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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
1N5225BUR-1 Microchip Technology 1N5225BUR-1 2.8650
RFQ
ECAD 2874 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa 1N5225 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 µA @ 1 V 3 V 29欧姆
JAN1N3289R Microchip Technology Jan1n3289r -
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/246 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-205aa,do-8,螺柱 标准 DO-205AA(DO-8) - 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.55 V @ 310 A 10 mA @ 200 V -65°C 〜200°C 100a -
JAN1N6325D Microchip Technology Jan1n6325d 24.7800
RFQ
ECAD 3239 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±1% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 DO-35(do-204AH) - 到达不受影响 150-JAN1N6325D Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 8.5 V 11 V 7欧姆
1N2274 Microchip Technology 1N2274 74.5200
RFQ
ECAD 5110 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 标准 DO-5(do-203ab) 下载 到达不受影响 150-1N2274 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.19 V @ 90 A 5 µs 10 µA @ 200 V -65°C 〜200°C 6a -
CDLL5519A Microchip Technology CDLL5519A 6.4800
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±10% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf CDLL5519 500兆 do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 900 mV 3.6 v 24欧姆
1N5355B/TR8 Microchip Technology 1N5355B/TR8 2.6850
RFQ
ECAD 3018 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5355 5 w T-18 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 500 NA @ 13 V 18 V 2.5欧姆
SMBJ5919C/TR13 Microchip Technology SMBJ5919C/TR13 2.0850
RFQ
ECAD 5837 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ5919 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 v 2欧姆
JANTX1N981D-1 Microchip Technology JANTX1N981D-1 11.1900
RFQ
ECAD 6627 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±1% -55°C 〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N981 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 52 V 68 v 230欧姆
1N6545 Microchip Technology 1N6545 12.1200
RFQ
ECAD 1081 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 1N6545 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1
JAN1N6642 Microchip Technology 1月1N6642 6.7800
RFQ
ECAD 8908 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/578 大部分 积极的 通过洞 D,轴向 1N6642 标准 D-5D 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 75 v 1.2 V @ 100 ma 5 ns 500 NA @ 75 V -65°C〜175°C 300mA 5pf @ 0v,1MHz
1PMT5939BE3/TR13 Microchip Technology 1 PMT5939BE3/TR13 0.7350
RFQ
ECAD 6510 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 do-216aa 下午1点 3 W do-216aa 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 29.7 V 39 v 45欧姆
1N5828 Microchip Technology 1N5828 46.1100
RFQ
ECAD 6532 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 肖特基 DO-203AA(DO-4) - 到达不受影响 1N5828MS Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 870 mv @ 40 a 10 ma @ 20 V -55°C〜150°C 15a -
JANTX1N2837B Microchip Technology JANTX1N2837B -
RFQ
ECAD 7346 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N2837 50 W TO-204AD(TO-3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 69.2 V 91 v 15欧姆
1N5353AE3/TR8 Microchip Technology 1N5353AE3/TR8 2.6250
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 通过洞 T-18,轴向 1N5353 5 w T-18 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 11.5 V 16 V 2.5欧姆
JANTX1N5528CUR-1/TR Microchip Technology JANTX1N5528CUR-1/TR 33.6357
RFQ
ECAD 4392 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/437 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AA() 500兆 do-213aa - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5528CUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 7.5 V 8.2 v 40欧姆
JANTX1N6491/TR Microchip Technology JANTX1N6491/TR -
RFQ
ECAD 7436 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N6491/TR Ear99 8541.10.0050 1
2N5339T3 Microchip Technology 2N5339T3 164.9700
RFQ
ECAD 1300 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜200°C 通过洞 到205AD,TO-39-3 1 w TO-39((TO-205AD) - 到达不受影响 150-2N5339T3 Ear99 8541.29.0095 1 100 v 5 a 100µA NPN 1.2V @ 500mA,5a 60 @ 2a,2v -
JANTX1N753A-1 Microchip Technology JANTX1N753A-1 2.3850
RFQ
ECAD 4489 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N753 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
1N5104 Microchip Technology 1N5104 23.4000
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 轴向 3 W 轴向 - 到达不受影响 150-1N5104 Ear99 8541.10.0050 1 1 µA @ 152 V 200 v 950欧姆
JANTXV1N6625US Microchip Technology JANTXV1N6625US 20.9100
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/585 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF,a 1N6625 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1100 v 1.75 V @ 1 A 60 ns 1 µA @ 1100 V -65°C〜150°C 1a -
JAN1N4462US/TR Microchip Technology Jan1n4462us/tr 10.6050
RFQ
ECAD 9049 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 SQ-MELF,a 1.5 w D-5A - 150-JAN1N4462US/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 1 µA @ 4.5 V 7.5 v 2.5欧姆
HSM160JE3/TR13 Microchip Technology HSM160JE3/TR13 0.7500
RFQ
ECAD 6387 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214BA HSM160 肖特基 DO-214BA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 690 mv @ 1 a 100 µA @ 60 V -55°C 〜175°C 1a -
JANTXV1N3031C-1 Microchip Technology JANTXV1N3031C-1 38.0400
RFQ
ECAD 8845 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 大部分 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N3031 1 w do-41 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 22.8 V 30 V 40欧姆
1N4929/TR Microchip Technology 1N4929/tr 31.6800
RFQ
ECAD 6761 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -25°C〜100°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 500兆 do-35 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N4929/tr Ear99 8541.10.0050 1 19.2 v 36欧姆
1N6329 Microchip Technology 1N6329 8.4150
RFQ
ECAD 7231 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N6329 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 12 V 16 V 12欧姆
APT10035LLLG Microchip Technology apt10035llg 32.4904
RFQ
ECAD 7508 0.00000000 微芯片技术 PowerMos7® 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA APT10035 MOSFET (金属 o化物) TO-264 [L] 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1000 v 28a(TC) 10V 350MOHM @ 14A,10V 5V @ 2.5mA 186 NC @ 10 V ±30V 5185 pf @ 25 V - 690W(TC)
CDLL6000 Microchip Technology CDLL6000 2.7150
RFQ
ECAD 5278 0.00000000 微芯片技术 * 大部分 积极的 CDLL6000 - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1
SMBJ4736A/TR13 Microchip Technology SMBJ4736A/TR13 0.8850
RFQ
ECAD 1205 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBJ4736 2 w SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
JANTX1N3036B-1/TR Microchip Technology JANTX1N3036B-1/TR 9.0573
RFQ
ECAD 7658 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/115 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1 w do-41 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N3036B-1/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 35.8 V 47 V 80欧姆
1N4750AUR Microchip Technology 1N4750AR 3.4650
RFQ
ECAD 9250 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5% -65°C〜175°C 表面安装 do-213ab,Melf 1N4750 1 w do-213ab 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 20.6 V 27 V 35欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库