RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N5303	141.9110	RFQ	6183	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/456	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			20 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				60 V	10 µA	10µA			NPN	650mv @ 5mA，100mA	15 @ 10a，2v	-
1N6349US	14.6400	RFQ	8319	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6349		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V							110 v	500欧姆
1N5546A/TR	3.2550	RFQ	1238	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5546A/tr	Ear99	8541.10.0050	290														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 28 V							33 V
Jan1n3039b-1	9.2700	RFQ	3005	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3039		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 47.1 V							62 v	125欧姆
Jan1n4106ur-1	-	RFQ	8450	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）				do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V							12 v	200欧姆
UES1103SM	21.9300	RFQ	90	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	UES1103	标准		A夫人	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												150 v	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 150 V	175°c （最大）	2.5a	-
APT5010LVRG	18.4400	RFQ	5483	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT5010	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	47A（TC）		100mohm @ 500mA，10v	4V @ 2.5mA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
JAN2N5794U	118.9902	RFQ	3692	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794		600MW	6-SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				40V	600mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS1N4118DUR-1	147.2700	RFQ	8854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 20.5 V							27 V	150欧姆
1N3823A-1/tr	6.7200	RFQ	7609	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	下载			到达不受影响	150-1N3823A-1/tr	Ear99	8541.10.0050	141														1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
APT24M120L	19.0200	RFQ	8176	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT24M120	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1200 v	24A（TC）	10V	680MOHM @ 12A，10V	5V @ 2.5mA	260 NC @ 10 V	±30V	8370 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
1月1N974CUR-1	11.3850	RFQ	5584	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N974		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 27 V							36 V	70欧姆
JANS1N4567A-1	103.1250	RFQ	5854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 3 V							6.4 v	200欧姆
1N1190AR	74.5200	RFQ	4705	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1190ARMS	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	40a	-
1 PMT4117/TR13	0.9600	RFQ	8638	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
JANTX1N4621UR-1	9.0450	RFQ	6303	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4621		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																3.5 µA @ 2 V							3.6 v	1700欧姆
JANTX1N4480US	16.4550	RFQ	2600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4480		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		50 NA @ 34.4 V							43 V	40欧姆
UFS310G/TR13	3.0150	RFQ	4518	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS310	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	950 mv @ 3 a	30 ns	10 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C	3a	-
JANS1N5415US	70.5900	RFQ	5174	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	1.5 V @ 9 A	150 ns		-65°C〜175°C	3a	-
JAN1N6318DUS/TR	49.0650	RFQ	1787年	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JAN1N6318DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2.5 V							5.6 v	8欧姆
1N4533/tr	2.5050	RFQ	4120	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-1N4533/tr			376
JAN1N4479CUS/TR	27.8250	RFQ	2377	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JAN1N4479CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100														1.5 V @ 1 A		50 NA @ 31.2 V							39 v	30欧姆
JANTX1N5538B-1	-	RFQ	5673	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V							18 V	100欧姆
1月1N755C-1	5.1900	RFQ	8558	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N755		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
TN0620N3-G-P002	1.7300	RFQ	4149	微芯片技术	-	（CT）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	TN0620	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	200 v	250mA（TJ）	5V，10V	6ohm @ 500mA，10v	1.6V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（TC）
JANS1N4614D-1	-	RFQ	4645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N4614D-1	Ear99	8541.10.0050	50														1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 1 V							1.8 v	1200欧姆
JANTXV1N4968C	2000年222日	RFQ	5566	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4968		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 20.6 V							27 V	6欧姆
JANTX1N5521BUR-1/TR	13.2202	RFQ	9091	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5521BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V							4.3 v	18欧姆
1N5919CP/TR12	2.2800	RFQ	8734	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5919		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	2欧姆
1n6642us	6.8600	RFQ	8	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	5pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²