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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
apt20m20jll	30.8600	RFQ	5246	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M20	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	104a（TC）		20mohm @ 52a，10v	5V @ 2.5mA	110 NC @ 10 V		6850 pf @ 25 V	-
JANTX2N6675	154.0672	RFQ	4256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/537	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			6 W	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											400 v	1 MA	1ma			NPN	5V @ 5a，15a	8 @ 10a，2v	-
GA201A	71.4210	RFQ	2390	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C〜150°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				TO-18	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			5 ma											100 v	750 mv	-	200 µA	1.5 v	6 a	100 NA	标准恢复
JANTX2N4931	-	RFQ	7193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											250 v	200 ma	250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
CDLL7050	68.1450	RFQ	2783	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDLL70				-			到达不受影响	150-CDLL7050			1
apt10035llg	32.4904	RFQ	7508	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10035	MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	28a（TC）	10V	350MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	186 NC @ 10 V	±30V	5185 pf @ 25 V	-	690W（TC）
VN2460N3-G-P003	1.2200	RFQ	9939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN2460	MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		600 v	160mA（TJ）	4.5V，10V	20ohm @ 100mA，10v	4V @ 2mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（ta）
DN3525N8-G	0.8800	RFQ	5888	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3525	MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		250 v	360ma（tj）	0V	6ohm @ 200ma，0v	-		±20V	350 pf @ 25 V	耗尽模式	1.6W（TA）
apt10090bllg	16.8200	RFQ	223	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT10090	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	950MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	298W（TC）
apt10021jll	99.2310	RFQ	6280	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10021	MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	37A（TC）	10V	210MOHM @ 18.5A，10V	5V @ 5mA	395 NC @ 10 V	±30V	9750 PF @ 25 V	-	694W（TC）
2N6226	36.6681	RFQ	6605	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											100 v	50 a	-			PNP	-	-	-
JAN2N3440UA	101.2529	RFQ	3523	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			800兆	UA	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											250 v	2 µA	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2N5794	37.4794	RFQ	2843	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N579		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响	2N5794MS	Ear99	8541.21.0095	1																											40V	600mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N1715	-	RFQ	4107	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																											100 v	750 MA	-			NPN	-	-	-
JANTXV2N5794U	153.9408	RFQ	4790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/495	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-SMD，没有铅	2N5794		600MW	6-SMD	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											40V	600mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	900mv @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N3716	53.5192	RFQ	6485	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/408	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N3716		5 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	10 a	1ma			NPN	2.5V @ 2a，10a	30 @ 3a，2v	-
JANTXV2N4261	-	RFQ	7164	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/511	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-72-3金属罐	2N4261		200兆	到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											15 v	30 ma	10µA（ICBO）			PNP	350mv @ 1mA，10mA	30 @ 10mA，1V	-
JANTXV1N4618C-1/TR	13.2335	RFQ	3729	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4618C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma	500 na @ 1 V						2.7 v	1500欧姆
2N907AE4	30.5700	RFQ	1233	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-2N907AE4			1
JANSR2N2218A	114.6304	RFQ	3781	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2218		800 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX1N6857-1	-	RFQ	9714	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																					20 v	350 mv @ 1 mA	150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA
JANTXV2N6301	39.5675	RFQ	6984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/539	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N6301		75 w	到66	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	8 a	500µA			pnp-达灵顿	3V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
JAN2N6676	136.0058	RFQ	9541	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/538	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6676		6 W	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											300 v	15 a	1ma			NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
2N1700	43.4644	RFQ	4741	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N1700				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N2481	6.0249	RFQ	2871	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N2481				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N5238	22.8893	RFQ	5006	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/394	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5238		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											170 v	10 a	10µA			NPN	2.5V @ 1a，10a	40 @ 5A，5V	-
JAN2N3507U4	-	RFQ	2878	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											50 V	1 µA	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
JANTXV2N918UB	29.3265	RFQ	5341	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N918		200兆	UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																											15 v	50 mA	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
2N6230	39.3148	RFQ	7325	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6230				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTXV2N3634L	14.3906	RFQ	6813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3634		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²