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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1月2N1890	-	RFQ	7963	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/225	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			800兆	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																					80 V	500 MA	10NA（ICBO）			NPN	5V @ 15mA，150mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS1N5418US	70.4400	RFQ	1173	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/411	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												400 v	1.5 V @ 9 A	150 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	3a	-
UPS5819/TR13	0.6150	RFQ	3813	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	do-216aa	UPS5819	肖特基		Powermite	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	12,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												40 V	550 mv @ 1 a		1 mA @ 40 V	-55°C〜150°C	1a	-
JANTX1N3022B-1/TR	9.2435	RFQ	5337	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N3022B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
JANTX1N751DUR-1	16.9050	RFQ	4772	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa	1N751		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V							5.1 v	17欧姆
Jan1n5298ur-1	36.6900	RFQ	1595年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5298		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																														100V	1.21ma	1.4V
MSCSM170AM058CT6AG	996.4300	RFQ	1888年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块	MSCSM170	（SIC）	1.642kW（TC）	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170AM058CT6AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1700V（（1.7kV）	353A（TC）		7.5MOHM @ 180a，20v	3.3V @ 15mA	1068nc @ 20V		19800pf @ 1000V	-
1N5988	3.4050	RFQ	8475	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5988	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 500 mV							3.3 v	100欧姆
JANTXV1N4495DUS/TR	56.5650	RFQ	8316	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTXV1N444495DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100															1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V							180 v	1300欧姆
JANSM2N5154	95.9904	RFQ	4572	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-JANSM2N5154			1																					80 V	2 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
1N4742AUR	3.4650	RFQ	9484	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	1N4742		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
1N749D-1E3	5.5800	RFQ	6302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载			到达不受影响	150-1N749D-1E3	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V							4.3 v	22欧姆
JANTXV1N3823D-1/TR	32.2126	RFQ	9467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	do-41	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N3823D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1															1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V							3.9 v	9欧姆
1N1301	45.3600	RFQ	6859	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N1301	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												50 V	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 50 V	-65°C 〜200°C	37a	-
1N6843U3	259.3500	RFQ	6128	微芯片技术	-	大部分	积极的				表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		U3 （SMD-0.5）	-			到达不受影响	150-1N6843U3	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	1.2 V @ 100 ma		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	10a	-
APT66M60B2	19.5400	RFQ	9759	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3变体	APT66M60	MOSFET （金属 o化物）		T-MAX™[B2]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	600 v	70A（TC）	10V	100mohm @ 33a，10v	5V @ 2.5mA	330 NC @ 10 V	±30V	13190 pf @ 25 V	-	1135W（TC）
CDLL4624C	8.0850	RFQ	5324	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4624C	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V							4.7 v	1550年
JAN1N4955CUS	25.0800	RFQ	7787	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，E	1N4955		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 1 A		100 µA @ 5.7 V							7.5 v	1.5欧姆
1 PMT5926CE3/TR7	0.7350	RFQ	9605	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V							11 V	5.5欧姆
Jan1n6319us	12.8400	RFQ	4078	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6319		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.4 V @ 1 A		5 µA @ 3.5 V							6.2 v	3欧姆
1N5305	21.8550	RFQ	8035	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5305		500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5305	Ear99	8541.10.0070	1																														100V	2.2mA	1.85V
1N2978B	36.9900	RFQ	5095	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2978		10 W	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 2 A		10 µA @ 10.5 V							14 V	3欧姆
1n4744444aur/tr	3.7000	RFQ	8192	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	269															1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 11.4 V							15 v	14欧姆
JAN2N5665	26.9857	RFQ	2966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/455	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5665		2.5 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	5 a	200NA			NPN	1V @ 1a，5a	25 @ 1A，5V	-
JANSR2N2218	114.6304	RFQ	9165	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N2218		800兆	TO-39（（TO-205AD）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																					50 V	800 MA	10NA			NPN	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	-
1N973B-1	1.8354	RFQ	6055	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N973B-1	Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		500 na @ 25 V							33 V	58欧姆
MSR2N2369AUBC/TR	306.8310	RFQ	1309	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w	UBC	-			到达不受影响	150-MSR2N2369AUBC/tr			100																					15 v		400NA			NPN	250mv @ 3mA，30mA	40 @ 10mA，1V	-
BZV55C5V1	3.2850	RFQ	1250	微芯片技术	-	大部分	积极的	±6％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	BZV55C5V1			do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V							5.1 v
Jan2n2920a	30.6432	RFQ	9037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW	TO-78-6	-			到达不受影响	150-JAN2N2920A			1																					60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JANTX1N980B-1	3.0300	RFQ	5210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N980		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1															1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 47 V							62 v	185欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²