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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2n6989u	59.3712	RFQ	2691	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C	表面安装	20-CLCC	2N6989			1W	20-CLCC（8.89x8.89）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2n6989um	Ear99	8541.29.0095	1																																	50V	800mA		10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N5153U3	153.6682	RFQ	9972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				1.16 w	U3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																	80 V	1 MA		1ma			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N6277	110.0176	RFQ	3541	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6277			250 w	TO-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																	150 v	50 a		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	50 @ 1A，4V	-
JANTXV2N6274	247.9918	RFQ	9654	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/514	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				250 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																	100 v	50 µA		50µA			NPN	3V @ 10a，50a	30 @ 20a，4v	-
JANTXV2N2919U	57.4693	RFQ	8979	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的			200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2919			350MW	3-SMD	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																																	60V	30mA		10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
APT12M80B	4.6550	RFQ	3904	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT12M80		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					800 v	13A（TC）	10V	800MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2470 pf @ 25 V	-	335W（TC）
APT19M120J	47.3100	RFQ	9859	微芯片技术	Power MOS 8™	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT19M120		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1200 v	19a（tc）	10V	530mohm @ 14a，10v	5V @ 2.5mA	300 NC @ 10 V	±30V	9670 pf @ 25 V	-	545W（TC）
APTM50AM19FG	302.5800	RFQ	3654	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM50		MOSFET （金属 o化物）	1136W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							500V	163a		22.5MOHM @ 81.5A，10V	5V @ 10mA	492NC @ 10V		22400pf @ 25V	-
ARF1500	310.7600	RFQ	103	微芯片技术	-	盒子	积极的		500 v			T-1	ARF1500	27.12MHz	MOSFET		T-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	ARF1500MS	3A991A2	8542.31.0001	1	n通道			60a		750W	19db																			-									125 v
APT10M11LVRG	39.8500	RFQ	28	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10M11		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（L）	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-APT10M11LVRG	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	100A（TC）	10V	11mohm @ 50a，10v	4V @ 2.5mA	450 NC @ 10 V	±30V	10300 PF @ 25 V	-	520W（TC）
CDLL5519C/TR	13.5300	RFQ	8719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa				500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5519C/TR	Ear99	8541.10.0050	100																														1.1 V @ 200 ma	3 µA @ 1 V						3.6 v	24欧姆
apt10026jfll	99.4100	RFQ	4769	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT10026		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	30A（TC）		260mohm @ 15a，10v	5V @ 5mA	267 NC @ 10 V		7114 PF @ 25 V	-
APT7M120B	5.7100	RFQ	1067	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT7M120		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1200 v	8A（TC）	10V	2.5OHM @ 3A，10V	5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	2565 PF @ 25 V	-	335W（TC）
1月1N4627-1	3.7500	RFQ	6426	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4627			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																														1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 5 V						6.2 v	1200欧姆
APTM10AM02FG	346.5000	RFQ	7390	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM10		MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							100V	495a		2.5MOHM @ 200a，10v	4V @ 10mA	1360NC @ 10V		40000pf @ 25V	-
APTM120A20DG	309.5600	RFQ	9790	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM120		MOSFET （金属 o化物）	1250W	SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（半桥）							1200V（1.2kV）	50a		240mohm @ 25a，10v	5V @ 6mA	600NC @ 10V		15200pf @ 25V	-
APT8014L2LLG	48.2204	RFQ	9076	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT8014		MOSFET （金属 o化物）		264 MAX™[L2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					800 v	52A（TC）		140MOHM @ 26a，10v	5V @ 5mA	285 NC @ 10 V		7238 PF @ 25 V	-
APT34N80LC3G	10.7600	RFQ	8135	微芯片技术	-	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT34N80		MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					800 v	34A（TC）	10V	145mohm @ 22a，10v	3.9V @ 2mA	355 NC @ 10 V	±20V	4510 PF @ 25 V	-	417W（TC）
ST3040D	63.3000	RFQ	5549	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	TO-204AA，TO-3	ST3040		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST3040D	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io）																									1对系列连接	400 v	15a	1.2 V @ 15 A	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C
APT10078BFLLG	21.7200	RFQ	6644	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				通过洞	TO-247-3	APT10078		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	14A（TC）		780MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	95 NC @ 10 V		2525 PF @ 25 V	-
TN0104N8-G	1.4300	RFQ	1837年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	TN0104		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					40 V	630ma（tj）	3V，10V	2ohm @ 1a，10v	1.6V @ 500µA		±20V	70 pf @ 20 V	-	1.6W（TC）
apt20m20jll	30.8600	RFQ	5246	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的				底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT20M20		MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					200 v	104a（TC）		20mohm @ 52a，10v	5V @ 2.5mA	110 NC @ 10 V		6850 pf @ 25 V	-
JANTX2N6675	154.0672	RFQ	4256	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/537	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				6 W	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																	400 v	1 MA		1ma			NPN	5V @ 5a，15a	8 @ 10a，2v	-
GA201A	71.4210	RFQ	2390	微芯片技术	-	大部分	积极的			-65°C〜150°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3					TO-18	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					5 ma													100 v	750 mv	-	200 µA	1.5 v	6 a	100 NA	标准恢复
JANTX2N4931	-	RFQ	7193	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/397	大部分	积极的			-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																	250 v	200 ma		250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
CDLL7050	68.1450	RFQ	2783	微芯片技术	*	大部分	积极的						CDLL70					-			到达不受影响	150-CDLL7050			1
apt10035llg	32.4904	RFQ	7508	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT10035		MOSFET （金属 o化物）		TO-264 [L]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	28a（TC）	10V	350MOHM @ 14A，10V	5V @ 2.5mA	186 NC @ 10 V	±30V	5185 pf @ 25 V	-	690W（TC）
VN2460N3-G-P003	1.2200	RFQ	9939	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	VN2460		MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					600 v	160mA（TJ）	4.5V，10V	20ohm @ 100mA，10v	4V @ 2mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	1W（ta）
DN3525N8-G	0.8800	RFQ	5888	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	DN3525		MOSFET （金属 o化物）		TO-243AA（SOT-89）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					250 v	360ma（tj）	0V	6ohm @ 200ma，0v	-		±20V	350 pf @ 25 V	耗尽模式	1.6W（TA）
apt10090bllg	16.8200	RFQ	223	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT10090		MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	12A（TC）	10V	950MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	298W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²