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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） （（（） 电压 -限制（最大）
JANTX2N1486 Microchip Technology JANTX2N1486 214.3960
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/180 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-233AA，TO-8-3 2N1486 1.75 w TO-8 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 55 v 3 a 15µA NPN 750mv @ 40mA，750a 35 @ 750mA，4V -
1N1193 Microchip Technology 1N1193 75.5700
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1193 标准 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 150 v 1.19 V @ 90 A 10 µA @ 150 V -65°C 〜200°C 40a -
JANTX2N2945AUB Microchip Technology JANTX2N2945AUB 434.5428
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/382 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 400兆 UB - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 20 v 100 ma 10µA（ICBO） PNP - 70 @ 1mA，500mv -
JANSM2N3636L Microchip Technology JANSM2N3636L -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/357 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 50 @ 50mA，10v -
JANS2N2222AUBC Microchip Technology JANS2N2222AUBC 187.2500
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/255 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2222 500兆 3-SMD 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
2N5883 Microchip Technology 2N5883 42.1344
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5883 - Rohs不合规 到达不受影响 2N5883MS Ear99 8541.29.0095 1
1N5526A Microchip Technology 1N5526A 1.6093
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5526A Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.5 V 6.8 v
JANTXV2N3467 Microchip Technology JANTXV2N3467 -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/348 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 1.2V @ 100mA，1a 40 @ 500mA，1V -
JANTX2N2905 Microchip Technology JANTX2N2905 16.5984
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/290 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N2905 800兆 TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 40 V 600 MA 1µA PNP 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
APTM100H18FG Microchip Technology APTM100H18FG 380.9825
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 780W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 43a 210MOHM @ 21.5A，10V 5V @ 5mA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
JAN2N2919U Microchip Technology JAN2N2919U 43.0920
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
CDLL5953D Microchip Technology CDLL5953D 23.5050
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5953 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 114 V 150 v 600欧姆
CDLL5822/TR Microchip Technology CDLL5822/tr 6.7500
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 到达不受影响 150-CDLL5822/tr 140
1N4616 Microchip Technology 1N4616 2.6250
RFQ
 ECAD 7648 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 500兆 do-7 - 到达不受影响 150-1N4616 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 4 µA @ 1 V 2.2 v 1300欧姆
JANTX2N6306 Microchip Technology JANTX2N6306 -
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/498 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 125 w TO-204AA（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 250 v 8 a 50µA NPN 5V @ 2a，8a 15 @ 3a，5v -
2N3501U4 Microchip Technology 2N3501U4 120.9502
RFQ
 ECAD 9400 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 1 w U4 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 50NA（iCBO） NPN 400mv @ 15mA，150mA 100 @ 150mA，10V -
JANTX1N6858-1 Microchip Technology JANTX1N6858-1 -
RFQ
 ECAD 5739 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 肖特基 DO-35（do-204AH） - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 50 V 1 V @ 35 MA 200 na @ 50 V -65°C〜150°C 75mA 4.5pf @ 0v，1MHz
JANTXV2N3501U4 Microchip Technology JANTXV2N3501U4 -
RFQ
 ECAD 3332 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/366 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 1 w U4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 150 v 300 MA 50NA（iCBO） NPN 400mv @ 15mA，150mA 100 @ 150mA，10V -
CDLL3023A Microchip Technology CDLL3023A 15.3000
RFQ
 ECAD 3650 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -55°C 〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL3023 1 w do-213ab - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 500 NA @ 9.9 V 13 V 10欧姆
JANTX2N6693 Microchip Technology JANTX2N6693 -
RFQ
 ECAD 4096 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/538 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 螺柱坐骑 TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱 3 W TO-61 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 400 v 15 a 1ma（iCBO） NPN 1V @ 3a，15a 15 @ 1a，3v -
JANS2N5666 Microchip Technology JANS2N5666 104.1002
RFQ
 ECAD 8421 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/455 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 2N5666 1.2 w TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 200 v 5 a 200NA NPN 1V @ 1a，5a 40 @ 1A，5V -
1N988B/TR Microchip Technology 1n988b/tr 4.9476
RFQ
 ECAD 9315 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 500兆 do-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N988B/tr Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 98.8 V 130 v 1100欧姆
VN0550N3-G-P013 Microchip Technology VN0550N3-G-P013 1.9400
RFQ
 ECAD 354 0.00000000 微芯片技术 - （CT） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） VN0550 MOSFET （金属 o化物） TO-92-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 500 v 50mA（TJ） 5V，10V 60ohm @ 50mA，10v 4V @ 1mA ±20V 55 pf @ 25 V - 1W（TC）
JAN2N656S Microchip Technology JAN2N656S -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 到达不受影响 0000.00.0000 1 60 V 200 ma - NPN - - -
JANTX2N6650 Microchip Technology JANTX2N6650 -
RFQ
 ECAD 1232 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/527 大部分 在sic中停产 -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 5 w TO-204AA（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 10 a 1ma pnp-达灵顿 3V @ 100µA，10a 1000 @ 5A，3V -
2N4930 Microchip Technology 2N4930 9.5494
RFQ
 ECAD 8174 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N4930 1 w 到39 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 200 v 200 ma 250NA（ICBO） PNP 1.2V @ 3mA，30mA 50 @ 30mA，10v -
2C2906A-MSCL Microchip Technology 2C2906A-MSCL 2.6400
RFQ
 ECAD 4157 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-2C2906A-MSCL 1
JANS1N5298-1 Microchip Technology JANS1N5298-1 116.6200
RFQ
 ECAD 498 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/463 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） - 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N5298 500MW do-7 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 1.21ma 1.4V
2N4903 Microchip Technology 2N4903 45.1535
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N4903 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N4399 Microchip Technology 2N4399 42.3073
RFQ
 ECAD 9130 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 2N4399 5 w TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 2N4399MS Ear99 8541.29.0095 1 60 V 30 a 100µA PNP 750mv @ 1a，10a 15 @ 15a，2v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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