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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
JAN2N2919L Microchip Technology JAN2N2919L 30.6432
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N2919 350MW TO-78-6 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
2N4239 Microchip Technology 2N4239 36.5085
RFQ
 ECAD 5232 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 600mv @ 100mA，1a 30 @ 250mA，1V -
JANTX1N5811 Microchip Technology JANTX1N5811 7.4800
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/477 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5811 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 875 mv @ 4 A 30 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 3a -
JAN2N6211 Microchip Technology JAN2N6211 -
RFQ
 ECAD 9265 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/461 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 3 W TO-66（TO-213AA） - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 225 v 2 a 5mA PNP 1.4V @ 125mA，1a 30 @ 1A，5V -
JANTX2N5667S Microchip Technology JANTX2N5667S -
RFQ
 ECAD 6369 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/455 大部分 在sic中停产 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N5667 1.2 w TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 300 v 5 a 200NA NPN 1V @ 1a，5a 25 @ 1A，5V -
APT8020B2FLLG Microchip Technology APT8020B2FLLG 33.7100
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3变体 APT8020 MOSFET （金属 o化物） T-MAX™[B2] 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 800 v 38A（TC） 220MOHM @ 19a，10v 5V @ 2.5mA 195 NC @ 10 V 5200 pf @ 25 V -
JANTX2N3765 Microchip Technology JANTX2N3765 -
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/396 大部分 积极的 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 500兆 TO-46（（TO-206AB） - 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 1.5 a 100µA（ICBO） PNP 900mv @ 100mA，1a 40 @ 500mA，1V -
2N3738 Microchip Technology 2N3738 39.5010
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 20 w TO-66（TO-213AA） - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 225 v 1 a - PNP - - -
JAN2N4237 Microchip Technology JAN2N4237 39.7936
RFQ
 ECAD 8124 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/581 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N4237 1 w TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 1 a 100NA（ICBO） NPN 600mv @ 100mA，1a 30 @ 250mA，1V -
JANTXV1N4465US Microchip Technology JANTXV1N4465US 25.5000
RFQ
 ECAD 5922 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，a 1N4465 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 200 MA 300 na @ 8 V 10 v 5欧姆
JANTX2N2369AUB Microchip Technology JANTX2N2369AUB 22.1179
RFQ
 ECAD 4947 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/317 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2369 400兆 UB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 20 v 400NA NPN 450mv @ 10mA，100mA 20 @ 100mA，1V -
JANTXV1N4954US/TR Microchip Technology JANTXV1N4954US/TR 13.5000
RFQ
 ECAD 9698 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 到达不受影响 150-JANTXV1N4954US/TR Ear99 8541.10.0050 117 1.5 V @ 1 A 150 µA @ 5.2 V 6.8 v 1欧姆
R30615 Microchip Technology R30615 49.0050
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 - 到达不受影响 150-R30615 1
JANTXV2N3740U4 Microchip Technology JANTXV2N3740U4 -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/441 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 25 w U4 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 10 µA 10µA PNP 600mv @ 1.25mA，1a 30 @ 250mA，1V -
2N6330 Microchip Technology 2N6330 124.7939
RFQ
 ECAD 8703 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N6330 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
JAN2N3635L Microchip Technology JAN2N3635L 10.5868
RFQ
 ECAD 7488 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/357 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 2N3635 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 140 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 100 @ 50mA，10V -
JANTX2N1486 Microchip Technology JANTX2N1486 214.3960
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/180 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-233AA，TO-8-3 2N1486 1.75 w TO-8 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 55 v 3 a 15µA NPN 750mv @ 40mA，750a 35 @ 750mA，4V -
1N1193 Microchip Technology 1N1193 75.5700
RFQ
 ECAD 4521 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N1193 标准 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 150 v 1.19 V @ 90 A 10 µA @ 150 V -65°C 〜200°C 40a -
JANTX2N2945AUB Microchip Technology JANTX2N2945AUB 434.5428
RFQ
 ECAD 1089 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/382 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 4-SMD，没有铅 400兆 UB - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 20 v 100 ma 10µA（ICBO） PNP - 70 @ 1mA，500mv -
JANSM2N3636L Microchip Technology JANSM2N3636L -
RFQ
 ECAD 9699 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/357 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-205AA，TO-5-3金属可以 1 w TO-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 175 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 50 @ 50mA，10v -
JANS2N2222AUBC Microchip Technology JANS2N2222AUBC 187.2500
RFQ
 ECAD 3879 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/255 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2222 500兆 3-SMD 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
2N5883 Microchip Technology 2N5883 42.1344
RFQ
 ECAD 6317 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N5883 - Rohs不合规 到达不受影响 2N5883MS Ear99 8541.29.0095 1
1N5526A Microchip Technology 1N5526A 1.6093
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5526A Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5.5 V 6.8 v
JANTXV2N3467 Microchip Technology JANTXV2N3467 -
RFQ
 ECAD 6227 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/348 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 40 V 1 a 100NA（ICBO） PNP 1.2V @ 100mA，1a 40 @ 500mA，1V -
JANTX2N2905 Microchip Technology JANTX2N2905 16.5984
RFQ
 ECAD 6063 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/290 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N2905 800兆 TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 40 V 600 MA 1µA PNP 1.6V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
APTM100H18FG Microchip Technology APTM100H18FG 380.9825
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SP6 APTM100 MOSFET （金属 o化物） 780W SP6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 4（n n 通道（半桥） 1000V （1kV） 43a 210MOHM @ 21.5A，10V 5V @ 5mA 372NC @ 10V 10400pf @ 25V -
JAN2N2919U Microchip Technology JAN2N2919U 43.0920
RFQ
 ECAD 3582 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N2919 350MW 3-SMD - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
CDLL5953D Microchip Technology CDLL5953D 23.5050
RFQ
 ECAD 6971 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab，Melf CDLL5953 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 114 V 150 v 600欧姆
CDLL5822/TR Microchip Technology CDLL5822/tr 6.7500
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 到达不受影响 150-CDLL5822/tr 140
1N4616 Microchip Technology 1N4616 2.6250
RFQ
 ECAD 7648 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 500兆 do-7 - 到达不受影响 150-1N4616 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 4 µA @ 1 V 2.2 v 1300欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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