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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANTX1N4481D	36.6000	RFQ	5245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4481		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		50 NA @ 37.6 V							47 V	50欧姆
JANTX1N4372C-1/TR	20.0032	RFQ	4120	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4372C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		30 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
R3280	49.0050	RFQ	2713	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-R3280			1
JANTX2N3996	-	RFQ	6293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/374	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		底盘，螺柱坐骑	TO-111-4，螺柱			2 w	TO-111	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											80 V	10 a	10µA			NPN	2V @ 500mA，5a	40 @ 1A，2V	-
JANTX1N5418	6.3200	RFQ	34	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的				通过洞	B，轴向	1N5418	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-
CD4717	2.3408	RFQ	6900	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4717	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		10 na @ 32.6 V							43 V
CD749D	-	RFQ	7133	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD749D	Ear99	8541.10.0050	223					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V							4.3 v	22欧姆
1月1N4968C	15.3750	RFQ	6706	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	E，轴向	1N4968		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V							27 V	6欧姆
UES2602HR2	160.6350	RFQ	6316	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ues2602hr2	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	20 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
CDLL991B	14.2050	RFQ	4050	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-		表面安装	do-213aa	CDLL991		500兆	do-213aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														180 v	2200欧姆
JANS1N6333US/TR	127.1706	RFQ	7940	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N6333US/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V							24 V	24欧姆
1N4922	20.1150	RFQ	2939	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4922		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														19.2 v	150欧姆
1N4898A	101.5500	RFQ	4915	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C		通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4898		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														12.8 v	400欧姆
JANSF2N5151U3	232.1916	RFQ	6374	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-			到达不受影响	150-JANSF2N5151U3			1											80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
1N55330BUR-1/TR	5.7722	RFQ	8428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-1N55330BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V							10 v	60欧姆
1N4249	-	RFQ	6969	微芯片技术	-	大部分	过时的				通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.3 V @ 3 A	5 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	1a	-
Jan2n5005	416.0520	RFQ	8867	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/535	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		底盘，螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱	2N5005		2 w	TO-59	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											80 V	5 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS1N5301UR-1/TR	130.3050	RFQ	2479	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5301UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																				100V	1.54mA	1.55V
CDLL5253/tr	2.7132	RFQ	3270	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5253/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 19 V							25 v	35欧姆
MSCDR90A160BL1NG	77.4000	RFQ	1341	微芯片技术	-	大部分	积极的				底盘安装	模块	MSCDR90	标准		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCDR90A160BL1NG	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1对系列连接	1600 v	90A（DC）	1.21 V @ 33 A		50 µA @ 1600 V	-55°C〜150°C
JANTX1N4984C	38.4300	RFQ	1762年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	E，轴向	1N4984		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V							120 v	170欧姆
1N6640US	9.3600	RFQ	6483	微芯片技术	-	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，d	1N6640	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		75 v		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜175°C	300mA	-
1N5921BP/TR8	1.8900	RFQ	3083	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V							6.8 v	2.5欧姆
1N6762R	205.5600	RFQ	6460	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-254-3，TO-254AA	1N6762	标准		TO-254AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	50 V	12a	1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 50 V	-
Jankcbr2N5002	-	RFQ	2560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	死			2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100											80 V	50 µA	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N5796U/TR	149.2410	RFQ	6128	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	6-SMD，没有铅	2N5796		600MW	6-SMD	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX2N5796U/TR	Ear99	8541.21.0095	1											60V	600mA	10NA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV1N4619C-1/TR	16.5186	RFQ	7684	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4619C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V							3 V	1600欧姆
JANTXV1N5969DUS	-	RFQ	6364	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		1 mA @ 4.74 V							6.2 v	1欧姆
SBR6025	148.2150	RFQ	6501	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		DO-5（do-203ab）	-			到达不受影响	150-SBR6025	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		25 v		600 mv @ 60 a		2 ma @ 25 V	-55°C〜150°C	60a	-
JANS1N4135DUR-1	147.2700	RFQ	7861	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 76 V							100 v	1500欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²