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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | JANTXV1N4619CUR-1 | - | ![]() | 5697 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 400 na @ 1 V | 3 V | 1600欧姆 | |||||||||||||||||
1N5806US/TR | 6.4650 | ![]() | 6789 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N5806 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 148 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 150 v | 975 MV @ 2.5 A | 25 ns | 1 µA @ 150 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V,1MHz | ||||||||||||||||
JANTXV1N6350C | 37.5300 | ![]() | 9427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6350C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4731AE3/TR13 | 0.4350 | ![]() | 5701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ4731 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5253BUR-1 | 2.8650 | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N5253 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 19 V | 25 v | 35欧姆 | |||||||||||||||||
JAN1N55330B-1 | 5.5200 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N5530 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.1 V | 10 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N5188 | 14.5950 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/297 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | B,轴向 | 1N5188 | 标准 | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.5 V @ 9 A | 2 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||
JANTXV1N4620-1 | - | ![]() | 6017 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/435 | 大部分 | 在sic中停产 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3.5 µA @ 1.5 V | 3.3 v | 1650年 | ||||||||||||||||||
![]() | JANTX2N3507L | 14.1113 | ![]() | 7421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/349 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 2N3507 | 1 w | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 V | 3 a | - | NPN | 1.5V @ 250mA,2.5a | 30 @ 1.5A,2V | - | ||||||||||||||
![]() | SD41 | 69.7950 | ![]() | 9035 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 底盘,螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | SD41 | 肖特基 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | SD41-NDR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 35 v | 680 mv @ 30 a | 1.5 ma @ 35 V | 30a | - | ||||||||||||||||
![]() | CDLL3155A | 15.4800 | ![]() | 3894 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±4.7% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | CDLL3155 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 5.5 V | 8.4 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||||
1N5525C | 11.3550 | ![]() | 8056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-1N5525C | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 5 V | 6.2 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | JANTXV2N6300 | 39.5675 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/539 | 大部分 | 积极的 | -55°C 200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 2N6300 | 75 w | TO-66(TO-213AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 8 a | 500µA(ICBO) | npn-达灵顿 | 3V @ 80mA,8a | 750 @ 4A,3V | - | ||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3346RB | - | ![]() | 9135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/358 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 50 W | do-5 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 114 V | 150 v | 75欧姆 | ||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N55330DUR-1/TR | 42.4536 | ![]() | 5324 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±1% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N55330DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 9.1 V | 10 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | 2N2907AUBC/tr | 28.8750 | ![]() | 8848 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,没有铅 | 500兆 | UBC | - | 到达不受影响 | 150-2N2907AUBC/tr | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | - | ||||||||||||||||
![]() | JANTXV1N3025CUR-1/TR | 40.4985 | ![]() | 5998 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N3025CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | R3560pf | 62.1000 | ![]() | 1626年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | R35 | 大部分 | 积极的 | 按适合 | DO-208AA | R3560 | 标准,反极性 | do-21 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.25 V @ 200 A | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||||||||||||||
![]() | Jan1n3824a-1/tr | 6.1446 | ![]() | 7075 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N3824A-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | |||||||||||||||||
![]() | R35160 | 36.6600 | ![]() | 9001 | 0.00000000 | 微芯片技术 | R35 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | R35160 | 标准,反极性 | DO-203AB(DO-5) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1600 v | 1.25 V @ 200 A | 25 µA @ 1600 V | -65°C 〜200°C | 70a | - | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N750AR-1/TR | 4.3092 | ![]() | 7617 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C 〜175°C(TA) | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-JANTX1N750AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 1.5 V | 4.7 v | 15欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N3827AUR-1 | 15.9000 | ![]() | 3920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3827 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 3 µA @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N3821AUR-1 | 15.9000 | ![]() | 4460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB,MELF(MELF)) | 1N3821 | 1 w | DO-213AB(梅尔,LL41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||
JANS1N4478US/TR | 93.6000 | ![]() | 8109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 到达不受影响 | 150-JANS1N4478US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 28.8 V | 36 V | 27欧姆 | |||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N5552U | 10.5600 | ![]() | 4084 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/420 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 1N5552 | 标准 | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.2 V @ 9 A | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 5a | - | ||||||||||||||
CDLL5913C | 7.8450 | ![]() | 2813 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5913 | 1.25 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||
Janhca1n5541c | - | ![]() | 8977 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JANHCA1N5541C | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 19.8 V | 22 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||||
1月1N6625 | 11.2950 | ![]() | 2873 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | a,轴向 | 1N6625 | 标准 | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.75 V @ 1 A | 30 ns | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | - | |||||||||||||||
![]() | 1 PMT4625E3/TR7 | 0.4950 | ![]() | 4976 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMite® | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午4625 | 1 w | do-216 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | ||||||||||||||||
![]() | JANTX1N6630 | 15.1350 | ![]() | 1371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/590 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | E,轴向 | 标准 | E,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 900 v | 1.7 V @ 3 A | 50 ns | 2 µA @ 990 V | -65°C〜175°C | 3a | 40pf @ 10V,1MHz |
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