RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（ih）（IH））	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
2n2369au	54.8625	RFQ	5163	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	-	2N2369		500兆	SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															15 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTXV2N3902	64.7311	RFQ	7954	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/371	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3902		5 w	TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															400 v	3.5 a	250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
JANTX2N6990	-	RFQ	3969	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/559	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	14-flatpack	2N6990		400MW	14-flatpack	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															50V	800mA	10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANHCB2N5004	49.6622	RFQ	8759	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/534	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		螺柱坐骑	死			2 w	死	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	50 µA	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N3250A	-	RFQ	4991	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/323	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3250		360兆w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	200 ma	10µA（ICBO）			PNP	500mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，1V	-
1N4729ur-1/tr	3.6200	RFQ	4465	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272										1.2 V @ 200 ma	100 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
1N5931A	3.0300	RFQ	3478	微芯片技术	MIL-PRF-19500	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向	1N5931		1.25 w	do-41	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1										1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 13.7 V							18 V	12欧姆
2N3879	22.9600	RFQ	100	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3879		35 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															75 v	7 a	4ma			NPN	1.2V @ 400mA，4a	40 @ 500mA，5V	-
2N5157	52.0296	RFQ	1733年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															500 v	250 µA	250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
2N6331	124.7939	RFQ	8588	微芯片技术	-	大部分	积极的		-		通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															100 v	30 a	-			PNP	-	-	-
90025-05TXV	-	RFQ	6121	微芯片技术	-	大部分	积极的		-		通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
JANTX2N3501L	7.8204	RFQ	3947	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3501		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N4150	12.1163	RFQ	7138	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N4150		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															70 v	10 a	10µA			NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JANTXV2N6032	511.7840	RFQ	5242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/528	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TA）		通过洞	TO-204AA，TO-3			140 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															90 v	50 a	25ma（iCBO）			NPN		10 @ 50a，2.6V	-
2N3467	10.5868	RFQ	6176	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜175°C		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3467		1 w	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N3467MS	Ear99	8541.21.0075	1															40 V	1 a	100NA			PNP	1.2V @ 100mA，1a	40 @ 1A，5V	500MHz
JAN2N3867	-	RFQ	4325	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/350	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															40 V	3 ma	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
JANTXV1N645-1/TR	-	RFQ	7376	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/240	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N645-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）								225 v	1 V @ 400 MA	50 NA @ 225 V	-65°C〜175°C	400mA	-
Jan1n5297-1/tr	31.6650	RFQ	7031	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5297		500MW	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5297-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																								100V	1.1ma	1.35V
JANS2N2484UB	58.5102	RFQ	7143	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	4-SMD，没有铅	2N2484		360兆w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	50 mA	2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5V	-
JAN2N2328S	-	RFQ	4045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C		通过洞	到205AD，TO-39-3				TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	100		2 ma	300 v	800 mv	-	200 µA	220 MA	敏感门
2N5793	18.8328	RFQ	1731年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C		通过洞	TO-78-6金属罐	2N579		500MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5793MS	Ear99	8541.21.0095	1															40V	600mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	40 @ 150mA，10V	-
JANS2N5154U3	202.2102	RFQ	3694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3	-			到达不受影响	2266-JANS2N5154U3	Ear99	8541.29.0095	1															80 V	1 MA	1ma			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANTXV2N3499	10.7996	RFQ	2700	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3499		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															100 v	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSR2N2907A	99.0906	RFQ	8793	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2907		500兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N2904AL	12.8079	RFQ	3422	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2904		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1															60 V	600 MA	1µA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N6674	177.2092	RFQ	4807	微芯片技术	*	大部分	积极的						2N6674				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N5153	-	RFQ	9812	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS2N2218A	90.7106	RFQ	2024	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANS2N2218A	Ear99	8541.21.0095	1															50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N4235	-	RFQ	2031	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	to-205ad	下载	Rohs不合规	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1															60 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANS2N5667	-	RFQ	3805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5667		1.2 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															300 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²