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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N4123ur/tr	3.9400	RFQ	8746	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 29.65 V				39 v	200欧姆
1N4695ur-1/tr	5.2400	RFQ	8262	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma		1 µA @ 6.6 V				8.7 v
1N5927BUR-1/TR	4.2200	RFQ	4044	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	233			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 9.1 V				12 v	6.5欧姆
1N4532ur/tr	2.9000	RFQ	7869	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											345
1N4580AR-1/TR	5.5800	RFQ	8760	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	175					2 µA @ 3 V					25欧姆
1N3034BUR -1/tr	15.4500	RFQ	2877	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	100			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 29.7 V				39 v	60欧姆
1N5918BUR-1/TR	4.2200	RFQ	4222	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	233			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	4欧姆
1N6317DUS/TR	36.7400	RFQ	1131	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 2 V				5.1 v	14欧姆
1N6353US/TR	17.9600	RFQ	2200	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 122 V				160 v	1200欧姆
1N47633龙/tr	3.6200	RFQ	3379	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 69.2 V				91 v	250欧姆
1N646ur-1/tr	5.4400	RFQ	6624	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-213aa	标准		do-213aa			179	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1 V @ 400 MA		200 NA @ 300 V	-65°C〜175°C	400mA	-
1N5313ur-1/tr	21.9800	RFQ	6764	微芯片技术	MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	100											100V	4.73mA	2.75V
1N4756AUR/TR	3.6200	RFQ	9933	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	272			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V				47 V	80欧姆
1N4737ur-1/tr	3.8000	RFQ	5450	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	258			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 5 V				7.5 v	4欧姆
1N4712UR-1/TR	5.2400	RFQ	7397	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	186			1.5 V @ 100 ma		10 na @ 21.2 V				28 V
1N5923BUR-1/TR	4.2200	RFQ	9098	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	233			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 6.5 V				8.2 v	3.5欧姆
1N4131UR-1/tr	3.9400	RFQ	7162	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	249			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 57 V				75 v	700欧姆
1N6326DUS/TR	36.7400	RFQ	2607	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V				12 v	7欧姆
1N6346US/TR	14.7900	RFQ	7372	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V				82 v	220欧姆
1N4736ur/tr	3.8000	RFQ	3847	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	Ear99	8541.10.0050	258			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V				6.8 v	3.5欧姆
1N7055UR-1/tr	9.4500	RFQ	8061	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									Ear99	8541.10.0050	102
1N4104ur/tr	4.1200	RFQ	3310	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	237			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V				10 v	200欧姆
1N5536BUR-1/TR	6.6300	RFQ	6851	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	146			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 14.4 V				16 V	100欧姆
1N4148UB2R/TR	27.2400	RFQ	3212	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	2-SMD，没有铅	标准		UB2			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N6016BUR-1/TR	3.7400	RFQ	1494	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 36 V				47 V	170欧姆
1N6349US/TR	14.7900	RFQ	5885	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	Ear99	8541.10.0050	100			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 84 V				110 v	500欧姆
1N457AUR-1/TR	7.9200	RFQ	3799	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											122
1N3155UR-1/TR	15.6300	RFQ	2296	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±4.76％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	100					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N5995UR-1/tr	3.7400	RFQ	8192	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	264			1.1 V @ 200 ma						6.2 v
1N5227BUR-1/TR	3.0200	RFQ	1930年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	Ear99	8541.10.0050	329			1.1 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V				3.6 v	24欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²