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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV2N5151U3	92.7675	RFQ	8866	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							80 V	1 MA	1ma			PNP	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTX2N5581	9.0174	RFQ	4866	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/423	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N5581		500兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																							50 V	800 MA	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
MBR3045CTE3/TU	-	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR3045	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
JANS2N3634UB/TR	-	RFQ	5375	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			1 w	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																							140 v	10 µA	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
JANTX2N3420	-	RFQ	3616	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3420		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							60 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	40 @ 1A，2V	-
1N3909AR	48.5400	RFQ	6532	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N3909	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		1.4 V @ 50 A	150 ns	15 µA @ 50 V	-65°C〜150°C	50a	-
HSM120G/TR13	1.6800	RFQ	5484	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					HSM120				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
2N3501U4/tr	135.3150	RFQ	9365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N3501U4/tr	Ear99	8541.29.0095	100																							150 v	300 MA	50NA（iCBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N1724	-	RFQ	8832	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/262	大部分	积极的		175°C	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W	TO-61	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							80 V	300 µA	300µA			NPN	600mv @ 200mA，2a	30 @ 2a，15v	-
2N3019S	20.4500	RFQ	66	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3019		800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																							80 V	1 a	10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
JANSR2N2907AUBC	308.8614	RFQ	3645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-CLCC	2N2907		500兆	UBC	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																							60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N4099-1	2.4750	RFQ	7619	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5.2 V							6.8 v	200欧姆
SMBJ5356B/TR13	1.6650	RFQ	2072	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5356		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13.7 V							19 v	3欧姆
JANTX2N6353	-	RFQ	4705	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/472	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6353		2 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							150 v	5 a	-			npn-达灵顿	2.5V @ 10mA，5a	1000 @ 5A，5V	-
JANTXV2N2946AUB	-	RFQ	7571	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/382	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			400兆	UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																							35 v	100 ma	10µA（ICBO）			PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
JANTX2N3442	367.9312	RFQ	1683年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/307	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3442		6 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							140 v	10 a	-			NPN	1V @ 300mA，3a	20 @ 3a，4v	-
JANS2N5796UC	-	RFQ	9302	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5796		600MW	UC	-			到达不受影响	150-JANS2N5796UC			50																							60V	600mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM20AM04FG	339.9400	RFQ	34	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM20	MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）			200V	372a		5mohm @ 186a，10v	5V @ 10mA	560NC @ 10V		28900pf @ 25V	-
APT1001R1亿	-	RFQ	1009	微芯片技术	PowerMosiv®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			n通道	1000 v	10.5A（TC）	10V	1.1OHM @ 5.25a，10V	4V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	2950 pf @ 25 V	-	310W（TC）
APT47M60J	33.4400	RFQ	7	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT47M60	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	49A（TC）	10V	90mohm @ 33a，10v	5V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V	±30V	13190 pf @ 25 V	-	540W（TC）
1N5353/TR8	2.6250	RFQ	6641	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V							16 V	2.5欧姆
JANSF2N3700UB	49.9200	RFQ	2662	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-LCC	2N3700		500兆	UB	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																							80 V	1 a	10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	50 @ 500mA，10V	-
APT6010LFLLG	33.7700	RFQ	1610	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT6010	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2266-APT6010LFLLG	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	54A（TC）		100mohm @ 27a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V		6710 PF @ 25 V	-
VN4012L-G	2.0000	RFQ	647	微芯片技术	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	VN4012	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	400 v	160mA（TJ）	4.5V	12ohm @ 100mA，4.5V	1.8V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1W（TC）
2N6297	27.2384	RFQ	6361	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6297				-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1
TN5335N8-G	1.1400	RFQ	1	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TN5335	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	350 v	230ma（tj）	3V，10V	15ohm @ 200mA，10v	2V @ 1mA		±20V	110 pf @ 25 V	-	1.6W（TA）
DN2540N5-G	1.7600	RFQ	495	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	DN2540	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	400 v	500mA（TJ）	0V	25ohm @ 120mA，0v	-		±20V	300 pf @ 25 V	耗尽模式	15W（TC）
2N4906	45.1535	RFQ	8021	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N4906				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N4235	39.7936	RFQ	2076	微芯片技术	MIL-PRF-19500/580	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4235		1 w	到39	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							60 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANTX2N6300	35.8302	RFQ	7814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/539	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			75 w	TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							60 V	500 µA	500µA			npn-达灵顿	3V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²