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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
JANTXV2N3499	10.7996	RFQ	2700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3499		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										100 v	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N2907A	99.0906	RFQ	8793	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																										60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N2904AL	12.8079	RFQ	3422	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2904		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																										60 V	600 MA	1µA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N6674	177.2092	RFQ	4807	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6674				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N5153	-	RFQ	9812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS2N2218A	90.7106	RFQ	2024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANS2N2218A	Ear99	8541.21.0095	1																										50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N4235	-	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1																										60 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANS2N5667	-	RFQ	3805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5667		1.2 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										300 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
JANTX2N5666S	-	RFQ	7478	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5666		1.2 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										200 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	40 @ 1A，5V	-
JANTXV1N4496C	33.0000	RFQ	1591年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4496C	Ear99	8541.10.0050	1																				1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V							200 v	1500欧姆
2N5335	22.2750	RFQ	7994	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2N5335			1
2N1483	44.3555	RFQ	6800	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-233AA，TO-8-3	2N1483		1.75 w	TO-8	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										40 V	3 a	15µA			NPN	1.20V @ 75mA，750a	20 @ 750mA，4V	-
2N5428	27.7039	RFQ	3769	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N5428				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N3792	68.5083	RFQ	6078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/379	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3792		5 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										80 V	10 a	5mA			PNP	2.5V @ 2a，10a	50 @ 1A，2V	-
JANTX2N7370	-	RFQ	6409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/624	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））	2N7370		100 W	TO-254AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										100 v	12 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
JAN2N3439	12.4355	RFQ	1375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3439		800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																										350 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JAN2N3735	8.3657	RFQ	1184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3735		1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										40 V	1.5 a	10µA（ICBO）			NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
Jankcbr2N5002	-	RFQ	2560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	死			2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																										80 V	50 µA	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N5151	13.6192	RFQ	6991	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N5151		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
2N6384	63.2016	RFQ	7471	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6384		6 W	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N6384MS	Ear99	8541.29.0095	1																										60 V	10 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
JAN1N6337DUS	43.0800	RFQ	5560	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	包	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6337		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响	JAN1N6337DUSMS	Ear99	8541.10.0050	1																				1.4 V @ 1 A		50 na @ 27 V							36 V	50欧姆
GA201	70.7427	RFQ	8809	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜150°C		通过洞	TO-206AA，TO-18-3				TO-18	-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			5 ma								100 v	750 mv	-	200 µA	1.5 v	6 a	100 NA	标准恢复
1N5372C/TR8	3.3900	RFQ	3327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																				1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V							62 v	42欧姆
1N5305UR-1	21.8200	RFQ	90	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5305		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																																			100V	2.2mA	1.85V
JAN2N5416U4	-	RFQ	6646	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																										300 v	1 MA	1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
R712	55.6500	RFQ	3860	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-204AA，TO-3	R712	标准		TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		200 v	1.4 V @ 15 A	200 ns	1 mA @ 200 V	-65°C〜150°C	15a	-
apt20m11jll	70.7400	RFQ	8265	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M11	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	176a（TC）	11mohm @ 88a，10v	5V @ 5mA	180 NC @ 10 V	10320 PF @ 25 V	-
JAN2N22222	7.0490	RFQ	4467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222		500兆	TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																										50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS1N5293UR-1/TR	130.3050	RFQ	7420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5293UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																			100V	748µA	1.15V
JANTXV1N4105C-1/TR	20.6815	RFQ	5701	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4105C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																				1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.5 V							11 V	200欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²