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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
UFT3150D	63.7050	RFQ	4373	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-			到达不受影响	150-UFT3150D	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	500 v	30a	1.1 V @ 15 A	50 ns	15 µA @ 500 V	-65°C〜175°C
JANS1N5420U	70.4400	RFQ	7227	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.5 V @ 9 A	400 ns		-65°C〜175°C	3a	-
CDLL3019B/TR	13.0606	RFQ	7761	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf			1 w	do-213ab	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL3019B/TR	Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.9 V							9.1 v	5欧姆
CDLL4906/TR	60.5400	RFQ	1605	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4906/tr	Ear99	8541.10.0050	1																		15 µA @ 8 V							12.8 v	100欧姆
SMBJ5377C/TR13	2.1900	RFQ	3298	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5377		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 1 A		500 NA @ 65.5 V							91 v	75欧姆
Janhca1n5518c	-	RFQ	5667	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-Janhca1n5518c	Ear99	8541.10.0050	100																1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							3.3 v	26欧姆
S53120T	158.8200	RFQ	8299	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S53120T			1
APT5014SLLG	15.9500	RFQ	5598	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT5014	MOSFET （金属 o化物）		D3 [S]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	35A（TC）	10V	140MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±30V	3261 PF @ 25 V	-	403W（TC）
JANTXV2N2219AP	16.7447	RFQ	7074	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANTXV2N2219AP			1																						50 V	800 MA	10NA			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS1N5712UBCA	159.5850	RFQ	3869	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	大部分	积极的			表面安装	4-SMD，没有铅		肖特基		UB	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度													16 V		1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C		2pf @ 0v，1MHz
1N1342	45.3600	RFQ	6690	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1342	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.3 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	16a	-
CDS966BUR-1	-	RFQ	4991	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS966BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
APT60S20B2CTG	7.9700	RFQ	2656	微芯片技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3变体	APT60	肖特基		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	200 v	75a	900 mv @ 60 a	55 ns	1 mA @ 200 V	-55°C〜150°C
JANTXV1N3016B-1	-	RFQ	8003	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V							6.8 v	3.5欧姆
JANTX1N5814R	-	RFQ	8492	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/478	大部分	在sic中停产			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
Jan1n4969d	18.6750	RFQ	5110	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4969		5 w	E，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		2 µA @ 22.8 V							30 V	8欧姆
1N5273B	2.7664	RFQ	3811	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5273B	Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 200 ma		100 NA @ 91 V							120 v	900欧姆
JAN1N4371DUR-1	16.1250	RFQ	4549	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4371			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.1 V @ 200 ma		60 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
JANTX1N6765	-	RFQ	4924	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA（（TO-254AA））		标准		TO-254	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		1.05 V @ 12 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-	12a	300pf @ 5V，1MHz
JANTX1N3021DUR-1	46.6950	RFQ	1855年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3021		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 8.4 V							11 V	8欧姆
jankca1n4583a	-	RFQ	5850	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANKCA1N4583A	Ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3 V							6.4 v	25欧姆
1 PMT5936/TR7	2.2200	RFQ	3482	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V							30 V	28欧姆
2N5147	19.4400	RFQ	1223	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			7 W	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N5147	Ear99	8541.29.0095	1																						80 V	2 a	-			PNP	-	-	-
UES707	72.8700	RFQ	7347	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-US707			1
JANTXV1N3823D-1	36.1800	RFQ	6180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3823		1 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
JANTXV1N6343US	-	RFQ	3848	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.4 V @ 1 A		50 NA @ 47 V							62 v	125欧姆
JANS1N4460C	207.1050	RFQ	2935	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1.5 V @ 1 A		10 µA @ 3.72 V							6.2 v	4欧姆
UFR72100	101.8500	RFQ	3154	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-UFR72100	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		1.35 V @ 70 A	75 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	70a	150pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N4465C	30.7500	RFQ	8384	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																1 V @ 200 MA		300 na @ 8 V							10 v	5欧姆
2N4931U4	82.5000	RFQ	2664	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-			到达不受影响	150-2N4931U4	Ear99	8541.29.0095	1																						250 v	200 ma	250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²