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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压-收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N5225BUR-1 | 2.8650 | ![]() | 2874 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | do-213aa | 1N5225 | 500兆 | do-213aa | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n3289r | - | ![]() | 2680 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/246 | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-205aa,do-8,螺柱 | 标准 | DO-205AA(DO-8) | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.55 V @ 310 A | 10 mA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 100a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
Jan1n6325d | 24.7800 | ![]() | 3239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/533 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N6325D | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 1 µA @ 8.5 V | 11 V | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N2274 | 74.5200 | ![]() | 5110 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203ab,do-5,螺柱 | 标准 | DO-5(do-203ab) | 下载 | 到达不受影响 | 150-1N2274 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 200 v | 1.19 V @ 90 A | 5 µs | 10 µA @ 200 V | -65°C 〜200°C | 6a | - | |||||||||||||||||||||||||||
CDLL5519A | 6.4800 | ![]() | 6575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±10% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CDLL5519 | 500兆 | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 900 mV | 3.6 v | 24欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5355B/TR8 | 2.6850 | ![]() | 3018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5355 | 5 w | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13 V | 18 V | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ5919C/TR13 | 2.0850 | ![]() | 5837 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ5919 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
JANTX1N981D-1 | 11.1900 | ![]() | 6627 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/117 | 大部分 | 积极的 | ±1% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N981 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 52 V | 68 v | 230欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N6545 | 12.1200 | ![]() | 1081 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | 1N6545 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1月1N6642 | 6.7800 | ![]() | 8908 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/578 | 大部分 | 积极的 | 通过洞 | D,轴向 | 1N6642 | 标准 | D-5D | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1.2 V @ 100 ma | 5 ns | 500 NA @ 75 V | -65°C〜175°C | 300mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1 PMT5939BE3/TR13 | 0.7350 | ![]() | 6510 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | do-216aa | 下午1点 | 3 W | do-216aa | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 29.7 V | 39 v | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5828 | 46.1100 | ![]() | 6532 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 螺柱坐骑 | do-203AA,do-4,螺柱 | 肖特基 | DO-203AA(DO-4) | - | 到达不受影响 | 1N5828MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 870 mv @ 40 a | 10 ma @ 20 V | -55°C〜150°C | 15a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N2837B | - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/114 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | to-204ad | 1N2837 | 50 W | TO-204AD(TO-3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 69.2 V | 91 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5353AE3/TR8 | 2.6250 | ![]() | 8979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±10% | -65°C〜150°C | 通过洞 | T-18,轴向 | 1N5353 | 5 w | T-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 11.5 V | 16 V | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N5528CUR-1/TR | 33.6357 | ![]() | 4392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/437 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±2% | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AA() | 500兆 | do-213aa | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5528CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 500 NA @ 7.5 V | 8.2 v | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N6491/TR | - | ![]() | 7436 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6491/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5339T3 | 164.9700 | ![]() | 1300 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜200°C | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 1 w | TO-39((TO-205AD) | - | 到达不受影响 | 150-2N5339T3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 5 a | 100µA | NPN | 1.2V @ 500mA,5a | 60 @ 2a,2v | - | ||||||||||||||||||||||||||||
JANTX1N753A-1 | 2.3850 | ![]() | 4489 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/127 | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N753 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 v | 3欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5104 | 23.4000 | ![]() | 8749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 通过洞 | 轴向 | 3 W | 轴向 | - | 到达不受影响 | 150-1N5104 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 µA @ 152 V | 200 v | 950欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
JANTXV1N6625US | 20.9100 | ![]() | 2381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/585 | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1N6625 | 标准 | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1100 v | 1.75 V @ 1 A | 60 ns | 1 µA @ 1100 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jan1n4462us/tr | 10.6050 | ![]() | 9049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | SQ-MELF,a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4462US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 2.5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HSM160JE3/TR13 | 0.7500 | ![]() | 6387 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214BA | HSM160 | 肖特基 | DO-214BA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 690 mv @ 1 a | 100 µA @ 60 V | -55°C 〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||
JANTXV1N3031C-1 | 38.0400 | ![]() | 8845 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 大部分 | 积极的 | ±2% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1N3031 | 1 w | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 22.8 V | 30 V | 40欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4929/tr | 31.6800 | ![]() | 6761 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -25°C〜100°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N4929/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 19.2 v | 36欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
1N6329 | 8.4150 | ![]() | 7231 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 1N6329 | 500兆 | DO-35(do-204AH) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 12 V | 16 V | 12欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
apt10035llg | 32.4904 | ![]() | 7508 | 0.00000000 | 微芯片技术 | PowerMos7® | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-264-3,TO-264AA | APT10035 | MOSFET (金属 o化物) | TO-264 [L] | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 1000 v | 28a(TC) | 10V | 350MOHM @ 14A,10V | 5V @ 2.5mA | 186 NC @ 10 V | ±30V | 5185 pf @ 25 V | - | 690W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CDLL6000 | 2.7150 | ![]() | 5278 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | CDLL6000 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4736A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 1205 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | DO-214AA,SMB | SMBJ4736 | 2 w | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 4 V | 6.8 v | 3.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANTX1N3036B-1/TR | 9.0573 | ![]() | 7658 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -55°C 〜175°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N3036B-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 35.8 V | 47 V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
1N4750AR | 3.4650 | ![]() | 9250 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1N4750 | 1 w | do-213ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 35欧姆 |
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