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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV1N6337CUS/TR | 57.2550 |  | 6584 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTXV1N6337CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 27 V | 36 V | 50欧姆 | ||||||||||||||||
 | Jan1n989dur-1/tr | - | | 3008 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | 下载 | 150-JAN1N989DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 114 V | 150 v | 1500欧姆 | ||||||||||||||||
| JANTXV1N4477CUS/TR | 45.2850 | | 6318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4477CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 26.4 V | 33 V | 25欧姆 | ||||||||||||||||
| cds749aur-1/tr | - | | 4990 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 150-CDS749AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
 | JANS1N6491US/TR | - | | 5515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANS1N6491US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 500 na @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||
| JANS1N6486CUS/TR | - | | 9269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANS1N6486CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||
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| JANTXV1N4956DUS/TR | 33.1950 | | 1544年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4956DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | ||||||||||||||||
| Jan1n4462us/tr | 10.6050 | | 9049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4462US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 2.5欧姆 | ||||||||||||||||
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| Jan1n4991dus/tr | 174.3750 | | 4212 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4991DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 182 V | 240 v | 650欧姆 | ||||||||||||||||
| JANTXV1N3051BUR-1/TR | - | | 7797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1.5 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 150-JANTXV1N3051BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 152 V | 200 v | 1500欧姆 | ||||||||||||||||
| JANTX1N4980DUS/TR | 30.9000 | | 7705 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4980DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 62.2 V | 82 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||
| JANS1N6339CUS/TR | 527.7150 | | 5498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANS1N6339CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 33 V | 43 V | 65欧姆 | ||||||||||||||||
| Jan1n6491us/tr | - | | 2868 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JAN1N6491US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 500 na @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||
 | JANTXV1N6332US/TR | 22.6800 | | 7440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTXV1N6332US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 17 V | 22 v | 20欧姆 | ||||||||||||||||
| Jan1n4484us/tr | 10.9650 | | 5096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4484US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 NA @ 49.6 V | 62 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||
| JANS1N3595AR-1/TR | 61.2900 | | 9708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/241 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 150-JANS1N3595AR-1/TR | 50 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 125 v | 920 MV @ 100 mA | 3 µs | 2 NA @ 125 V | -65°C〜175°C | 150mA | - | ||||||||||||||||
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| JANTX1N6327DUS/TR | 58.0500 | | 8592 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6327DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 9.9 V | 13 V | 8欧姆 | ||||||||||||||||
| JAN1N4460CUS/TR | 26.9100 | | 6539 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N444460CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 3.72 V | 6.2 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N4745ur/tr | 3.6150 | | 9226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | 150-1N4745ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | ||||||||||||||||
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 | JANTXV1N5969DUS/TR | - | | 2286 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 1N5969 | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTXV1N5969DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | 6.2 v | 1欧姆 | |||||||||||||||
 | JAN2N2946AUB/TR | - | | 4588 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/382 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 400兆 | UB | - | 150-JAN2N2946AUB/TR | 1 | 35 v | 100 ma | 10µA（ICBO） | PNP | - | 50 @ 1mA，500mv | - | ||||||||||||||||
 | JAN1N6488CUS/TR | - | | 2734 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JAN1N6488CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | ||||||||||||||||
| JAN1N6485DUS/TR | - | | 2871 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JAN1N6485DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.3 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||
| JANS1N6339DUS/TR | 527.7150 | | 2354 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANS1N6339DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 33 V | 43 V | 65欧姆 | ||||||||||||||||
| JANTX1N6637US/TR | - | | 1036 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTX1N6637US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 5.1 v | 1.5欧姆 |
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