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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
GA201AE3	70.9023	RFQ	6802	微芯片技术	-	包	积极的		-65°C〜150°C	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	GA201AE3			TO-18（（TO-206AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	GA201AE3MS	Ear99	8541.30.0080	1			5 ma											100 v	750 mv	-	200 µA	1.5 v	25 ma	100 NA	标准恢复
jankca1n5546c	-	RFQ	7416	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5546C	Ear99	8541.10.0050	100																							1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.7 V							33 V	100欧姆
JAN2N3506U4	-	RFQ	7316	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													40 V	1 µA	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
APT4F120K	-	RFQ	4519	微芯片技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	4A（TC）	10V	4.6OHM @ 2A，10V	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1385 PF @ 25 V	-	225W（TC）
2N5882	41.7354	RFQ	6033	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5882				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANTX1N6677-1/TR	-	RFQ	6027	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		肖特基		do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6677-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度																					40 V	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
JANTX2N2323S	-	RFQ	7551	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/276	大部分	过时的		-65°C〜125°C	通过洞	到205AD，TO-39-3				TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	100			2 ma											50 V	800 mv	-	200 µA		220 MA		敏感门
Jan2n1480	131.4040	RFQ	9414	微芯片技术	军事，MIL-S-19500/207	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													55 v	1.5 a	5µA（ICBO）			NPN	750mv @ 20mA，200mA	20 @ 200ma，4V	-
JAN1N3040DUR-1/TR	36.2558	RFQ	4026	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N3040DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																							1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 51.7 V							68 v	150欧姆
JANS2N2369AU	-	RFQ	8945	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	6-CLCC	2n2369a		500兆	6-LCC	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																													15 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	-
JANTXV1N6628/TR	19.5900	RFQ	9273	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/590	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	E，轴向		标准			-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N6628/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					660 v	1.35 V @ 2 A	30 ns	2 µA @ 660 V	-65°C〜150°C	1.75a	40pf @ 10V，1MHz
JAN2N3637	10.6134	RFQ	8135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3637		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
ST6060	78.9000	RFQ	2223	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-ST6060	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					600 v	1 V @ 30 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	20a	-
1月2N6989	41.8684	RFQ	4835	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/559	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	2N6989		1.5W	TO-116	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													50V	800mA	10µA（ICBO）			4 npn（Quad）	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSL2N2369AUA/TR	166.8512	RFQ	1274	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/317	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅	2n2369a		360兆w	UA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSL2N2N2N2369AUA/TR	Ear99	8541.21.0095	1																													15 v		400NA			NPN	450mv @ 10mA，100mA	20 @ 100mA，1V	-
JANTX2N2432UB	226.4724	RFQ	3831	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																													30 V	100 ma	-			NPN	-	-	-
JANS1N4493CUS	283.8300	RFQ	7268	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4493CUS	Ear99	8541.10.0050	1																							1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V							150 v	700欧姆
JANTX2N5660U3	-	RFQ	6970	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/454	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N5660		2 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													200 v	2 a	200NA			NPN	800mv @ 400mA，2a	40 @ 500mA，5V	-
CDLL4463	11.3550	RFQ	6489	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4463		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																							1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V							8.2 v	3欧姆
JAN2N3507A	12.1695	RFQ	2241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3507		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													50 V	3 a	-			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JAN2N5660U3	-	RFQ	9621	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/454	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N5660		2 w	U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													200 v	2 a	200NA			NPN	800mv @ 400mA，2a	40 @ 500mA，5V	-
JANTX2N5796A	120.3406	RFQ	9483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/496	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N5796		600MW	TO-78-6	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																													60V	600mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX2N2432AUB	226.4724	RFQ	4014	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅				UB	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																													30 V	100 ma	-			NPN	-	-	-
JANTXV2N1893S	30.2176	RFQ	1961年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/182	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N1893		3 W	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													80 V	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
1N4573ur-1/tr	18.7050	RFQ	6325	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载			到达不受影响	150-1N4573UR-1/tr	Ear99	8541.10.0050	100																									2 µA @ 3 V							6.4 v	100欧姆
CD5523B	2.0482	RFQ	7526	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD5523B	Ear99	8541.10.0050	1																							1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 2.5 V							5.1 v	26欧姆
JANS2N6193	95.9904	RFQ	3439	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/561	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N6193		1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													100 v	5 a	100µA			PNP	1.2V @ 500mA，5a	60 @ 2a，2v	-
2N6510	78.7200	RFQ	3086	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			120 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N6510	Ear99	8541.29.0095	1																													200 v	7 a	-			NPN	-	-	-
SMAJ4752AE3/TR13	0.6450	RFQ	4443	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ4752		2 w	DO-214AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500																							1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 25.1 V							33 V	45欧姆
JANTXV2N3725L	-	RFQ	1810	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																													50 V	500 MA	-			NPN	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²