225 v	1 V @ 100 ma		25 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	200mA	-
Jan1n3164r	-	RFQ	4921	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.55 V @ 940 A		10 mA @ 200 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANS1N4115-1	33.7800	RFQ	2848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆
CDLL5222B/TR	2.7132	RFQ	2537	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5222B/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V				2.5 v	30欧姆
CDLL5518A/TR	5.9052	RFQ	7223	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			500兆	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5518A/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 900 mV				3.3 v	26欧姆
JANTXV1N5811	15.3750	RFQ	5691	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的				通过洞	B，轴向	1N5811	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q9979456	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	65pf @ 10V，1MHz
1N3038BUR-1	15.3000	RFQ	4998	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	1N3038		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 42.6 V				56 v	110欧姆
1N4100D-1/TR	6.3300	RFQ	2633	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N4100D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	150			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.7 V				7.5 v	200欧姆
JANTX1N4128-1	-	RFQ	5398	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V				60 V	400欧姆
1N5537BUR-1/TR	6.6600	RFQ	1365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5537BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	142			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V				17 V	100欧姆
UZ5126SM	32.2650	RFQ	5260	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，b			5 w	B，平方米	-			到达不受影响	150-UZ5126SM	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 198 V				260 v	750欧姆
JANS1N6326CUS/TR	266.2214	RFQ	2392	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6326CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
1N5229B	1.8600	RFQ	4299	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5229		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5229BMS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V				4.3 v	22欧姆
R37140	59.0400	RFQ	8516	微芯片技术	SR37	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.15 V @ 200 A			-65°C 〜200°C	85a	-
CDLL3036B	15.3000	RFQ	2458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3036		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
R53140T	158.8200	RFQ	2017	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-R53140T			1
1N4784	264.6450	RFQ	6511	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	0°C〜75°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4784		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1									8.5 v	100欧姆
Jan1n2845b	-	RFQ	5185	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	to-204ad	1N2845		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 136.8 V				180 v	90欧姆
JANTXV1N3016BUR-1	18.1950	RFQ	2172	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3016		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V				6.8 v	3.5欧姆
S504100T	158.8200	RFQ	8630	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-S504100TS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	300A	-
JANTX1N829-1/TR	9.2850	RFQ	1571年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N829-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.2 v	15欧姆
1N4372A	3.0900	RFQ	5530	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4372		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4372am	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V				3 V	29欧姆
JANTX1N5525B-1	7.1700	RFQ	9558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5525		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V				6.2 v	30欧姆
1N4525	62.1150	RFQ	4965	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4525	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTXV1N3821A-1	12.5550	RFQ	8078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3821		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V				3.3 v	10欧姆
JANTX1N989BUR-1/TR	-	RFQ	4054	微芯片技术	MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			400兆	do-213aa	下载				150-JANTX1N989BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 114 V				150 v	1500欧姆
1N6701US/TR	30.1200	RFQ	8998	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SQ-MELF，c		肖特基		D-5C	-							100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	470 mv @ 5 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	5a	-
Jan1n4959us/tr	8.0332	RFQ	2654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4959US/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		10 µA @ 8.4 V				11 V	2.5欧姆
1N4760AP/TR8	1.8900	RFQ	4807	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4760		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 51.7 V				68 v	150欧姆
1N5314-1	18.8100	RFQ	7911	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5314		500MW	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1											100V	5.17mA	2.9V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²