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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 （ih）（IH）） 测试条件 电压 -偏离状态 （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （（av）（av）） scr 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） （（（） 电压 -限制（最大）
JAN2N2326S Microchip Technology JAN2N2326S -
RFQ
 ECAD 2088 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/276 大部分 过时的 -65°C〜125°C 通过洞 到205AD，TO-39-3 TO-39（（TO-205AD） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 100 2 ma 200 v 800 mv - 200 µA 220 MA 敏感门
UPS760E3/TR13 Microchip Technology UPS760E3/TR13 0.9900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 PowerMite®3 UPS760 肖特基 Powermite 3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 60 V 600 mv @ 7 A 100 µA @ 60 V -55°C〜125°C 7a 375pf @ 4V，1MHz
JAN2N1711S Microchip Technology Jan2n1711s 55.3280
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/225 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 800兆 TO-39（（TO-205AD） - 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 30 V 500 MA 10NA（ICBO） NPN 1.5V @ 15mA，150mA 100 @ 150mA，10V -
2N2222AE3 Microchip Technology 2N2222AE3 4.5300
RFQ
 ECAD 4070 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-206AA，TO-18-3 2N2222 500兆 TO-18（（TO-206AA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 50 V 800 MA 50NA NPN 1V @ 50mA，500mA 100 @ 150mA，10V -
JANS2N5238S Microchip Technology JANS2N5238 -
RFQ
 ECAD 5013 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/394 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 1 w TO-39（（TO-205AD） - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 170 v 10 µA 10µA NPN 2.5V @ 1a，10a 40 @ 5A，5V -
JANTXV2N5686 Microchip Technology JANTXV2N5686 450.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/464 大部分 在sic中停产 -55°C 200°C（TJ） 通过洞 TO-204AE 300 w TO-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 80 V 50 a 500µA NPN 5V @ 10a，50a 15 @ 25a，2v -
R304100 Microchip Technology R304100 40.6350
RFQ
 ECAD 3037 0.00000000 微芯片技术 R304 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 R304100 标准，反极性 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 1000 v 1.19 V @ 90 A 10 µA @ 1000 V -65°C 〜200°C 40a -
JANTX1N6349C Microchip Technology JANTX1N6349C 28.2226
RFQ
 ECAD 9860 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 B，轴向 500兆 B，轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N6349C Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 84 V 110 v 500欧姆
JANTXV2N2605 Microchip Technology JANTXV2N2605 23.3814
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/354 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-206AB，TO-46-3金属可以 2N2605 400兆 TO-46-3 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 30 ma 10NA PNP 300mv @ 500µA，10mA 100 @ 10mA，5v -
1N3007A Microchip Technology 1N3007A 36.9900
RFQ
 ECAD 2857 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3007 10 W do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 83.6 V 110 v 55欧姆
JAN1N6857-1 Microchip Technology 1月1N6857-1 -
RFQ
 ECAD 3155 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/444 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 肖特基 DO-35（do-204AH） - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 16 V 750 mv @ 35 ma 150 na @ 16 V -65°C〜150°C 150mA 4.5pf @ 0v，1MHz
MSC2X31SDA070J Microchip Technology MSC2X31SDA070J 38.0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 MSC2X31 - （1 （无限） 到达不受影响 150-MSC2X31SDA070J Ear99 8541.10.0080 1
1N5239BE3 Microchip Technology 1N5239BE3 2.9550
RFQ
 ECAD 7321 0.00000000 微芯片技术 - 包 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5239 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 1N5239BE3MS Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 200 ma 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
JANS1N4487US/TR Microchip Technology JANS1N4487US/TR 162.1650
RFQ
 ECAD 6479 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANS1N4487US/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 250 na @ 65.6 V 82 v 160欧姆
JAN1N5420 Microchip Technology 1月1N5420 9.1200
RFQ
 ECAD 9203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/411 大部分 积极的 通过洞 B，轴向 1N5420 标准 B，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.5 V @ 9 A 400 ns 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 3a -
1N4921 Microchip Technology 1N4921 90.1500
RFQ
 ECAD 1769年 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -25°C〜100°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4921 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 19.2 v 300欧姆
JANS2N2906AUBC Microchip Technology JANS2N2906AUBC 194.6602
RFQ
 ECAD 5925 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/291 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-CLCC 2N2906 500兆 UBC 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60 V 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50mA，500mA 40 @ 150mA，10V -
CD5312 Microchip Technology CD5312 19.2450
RFQ
 ECAD 1485 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C〜175°C - 表面安装 CD531 - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-CD5312 Ear99 8541.10.0040 1 100V 4.29mA 2.6V
APT36GA60SD15 Microchip Technology APT36GA60SD15 7.9300
RFQ
 ECAD 1865年 0.00000000 微芯片技术 PowerMOS8® 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA APT36GA60 标准 290 w d3pa k 下载 （1 （无限） 到达不受影响 150-APT36GA60SD15 Ear99 8541.29.0095 1 400V，20a，10ohm，15V 19 ns pt 600 v 65 a 109 a 2.5V @ 15V，20A 307µJ（在）上，254µJ（OFF） 102 NC 16ns/122ns
APT2X101D100J Microchip Technology APT2X101D100J 34.8000
RFQ
 ECAD 6356 0.00000000 微芯片技术 - 管子 积极的 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 APT2X101 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 2独立 1000 v 95a 2.5 V @ 100 A 300 ns 250 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C
S3540PF Microchip Technology S3540pf 60.2100
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 按适合 DO-208AA S3540 标准 do-21 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io） 400 v 1 V @ 1 A 10 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 35a -
1N5286UR-1 Microchip Technology 1N5286ur-1 21.8250
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） - 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1N5286 500MW DO-213AB（梅尔，LL41） 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
DR-1029/TR Microchip Technology DR-1029/TR -
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-DR-1029/TR 1
1N719 Microchip Technology 1N719 1.9200
RFQ
 ECAD 2006 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10％ - 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N719 250兆 do-35 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 50 NA @ 12.2 V 16 V 15欧姆
JANTX2N6338 Microchip Technology JANTX2N6338 113.2894
RFQ
 ECAD 2392 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/509 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 200 w TO-3 - 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 50 µA 50µA NPN 1.8V @ 2.5a，25a 30 @ 10a，2v -
2N657 Microchip Technology 2N657 35.8169
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N657 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N656 Microchip Technology 2N656 35.8169
RFQ
 ECAD 6680 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 2N656 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
2N918UB Microchip Technology 2n918ub 22.8494
RFQ
 ECAD 4440 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N918 200兆 UB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 15 v 50 mA 1µA（ICBO） NPN 400mv @ 1mA，10mA 20 @ 3mA，1V -
2N6326 Microchip Technology 2N6326 376.5762
RFQ
 ECAD 8665 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - 通过洞 TO-204AA，TO-3 200 w TO-3 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 30 a - PNP - - -
JAN2N2919L Microchip Technology JAN2N2919L 30.6432
RFQ
 ECAD 1203 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/355 大部分 积极的 200°C（TJ） 通过洞 TO-78-6金属罐 2N2919 350MW TO-78-6 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1 60V 30mA 10µA（ICBO） 2 NPN （双） 300mv @ 100µA，1mA 150 @ 1mA，5V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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