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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	scr	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JAN2N335LT2	-	RFQ	2608	微芯片技术	-	大部分	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																45 v	10 MA	-			NPN	-	-	-
2N3740A	30.8959	RFQ	2281	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3740		25 w	TO-66（TO-213AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																60 V	10 a	1µA			PNP	600mv @ 125mA，1a	40 @ 100mA，1V	3MHz
JAN2N3725L	-	RFQ	8121	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																50 V	500 MA	-			NPN	-	-	-
Jan1n4465c	16.7700	RFQ	6859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4465		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA	300 na @ 8 V				10 v	5欧姆
MCP87022T-U/MF	-	RFQ	4757	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	MCP87022	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,300	n通道	25 v	100A（TC）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	1.6V @ 250µA	29 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	2310 PF @ 12.5 V	-	2.2W（ta）
JANTX2N3810	18.8328	RFQ	4983	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																60V	50mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANS2N3439U4	-	RFQ	3596	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N3439				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N6420	27.0655	RFQ	3897	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			35 w	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																175 v	1 a	-			PNP	-	-	-
JANTXV2N5661	-	RFQ	4867	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/454	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N5661		2 w	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																300 v	2 a	200NA			NPN	800mv @ 400mA，2a	25 @ 500mA，5V	-
JANTX2N6059	70.3969	RFQ	6977	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/502	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N6059		150 w	TO-204AA（TO-3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																100 v	12 a	1ma			npn-达灵顿	3V @ 120mA，12a	1000 @ 6a，3v	-
JAN2N3485A	8.1662	RFQ	9542	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/392	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3485		400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N3486	9.0307	RFQ	1203	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N3486		400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																60 V	600 MA	10µA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N5872	63.9597	RFQ	9059	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N5872				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
2N5302	58.2407	RFQ	7341	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5302		5 w	TO-204AD（TO-3）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2N5302MS	Ear99	8541.29.0095	1																60 V	30 a	10µA			NPN	3V @ 6a，30a	15 @ 15a，2v	-
JANTXV2N5415UA	229.5810	RFQ	9709	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			750兆w	UA	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																200 v	50 µA	50µA			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
JANTX2N3725L	-	RFQ	9219	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1																50 V	500 MA	-			NPN	-	-	-
JANS2N4033UA	-	RFQ	6748	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆	UA	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																80 V	1 a	10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
JAN2N2219AL	8.9376	RFQ	9110	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/251	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N2219		800兆	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2N336T2	65.1035	RFQ	4892	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N336				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JAN2N3499L	12.5818	RFQ	9241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3499		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																100 v	500 MA	10µA（ICBO）			NPN	1.4V @ 30mA，300mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTXV2N5415	13.0606	RFQ	6404	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/485	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N5415		750兆w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																200 v	1 a	1ma			PNP	2V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
JAN2N3419S	16.5053	RFQ	5775	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/393	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2N3419		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																80 V	3 a	5µA			NPN	500mv @ 200mA，2a	20 @ 1a，2v	-
APT56M60L	15.8800	RFQ	1958年	微芯片技术	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT56M60	MOSFET （金属 o化物）		TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	n通道	600 v	60a（TC）	10V	130mohm @ 28a，10v	5V @ 2.5mA	280 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
JANTXV1N982CUR-1/TR	17.3166	RFQ	4456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N982CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 56 V				75 v	270欧姆
JAN2N6338	101.2529	RFQ	1483	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/509	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																100 v	50 µA	50µA			NPN	1.8V @ 2.5a，25a	30 @ 10a，2v	-
1N5274-1	3.0750	RFQ	4348	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5274-1	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 200 ma	100 NA @ 94 V				130 v	1100欧姆
2N6692	755.0400	RFQ	9094	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱				TO-61	-			到达不受影响	150-2N6692	Ear99	8541.30.0080	1												-	标准恢复
JANTX2N3507L	14.1113	RFQ	7421	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3507		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																50 V	3 a	-			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	30 @ 1.5A，2V	-
JANTX2N6648	115.7499	RFQ	4418	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/527	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			5 w	TO-204AA（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																40 V	10 a	1ma（iCBO）			pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
JANSR2N2906AUA	153.0910	RFQ	3402	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	表面安装	4-SMD，没有铅			500兆	UA	-			到达不受影响	150-JANSR2N2906AUA			1																60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²