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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
UPS180E3/TR13	0.4800	RFQ	8233	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					UPS180				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000
JANTX1N4967	7.2000	RFQ	3885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4967		5 w		下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		2 µA @ 18.2 V							24 V	5欧姆
SMAJ4757E3/TR13	0.6450	RFQ	3281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4757		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 38.8 V							51 v	95欧姆
1 PMT5956/TR7	2.2200	RFQ	7023	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 152 V							200 v	1200欧姆
1N4112ur/tr	3.5245	RFQ	2934	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4112ur/tr	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V							18 V	100欧姆
1N5934APE3/TR8	0.9150	RFQ	6059	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5934		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 18.2 V							24 V	19欧姆
JANTXV1N6662US/TR	-	RFQ	2035	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/587	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6662US/TR	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1 V @ 400 MA		50 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	-
1N6622E3/tr	13.5750	RFQ	6153	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	a，轴向		-		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6622E3/tr	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1.6 V @ 2 A	30 ns		-	-	-
1N5265/tr	2.2950	RFQ	6543	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5265/tr	Ear99	8541.10.0050	410																1.5 V @ 200 ma		100 na @ 45 V							62 v	185欧姆
JANTXV1N5521CUR-1/TR	44.0363	RFQ	2607	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5521CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V							4.3 v	18欧姆
JANTX2N3250AUB/TR	-	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/323	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N3250		360兆w	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N3250AUB/TR	Ear99	8541.21.0095	1																						60 V	200 ma	10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
1 PMT5929AE3/TR13	0.7350	RFQ	4860	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 11.4 V							15 v	8欧姆
CDS3824A-1	-	RFQ	6394	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS3824A-1	Ear99	8541.10.0050	50
S50440T	158.8200	RFQ	6668	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-			到达不受影响	150-S50440TS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1.25 V @ 1000 A		75 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	300A	-
1N4109ur/tr	3.5644	RFQ	3098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N4109ur/tr	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V							15 v	100欧姆
SMBJ4758A/TR13	0.8850	RFQ	6209	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4758		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V							56 v	110欧姆
APT28M120B2	23.7300	RFQ	5288	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	APT28M120	MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	29A（TC）	10V	560MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
CDLL4766A	101.7900	RFQ	3835	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL4766		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 6 V							9.1 v	350欧姆
R3750	49.0050	RFQ	3623	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R3750			1
MSASC75H100FX/TR	-	RFQ	2027	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC75H100FX/TR			100
JANSR2N3810	198.9608	RFQ	2356	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																						60V	50mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
1N6762R	205.5600	RFQ	6460	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6762	标准		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	50 V	12a	1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-
JANTXV1N5811US/TR	12.4800	RFQ	5466	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5811US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													150 v		875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
2N6261	40.3050	RFQ	1572年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N6261			1
1N5233BE3	-	RFQ	8968	微芯片技术	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-		（1 （无限）		150-1N5233BE3	Ear99	8541.10.0050	424																1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V							6 V	7欧姆
JANS1N4105DUR-1	147.2700	RFQ	1833年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V							11 V	200欧姆
Jan1n962bur-1/tr	4.0831	RFQ	2714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N962BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	9.5欧姆
jankcbr2n2906a	-	RFQ	2624	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2906		500兆	TO-18	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCBR2N2906A	Ear99	8541.21.0095	1																						60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N976DUR-1/TR	21.6258	RFQ	8515	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N976DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V							43 V	93欧姆
1N3347A	49.3800	RFQ	1275	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3347		50 W	do-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 10 A		10 µA @ 121.6 V							160 v	80欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²