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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N4117CUR-1	24.3150	RFQ	9286	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4117		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
CDLL4921/TR	82.7700	RFQ	7132	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜100°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4921/tr	Ear99	8541.10.0050	1					15 µA @ 12 V							19.2 v	300欧姆
1N1614R	38.0550	RFQ	2342	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1614	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.5 V @ 15 A		50 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	15a	-
JANTXV1N5526C-1	23.3700	RFQ	8857	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5526		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V							6.8 v	30欧姆
JANTXV1N4981US/TR	16.1250	RFQ	7935	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-				150-JANTXV1N4981US/TR	Ear99	8541.10.0050	100			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V							91 v	90欧姆
R30440	40.6350	RFQ	4321	微芯片技术	R304	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R304	标准		do-5	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTX1N55330D-1	19.4700	RFQ	7310	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5530		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V							10 v	60欧姆
R35140	36.6600	RFQ	2753	微芯片技术	R35	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R35140	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
1月1N976CUR-1/TR	10.2410	RFQ	8301	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N976CUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 33 V							43 V	93欧姆
1N5553	7.4400	RFQ	9754	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向	1N5553	标准		B，轴向	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.2 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
1N5372BE3/TR12	2.6850	RFQ	9024	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5372		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 44.6 V							62 v	42欧姆
JANTX1N4616DUR-1	23.1600	RFQ	7237	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4616		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 1 V							2.2 v	1300欧姆
1 PMT5954B/TR7	2.2200	RFQ	2014	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V							160 v	700欧姆
1 PMT5954/TR13	-	RFQ	3186	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000			1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 121.6 V							160 v	700欧姆
CDLL6329	14.6400	RFQ	5429	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL6329		500兆	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 na @ 12 V							16 V	12欧姆
1N5355C/TR12	3.3900	RFQ	7719	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5355		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		500 NA @ 13 V							18 V	2.5欧姆
JANTX1N5519DUR-1	46.2900	RFQ	9299	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N5519		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
JANTX1N6309US	20.9250	RFQ	8874	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6309		500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		100 µA @ 1 V							2.4 v	30欧姆
JANTXV1N6352	-	RFQ	8372	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	B，轴向			500兆	B，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 114 V							150 v	1000欧姆
JANSD2N3057A	127.0302	RFQ	9561	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以			500兆	TO-46	-			到达不受影响	150-JANSD2N3057A			1									80 V	1 a	10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANTX1N6316US	21.1200	RFQ	8216	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6316		500兆	B，平方米	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		5 µA @ 1.5 V							4.7 v	17欧姆
2N3774	33.0450	RFQ	7687	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w	TO-5AA	-			到达不受影响	150-2N3774	Ear99	8541.29.0095	1									40 V	1 a	-			PNP	-	-	-
1月1N5520C-1	14.1300	RFQ	7352	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5520		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 1 V							3.9 v	22欧姆
1N4900A	25.8900	RFQ	7309	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4900		400兆	do-7	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1												12.8 v	200欧姆
JANTX2N2605	22.0248	RFQ	4431	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/354	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AB，TO-46-3金属可以	2N2605		400兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1									60 V	30 ma	10NA			PNP	300mv @ 500µA，10mA	100 @ 10mA，5v	-
JANTX1N6677UR-1	-	RFQ	2245	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的			表面安装	DO-213AA（）	1N6677	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	40 V	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	-
SMBJ5347A/TR13	1.6350	RFQ	6400	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5347		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		5 µA @ 7.2 V							10 v	2欧姆
UFS570G/TR13	4.1400	RFQ	2851	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-215ab，SMC Gull机翼	UFS570	标准		do-215ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	700 v	1.35 V @ 5 A	60 ns	10 µA @ 700 V	-55°C 〜175°C	5a	-
UZ5856	32.2650	RFQ	9334	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-			到达不受影响	150-UZ5856	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 42.6 V							56 v	35欧姆
JANS1N6621	102.6300	RFQ	2456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	400 v	1.4 V @ 1.2 A	45 ns	500 NA @ 400 V	-65°C〜175°C	2a	10pf @ 10V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²