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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1月1N4995	-	RFQ	2601	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.5 V @ 1 A		2 µA @ 274 V							360 v	1400欧姆
CDLL5299E3/tr	25.4850	RFQ	9153	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL52		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5299E3/tr	Ear99	8541.10.0050	1																											100V	1.32mA	1.45V
JANTXV1N6351C	37.5300	RFQ	4966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTXV1N6351C	Ear99	8541.10.0050	1												1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V							130 v	850欧姆
CDLL827AE3	10.4850	RFQ	1722年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±4.84％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL827AE3	Ear99	8541.10.0050	1														2 µA @ 3 V							6.2 v	10欧姆
1n6001d	5.1900	RFQ	9406	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6001		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		100 na @ 8.4 V							11 V	18欧姆
JAN2N5686	179.8160	RFQ	6037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/464	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	TO-204AA，TO-3			300 w	TO-3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		80 V	500 µA	500µA			NPN	5V @ 10a，50a	15 @ 25a，2v	-
JAN2N3635UB	13.5527	RFQ	5180	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	2N3635		1.5 w	3-SMD	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JAN2N3810U	32.3722	RFQ	5000	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/336	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-78-6金属罐	2N3810		350MW	TO-78-6	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		60V	50mA	10µA（ICBO）			2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
2N5322	17.8486	RFQ	2515	微芯片技术	-	大部分	积极的		-		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			10 W	TO-5	-			到达不受影响	2N5322MS	Ear99	8541.29.0095	1																		75 v	2 a	-			PNP	-	-	-
JANTX2N3441	-	RFQ	6503	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/369	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-213AA，TO-66-2	2N3441		3 W	TO-66（TO-213AA）	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		140 v	3 a	-			NPN	1V @ 50mA，500mA	25 @ 500mA，4V	-
APT8065BVFRG	13.7700	RFQ	2843	微芯片技术	PowerMosv®	管子	积极的				通过洞	TO-247-3	APT8065	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	800 v	13A（TC）	650MOHM @ 500mA，10V	4V @ 1mA	225 NC @ 10 V	3700 PF @ 25 V	-
Jan1n6352us/tr	-	RFQ	4428	微芯片技术	MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载				150-JAN1N6352US/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V							150 v	1000欧姆
JAN1N4126D-1	13.1400	RFQ	5289	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4126			DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.8 V							51 v	300欧姆
JANTX1N754A-1/TR	2.2211	RFQ	8082	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N754A-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 4 V							6.8 v	3欧姆
HSM540J/TR13	1.5150	RFQ	4092	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						HSM540				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
APTMC170AM60CT1AG	-	RFQ	3248	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1	APTMC170	（SIC）	350W	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1700V（（1.7kV）	50A（TC）	60mohm @ 50a，20v	2.3V @ 2.5mA ty（typ）	190nc @ 20V	3080pf @ 1000V	-
APT5024BFLLG	8.4200	RFQ	8545	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的				通过洞	TO-247-3	APT5024	MOSFET （金属 o化物）		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	500 v	22a（TC）	240mohm @ 11a，10v	5V @ 1mA	43 NC @ 10 V	1900 pf @ 25 V	-
UPS170E3/TR7	0.4800	RFQ	4949	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						UPS170				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000
1N5989ur-1/tr	3.7400	RFQ	8237	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264												1.1 V @ 200 ma									3.6 v
1N5341CE3/TR13	-	RFQ	8058	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5341		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,250												1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V							6.2 v	1欧姆
1N2058	158.8200	RFQ	2981	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载			到达不受影响	150-1N2058	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									250 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 250 V	-65°C 〜190°C	275a	-
UES1101SME3/tr	24.5400	RFQ	1278	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				通过洞	轴向		标准		a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-US1101SME3/tr	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									50 V	975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 50 V	175°C	2.5a	-
CD6341	2.1014	RFQ	1526年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-		表面安装	死				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CD6341	Ear99	8541.10.0050	1
Jan1n6642us	7.7100	RFQ	9866	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/578	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，d	1N6642	标准		D-5D	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）									75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C〜175°C	300mA	40pf @ 0v，1MHz
2N3507AL	12.2626	RFQ	7602	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3507		1 w	TO-5AA	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		50 V	3 a	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
JANTX2N4029	8.5652	RFQ	5907	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/512	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4029		500兆	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		80 V	1 a	10µA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	-
2N3507U4	60.6081	RFQ	8511	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	2N3507		1 w	U4	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																		50 V	3 a	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	35 @ 500mA，1V	-
1N1343	45.3600	RFQ	7029	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1343	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）									150 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 150 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTX1N6326DUS/TR	51.4843	RFQ	1454	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6326DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1												1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V							12 v	7欧姆
JANTXV2N4237	45.9249	RFQ	8944	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/581	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3	2N4237		1 w	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																		40 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 100mA，1a	30 @ 250mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²