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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） | （（（） | 电压 -限制（最大） |
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 | Jan1n6350us/tr | 16.0800 | | 5394 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | 150-JAN1N6350US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 | ||||||||||||
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| 1n6632us/tr | 14.7200 | | 2542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3欧姆 | |||||||||||||
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| 1N757AR-1/TR | 3.1800 | | 4995 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | Ear99 | 8541.10.0050 | 313 | 1.1 V @ 200 ma | 1 µA @ 7 V | 9.1 v | 6欧姆 | |||||||||||||
| 1N4686ur-1/tr | 5.2400 | | 3965 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | Ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 ma | 5 µA @ 2 V | 3.9 v | ||||||||||||||
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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