SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
JANTXV1N4619CUR-1 Microchip Technology JANTXV1N4619CUR-1 -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 400 na @ 1 V 3 V 1600欧姆
1N5806US/TR Microchip Technology 1N5806US/TR 6.4650
RFQ
ECAD 6789 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N5806 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 148 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 975 MV @ 2.5 A 25 ns 1 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 25pf @ 10V,1MHz
JANTXV1N6350C Microchip Technology JANTXV1N6350C 37.5300
RFQ
ECAD 9427 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANTXV1N6350C Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 91 V 120 v 600欧姆
SMBJ4731AE3/TR13 Microchip Technology SMBJ4731AE3/TR13 0.4350
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4731 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
1N5253BUR-1 Microchip Technology 1N5253BUR-1 2.8650
RFQ
ECAD 1335 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N5253 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 19 V 25 v 35欧姆
JAN1N5530B-1 Microchip Technology JAN1N55330B-1 5.5200
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5530 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.1 V 10 v 60欧姆
JANTXV1N5188 Microchip Technology JANTXV1N5188 14.5950
RFQ
ECAD 9732 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/297 大部分 积极的 通过洞 B,轴向 1N5188 标准 B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.5 V @ 9 A 2 µA @ 400 V -65°C〜175°C 3a -
JANTXV1N4620-1 Microchip Technology JANTXV1N4620-1 -
RFQ
ECAD 6017 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/435 大部分 在sic中停产 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3.5 µA @ 1.5 V 3.3 v 1650年
JANTX2N3507L Microchip Technology JANTX2N3507L 14.1113
RFQ
ECAD 7421 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/349 大部分 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 TO-205AA,TO-5-3金属可以 2N3507 1 w TO-5 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 50 V 3 a - NPN 1.5V @ 250mA,2.5a 30 @ 1.5A,2V -
SD41 Microchip Technology SD41 69.7950
RFQ
ECAD 9035 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 SD41 肖特基 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 SD41-NDR Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 680 mv @ 30 a 1.5 ma @ 35 V 30a -
CDLL3155A Microchip Technology CDLL3155A 15.4800
RFQ
ECAD 3894 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±4.7% -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa CDLL3155 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 10 µA @ 5.5 V 8.4 v 15欧姆
1N5525C Microchip Technology 1N5525C 11.3550
RFQ
ECAD 8056 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-1N5525C Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 5 V 6.2 v 30欧姆
JANTXV2N6300 Microchip Technology JANTXV2N6300 39.5675
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/539 大部分 积极的 -55°C 200°C(TJ) 通过洞 TO-213AA,TO-66-2 2N6300 75 w TO-66(TO-213AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 8 a 500µA(ICBO) npn-达灵顿 3V @ 80mA,8a 750 @ 4A,3V -
JANTXV1N3346RB Microchip Technology JANTXV1N3346RB -
RFQ
ECAD 9135 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 50 W do-5 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 114 V 150 v 75欧姆
JANTX1N5530DUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N55330DUR-1/TR 42.4536
RFQ
ECAD 5324 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N55330DUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 NA @ 9.1 V 10 v 60欧姆
2N2907AUBC/TR Microchip Technology 2N2907AUBC/tr 28.8750
RFQ
ECAD 8848 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜200°C(TJ) 表面安装 3-SMD,没有铅 500兆 UBC - 到达不受影响 150-2N2907AUBC/tr Ear99 8541.21.0095 100 60 V 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,10V -
JANTXV1N3025CUR-1/TR Microchip Technology JANTXV1N3025CUR-1/TR 40.4985
RFQ
ECAD 5998 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N3025CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 12.2 V 16 V 16欧姆
R3560PF Microchip Technology R3560pf 62.1000
RFQ
ECAD 1626年 0.00000000 微芯片技术 R35 大部分 积极的 按适合 DO-208AA R3560 标准,反极性 do-21 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.25 V @ 200 A 10 µA @ 600 V -65°C 〜200°C 70a -
JAN1N3824A-1/TR Microchip Technology Jan1n3824a-1/tr 6.1446
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N3824A-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
R35160 Microchip Technology R35160 36.6600
RFQ
ECAD 9001 0.00000000 微芯片技术 R35 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 R35160 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.25 V @ 200 A 25 µA @ 1600 V -65°C 〜200°C 70a -
JANTX1N750AUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N750AR-1/TR 4.3092
RFQ
ECAD 7617 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C 〜175°C(TA) 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-JANTX1N750AR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1.5 V 4.7 v 15欧姆
JANTX1N3827AUR-1 Microchip Technology JANTX1N3827AUR-1 15.9000
RFQ
ECAD 3920 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3827 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 3 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
JANTX1N3821AUR-1 Microchip Technology JANTX1N3821AUR-1 15.9000
RFQ
ECAD 4460 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) 1N3821 1 w DO-213AB(梅尔,LL41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
JANS1N4478US/TR Microchip Technology JANS1N4478US/TR 93.6000
RFQ
ECAD 8109 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 到达不受影响 150-JANS1N4478US/TR Ear99 8541.10.0050 50 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 28.8 V 36 V 27欧姆
JANTX1N5552US Microchip Technology JANTX1N5552U 10.5600
RFQ
ECAD 4084 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/420 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,b 1N5552 标准 B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 9 A 2 µs 1 µA @ 600 V -65°C〜175°C 5a -
CDLL5913C Microchip Technology CDLL5913C 7.8450
RFQ
ECAD 2813 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5913 1.25 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
JANHCA1N5541C Microchip Technology Janhca1n5541c -
RFQ
ECAD 8977 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±2% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JANHCA1N5541C Ear99 8541.10.0050 100 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 19.8 V 22 v 100欧姆
JAN1N6625 Microchip Technology 1月1N6625 11.2950
RFQ
ECAD 2873 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 通过洞 a,轴向 1N6625 标准 a,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.75 V @ 1 A 30 ns 1 µA @ 1000 V -65°C〜150°C 1a -
1PMT4625E3/TR7 Microchip Technology 1 PMT4625E3/TR7 0.4950
RFQ
ECAD 4976 0.00000000 微芯片技术 PowerMite® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午4625 1 w do-216 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 5.1 v 1500欧姆
JANTX1N6630 Microchip Technology JANTX1N6630 15.1350
RFQ
ECAD 1371 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/590 大部分 积极的 通过洞 E,轴向 标准 E,轴向 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 900 v 1.7 V @ 3 A 50 ns 2 µA @ 990 V -65°C〜175°C 3a 40pf @ 10V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库