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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N4460	8.1150	RFQ	2501	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4460		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V							6.2 v	4欧姆
1N4733AE3/TR13	-	RFQ	5356	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4733		1 w	DO-204AL（DO-41）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
JANTX1N4117DUR-1	30.4050	RFQ	1227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4117		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
89100-03TXV	-	RFQ	6228	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																						-			-	-	-	-
1N5921BP/TR8	1.8900	RFQ	3083	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5921		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 5.2 V							6.8 v	2.5欧姆
UPR60E3/TR7	2.4400	RFQ	4709	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-216aa	UPR60	标准		Powermite	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.6 V @ 2 A	30 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	2a	-
CD759B	1.6950	RFQ	8083	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-			到达不受影响	150-CD759B	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 9 V							12 v	30欧姆
Jan1n4992dus	46.6950	RFQ	1346	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V							270 v	800欧姆
JANTXV1N3034CUR-1	46.1250	RFQ	5717	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±2％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3034		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V							39 v	60欧姆
JANTX1N7050UR-1/TR	10.9650	RFQ	6974	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N7050UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JAN2N2484UA	16.1861	RFQ	8236	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/376	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅	2N2484		360兆w	UA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	50 mA	2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	225 @ 10mA，5v	-
JANTX2N2222A	2.7300	RFQ	3434	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N2222		500兆	TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
SMAJ5920BE3/TR13	0.6450	RFQ	5134	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5920		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 4 V							6.2 v	2欧姆
1 PMT4112C/TR7	1.2450	RFQ	7566	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.37 V							18 V	100欧姆
MSASC25H15KV/TR	244.8750	RFQ	4276	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MSASC25H15KV/TR			1
1N6342US	14.6400	RFQ	1793年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b	1N6342		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V							56 v	100欧姆
1月1N965C-1	4.8600	RFQ	1523年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N965		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		500 na @ 11 V							15 v	16欧姆
Janhca1n5528d	-	RFQ	8570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5528d	Ear99	8541.10.0050	100														1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.5 V							8.2 v	40欧姆
CDLL3035	15.3000	RFQ	9169	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3035		1 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 32.7 V							43 V	70欧姆
1N5928AP/TR8	1.8600	RFQ	4149	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5928		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.9 V							13 V	7欧姆
1N938B-1/tr	8.9700	RFQ	6378	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N938B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100																							9 V	20欧姆
JANS1N4963US	92.9250	RFQ	9397	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		5 µA @ 12.2 V							16 V	3.5欧姆
JAN1N6633CUS	-	RFQ	3813	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V							3.6 v	2.5欧姆
1N5537BUR-1/TR	6.6600	RFQ	1365	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-1N5537BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	142														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.3 V							17 V	100欧姆
JANTX1N4617UR-1/TR	8.5652	RFQ	8645	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4617UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V							2.4 v	1400欧姆
CDLL5228B/TR	2.7132	RFQ	8996	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			10兆	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5228B/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							3.9 v	23欧姆
R20410	33.4500	RFQ	4006	微芯片技术	R204	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	R204	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												100 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	12a	-
MSC180SMA120SA	7.3200	RFQ	8313	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，DPAK （7条线索 +选项卡）	MSC180	sicfet （碳化硅）		D2PAK-7	-			到达不受影响	150-MSC180SMA120SA	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	21a（TC）	20V	225mohm @ 8a，20v	3.26V @ 500µA	34 NC @ 20 V	+23V，-10V	510 pf @ 1000 V	-	125W（TC）
1N6317US/TR	19.1254	RFQ	1489	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6317US/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V							5.1 v	14欧姆
UZ5890	32.2650	RFQ	2796	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5890	Ear99	8541.10.0050	1																5 µA @ 64.8 V							90 v	90欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²