RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
APT38M50J	28.6900	RFQ	5318	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT38M50	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	38A（TC）	10V	100mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	220 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	357W（TC）
JANTXV1N7555AR-1/TR	6.7830	RFQ	6409	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N7555AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
1N754D/tr	5.7750	RFQ	7061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N754D/tr	Ear99	8541.10.0050	164														1.1 V @ 200 ma	100 na @ 1 V							6.8 v	5欧姆
JANSM2N2221AUB	150.3406	RFQ	7723	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-			到达不受影响	150-JANSM2N2221AUB			1																			50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
UPS160E3/TR13	0.4800	RFQ	4147	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPS160	肖特基		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	600 mV @ 1 A	100 µA @ 60 V	-55°C〜125°C	1a	55pf @ 4V，1MHz
JANS1N4494CUS/TR	283.9800	RFQ	9581	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4494CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50														1.5 V @ 1 A	250 na @ 128 V							160 v	1000欧姆
1N5523C	11.3550	RFQ	6231	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5523C	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	2 µA @ 2.5 V							5.1 v	26欧姆
JANTXV1N4954US/TR	13.5000	RFQ	9698	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4954US/TR	Ear99	8541.10.0050	117														1.5 V @ 1 A	150 µA @ 5.2 V							6.8 v	1欧姆
JANS1N4495CUS/TR	283.9800	RFQ	4845	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N444495CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50														1.5 V @ 1 A	250 NA @ 144 V							180 v	1300欧姆
JANTX1N970B-1	2.2500	RFQ	7317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N970		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	500 na @ 18 V							24 V	33欧姆
CD5521D	-	RFQ	3513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD5521D	Ear99	8541.10.0050	164														1.5 V @ 200 ma	3 µA @ 1.5 V							4.3 v	18欧姆
CD6858	3.5850	RFQ	7783	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	死		肖特基		死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6858	Ear99	8541.10.0040	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												50 V	650 mv @ 15 ma	200 na @ 50 V	-55°C〜125°C	15mA	4.5pf @ 0v，1MHz
CDLL3018	14.7300	RFQ	4855	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3018		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	5 µA @ 6.2 V							8.2 v	4.5欧姆
JANTXV1N5537D-1	29.2200	RFQ	4986	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5537		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	10 na @ 15.3 V							17 V	100欧姆
1 PMT4102C/TR13	1.2450	RFQ	3526	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.61 V							8.7 v	200欧姆
1N4746A	3.6900	RFQ	7458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4746am	Ear99	8541.10.0050	1															5 µA @ 13.7 V							18 V	20欧姆
JANS1N4485	137.4000	RFQ	2504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	250 NA @ 54.4 V							68 v	100欧姆
CD5224B	2.2743	RFQ	1731年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5224B	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	75 µA @ 1 V							2.8 v	30欧姆
JANTXV1N4464CUS	30.8850	RFQ	6412	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4464CUS	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	300 NA @ 5.46 V							9.1 v	4欧姆
CDLL5988	2.2950	RFQ	1169	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL5988				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
CD5530D-1	-	RFQ	1839年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS5530D-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N6312D	45.0600	RFQ	6752	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6312		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A	5 µA @ 1 V							3.3 v	27欧姆
JANS1N4968	80.1900	RFQ	2924	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	2 µA @ 20.6 V							27 V	6欧姆
1 PMT4111/TR13	0.9600	RFQ	2668	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000														1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 12.92 V							17 V	100欧姆
JANTX1N4962US	9.2100	RFQ	1518年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4962		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A	5 µA @ 11.4 V							15 v	3.5欧姆
Jan1n4463d	25.4550	RFQ	7852	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4463		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	500 NA @ 4.92 V							8.2 v	3欧姆
1N3007B	36.9900	RFQ	6320	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3007		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 2 A	10 µA @ 83.6 V							110 v	55欧姆
JANTX1N3049BUR-1	-	RFQ	2974	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	500 NA @ 121.6 V							160 v	1100欧姆
UZ7724R	468.9900	RFQ	1024	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-UZ7724R	Ear99	8541.10.0050	1
LSM335JE3/TR13	0.5550	RFQ	4327	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	LSM335	肖特基		do-214ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												35 v	520 mv @ 3 a	1.5 ma @ 35 V	-55°C〜150°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²