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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CDLL5229C/TR	6.9150	RFQ	3060	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5229C/TR	Ear99	8541.10.0050	137																	1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							4.3 v	22欧姆
1N5937APE3/TR12	0.9150	RFQ	3182	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5937		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																	1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 25.1 V							33 V	33欧姆
1N2134	74.5200	RFQ	4968	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N2134	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													350 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 350 V	-65°C 〜200°C	70a	-
MSCSM170TLM23C3AG	415.3700	RFQ	5	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	602W（TC）	SP3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170TLM23C3AG	Ear99	8541.29.0095	1	（4 n 通道（三级逆变器）			1700V（（1.7kV）	124A（TC）		22.5mohm @ 60a，20v	3.2V @ 5mA	356nc @ 20v		6600pf @ 1000V	-
2N3630	509.6550	RFQ	7932	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			30 W	TO-61	-			到达不受影响	150-2N3630	Ear99	8541.29.0095	1																							40 V	5 a	-			PNP	-	-	-
JANTXV1N4108DUR-1/TR	32.0663	RFQ	6057	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4108DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 10.7 V							14 V	200欧姆
1N5922BPE3/TR12	0.9450	RFQ	7937	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5922		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																	1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6 V							7.5 v	3欧姆
JANTXV1N5536DUR-1/TR	55.0221	RFQ	9759	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5536DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V							16 V	100欧姆
CD753A	1.5162	RFQ	2652	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD753A	Ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V							6.2 v	7欧姆
CDLL3032B	15.3000	RFQ	1680年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3032		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 25.1 V							33 V	45欧姆
1N4619D	6.5700	RFQ	7677	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-			到达不受影响	150-1N4619D	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		800 na @ 1 V							3 V	1600欧姆
1N5340AE3/TR12	2.6250	RFQ	2786	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5340		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V							6 V	1欧姆
jankca1n4132	-	RFQ	6658	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Jankca1n4132	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		10 na @ 62.32 V							82 v	800欧姆
JANTXV1N6327DUS	71.3850	RFQ	8736	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6327DUS	Ear99	8541.10.0050	1																	1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V							13 V	8欧姆
JANTXV1N4482CUS	45.1350	RFQ	1213	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4482CUS	Ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V							51 v	60欧姆
JANTX1N5544B-1/TR	6.2111	RFQ	3062	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5544B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.2 V							28 V	100欧姆
1N1190R	74.5200	RFQ	3382	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N1190	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N1190RMS	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.4 V @ 110 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	35a	-
apt10090bllg	16.8200	RFQ	223	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT10090	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	1000 v	12A（TC）	10V	950MOHM @ 6A，10V	5V @ 1mA	71 NC @ 10 V	±30V	1969 pf @ 25 V	-	298W（TC）
Jan1n4553rb	-	RFQ	4187	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	1.5 V @ 10 A		20 µA @ 1 V							5.6 v	0.12欧姆
JANTXV1N3172R	-	RFQ	2728	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v		1.55 V @ 940 A		10 ma @ 800 V	-65°C 〜200°C	300A	-
2N3440U4	180.0421	RFQ	5032	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3440		5 w	U4	下载			到达不受影响	2N3440U4MS	Ear99	8541.29.0095	1																							250 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2N5157	52.0296	RFQ	1733年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w	TO-3	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							500 v	250 µA	250µA			NPN	2.5V @ 700mA，3.5a	30 @ 1A，5V	-
JANTX1N5620	5.9200	RFQ	25	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	1N5620	标准		a，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													800 v		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 800 V	-65°C 〜200°C	1a	-
JANTXV2N1893S	30.2176	RFQ	1961年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/182	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N1893		3 W	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							80 V	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	5V @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10v	-
SMBG5380CE3/TR13	1.4400	RFQ	8282	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-215AA，SMB海鸥翼	SMBG5380		5 w	SMBG（DO-215AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	1.2 V @ 1 A		500 NA @ 86.4 V							120 v	170欧姆
MBR3045CTE3/TU	-	RFQ	6434	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	MBR3045	肖特基		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	15a	700 MV @ 15 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
jankca1n4103	-	RFQ	9721	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	DO-7（do-204AA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4103	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.92 V							9.1 v	200欧姆
1N4926	84.7200	RFQ	6770	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-25°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4926		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																										19.2 v	75欧姆
JANTXV1N5524C-1/TR	20.8544	RFQ	8444	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5524C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																	1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
1N5188	-	RFQ	9914	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.5 V @ 9 A	250 ns	2 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²