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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N6340US/TR	18.2400	RFQ	4278	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-				150-JANTX1N6340US/TR	Ear99	8541.10.0050	100														1.4 V @ 1 A	50 na @ 36 V							47 V	75欧姆
SMAJ5935E3/TR13	0.6450	RFQ	2271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5935		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 20.6 V							27 V	23欧姆
1 PMT5954CE3/TR7	0.7350	RFQ	7902	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 121.6 V							160 v	700欧姆
CD755D	-	RFQ	6672	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD755D	Ear99	8541.10.0050	223														1.5 V @ 200 ma	2 µA @ 5 V							7.5 v	6欧姆
2N3440U4	180.0421	RFQ	5032	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3440		5 w	U4	下载			到达不受影响	2N3440U4MS	Ear99	8541.29.0095	1																			250 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
CDLL5244A	2.8650	RFQ	3302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5244		10兆	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	100 na @ 10 V							14 V	15欧姆
JANTXV1N4372AUR-1/TR	9.2302	RFQ	2191	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4372AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	30 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
APT1001RSVRG	15.1400	RFQ	4891	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT1001	MOSFET （金属 o化物）		D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	11A（TC）		1ohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V		3660 pf @ 25 V	-
JANTX1N3021CUR-1	37.3500	RFQ	1165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	10 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
1N5077SM	27.0900	RFQ	3813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-			到达不受影响	150-1N5077SM	Ear99	8541.10.0050	1															1 µA @ 22.8 V							30 V	15欧姆
1月1N976BUR-1/TR	4.0831	RFQ	7614	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N976BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 33 V							43 V	93欧姆
JANTXV1N4125CUR-1	28.8000	RFQ	7311	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4125		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	10 na @ 35.8 V							47 V	250欧姆
JANTX1N3338B	-	RFQ	4257	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 10 A	10 µA @ 62.2 V							82 v	11欧姆
JANKCDP2N5152	-	RFQ	7389	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANKCDP2N5152			100																			80 V	2 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
Janhca1n4125c	-	RFQ	2918	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-Janhca1n4125c	Ear99	8541.10.0050	100														1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 35.75 V							47 V	250欧姆
1N5990B	2.0700	RFQ	3800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5990		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1N5990BMS	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 1 V							3.9 v	90欧姆
CD4709	2.3408	RFQ	1765年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD4709	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	10 na @ 18.2 V							24 V
APT5024Bllg	8.2500	RFQ	3355	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT5024	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	22a（TC）	10V	240mohm @ 11a，10v	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1900 pf @ 25 V	-	265W（TC）
1N486B	4.8300	RFQ	1088	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N486	标准		DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N486BMS	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												250 v	1 V @ 100 ma	1 µA @ 250 V	-65°C〜175°C	200mA	-
JANTX1N982B-1	4.4850	RFQ	2268	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 56 V							75 v	270欧姆
JAN2N6306	50.4203	RFQ	8279	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/498	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6306		125 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																			250 v	8 a	50µA			NPN	5V @ 2a，8a	15 @ 3a，5v	-
1N6031B-1	2.7750	RFQ	2078	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N6031B-1	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	100 NA @ 152 V							200 v	2000年
APT12080LVRG	24.8500	RFQ	2	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT12080	MOSFET （金属 o化物）		TO-264（L）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT12080LVRG	Ear99	8541.29.0095	25		n通道	1200 v	16A（TC）	10V	800mohm @ 8a，10v	4V @ 2.5mA	485 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	520W（TC）
JANS1N4108CUR-1	97.9650	RFQ	1932年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	50 NA @ 10.7 V							14 V	200欧姆
CDLL4474/tr	10.3341	RFQ	6812	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1.5 w	do-213ab	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4474/tr	Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	50 na @ 19.2 V							24 V	16欧姆
CDLL1W110	7.0050	RFQ	4000	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL1W110			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	100 na @ 83.6 V							110 v	450欧姆
JAN1N747CUR-1	11.3850	RFQ	8814	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N747		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
SMBJ5937AE3/TR13	0.8850	RFQ	4530	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5937		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma	1 µA @ 25.1 V							33 V	33欧姆
1N5526C	11.3550	RFQ	8039	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5526C	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	1 µA @ 6.2 V							6.8 v	30欧姆
JAN1N3826D-1/TR	19.4047	RFQ	8018	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3826D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²