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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N6489CUS	-	RFQ	9521	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w		a，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A	4 µA @ 1 V										4.7 v	8欧姆
APTGLQ75H65T1G	84.0900	RFQ	7647	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	SP1	APTGLQ75		250 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥								沟渠场停止	650 v	150 a	2.3V @ 15V，75a	100 µA	是的			4.62 NF @ 25 V
1N5370BE3/TR8	2.6850	RFQ	8265	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w		T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000				1.2 V @ 1 A	500 NA @ 40.3 V										56 v	35欧姆
JANTX1N4486US	15.6600	RFQ	1431	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4486		1.5 w		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A	250 na @ 60 V										75 v	130欧姆
1n6023ur	3.5850	RFQ	2379	微芯片技术	*	大部分	积极的					1N6023					-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N4116CUR-1	97.9650	RFQ	9406	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆		do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	10 na @ 18.3 V										24 V	150欧姆
CDLL5267A	3.5850	RFQ	7176	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5267		10兆		do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	100 na @ 56 V										75 v	270欧姆
JANTXV1N3321B	-	RFQ	1468	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 10 A	10 µA @ 18.2 V										24 V	2.6欧姆
1 PMT4134/TR7	0.9600	RFQ	9358	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点4134		1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 69.16 V										91 v	250欧姆
1月1N2995B	-	RFQ	8748	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W		DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A	10 µA @ 35.8 V										47 V	14欧姆
1N2238A	44.1600	RFQ	8994	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准			DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2238A	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.3 V @ 30 A	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	5a	-
JANS1N4485CUS	283.8300	RFQ	9501	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w		D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4485CUS	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A	250 NA @ 54.4 V										68 v	100欧姆
1N3014RB	40.3200	RFQ	8646	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3014		10 W		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A	10 µA @ 136.8 V										180 v	260欧姆
JANTXV1N4559RB	-	RFQ	6973	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/114	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad			50 W		TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A	100 µA @ 1 V										4.7 v	0.12欧姆
jankca1n4616d	-	RFQ	5615	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆		死	-			到达不受影响	150-Jankca1n4616d	Ear99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 ma	4 µA @ 1 V										2.2 v	1300欧姆
JANS1N4979	80.1900	RFQ	6888	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w		B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A	2 µA @ 56 V										75 v	55欧姆
JANTXV2N5794U	153.9408	RFQ	4790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794		600MW		6-SMD	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1										40V	600mA		10µA（ICBO）					2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
1N5351B/TR12	2.6850	RFQ	9813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5351		5 w		T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 1 A	1 µA @ 10.1 V										14 V	2.5欧姆
1N4111UR-1	3.7950	RFQ	5449	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa	1N4111		500兆		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	50 na @ 13 V										17 V	100欧姆
1N6031B	2.7750	RFQ	7588	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6031		500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 152 V										200 v	2000年
JANTX2N6383	61.5524	RFQ	3864	微芯片技术	MIL-PRF-19500/523	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6383		6 W		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1										40 V	10 a		1ma					npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
Jan1n3002rb	-	RFQ	7094	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W		DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 2 A	10 µA @ 56 V										75 v	22欧姆
JANS2N3810U	108.4106	RFQ	1404	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810		350MW		6-SMD	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1										60V	50mA		10µA（ICBO）					2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JASP2N3636UB	-	RFQ	2502	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1.5 w		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50										175 v	10 µA		10µA					PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
CDLL5919C/TR	8.0400	RFQ	3723	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w		DO-213AB（梅尔，LL41）	-			到达不受影响	150-CDLL5919C/TR	Ear99	8541.10.0050	118				1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 3 V										5.6 v	2欧姆
JANS2N5796A	403.6818	RFQ	1865年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW		TO-78-6	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1										60V	600mA		10µA（ICBO）					2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX1N3045B-1	10.0650	RFQ	4947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3045		1 w		do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 83.6 V										110 v	450欧姆
1 PMT4110C/TR13	1.2450	RFQ	3731	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w		do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000				1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 12.15 V										16 V	100欧姆
SMBJ5929B/TR13	1.5600	RFQ	7520	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5929		2 w		SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000				1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 11.4 V										15 v	9欧姆
JANTX1N4103-1	5.2800	RFQ	2044	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103		500兆		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1				1.1 V @ 200 ma	500 na @ 7 V										9.1 v	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²