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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大） （（（） 电压 -限制（最大）
JANTXV1N6332DUS/TR Microchip Technology JANTXV1N6332DUS/TR 68.7000
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JANTXV1N6332DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 na @ 17 V 22 v 20欧姆
1N6003UR/TR Microchip Technology 1N6003ur/tr 3.7350
RFQ
 ECAD 9745 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 150-1N6003ur/tr Ear99 8541.10.0050 264 1.1 V @ 200 ma 13 V
JANTXV1N6354DUS/TR Microchip Technology JANTXV1N6354DUS/TR -
RFQ
 ECAD 2588 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JANTXV1N6354DUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 137 V 180 v 1500欧姆
JANTXV1N4993CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4993CUS/TR 86.7000
RFQ
 ECAD 4481 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 150-JANTXV1N4993CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 228 V 300 v 950欧姆
JANTXV1N4489DUS/TR Microchip Technology JANTXV1N44489DUS/TR 56.5650
RFQ
 ECAD 8495 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANTXV1N4489DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 na @ 80 V 100 v 250欧姆
JAN1N4483DUS/TR Microchip Technology Jan1n4483dus/tr 34.7550
RFQ
 ECAD 3158 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JAN1N444483DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 na @ 44.8 V 56 v 70欧姆
JANS1N4994CUS/TR Microchip Technology JANS1N4994CUS/TR -
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w E-Melf 下载 150-JANS1N4994CUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 251 V 330 v 1175欧姆
JANTX2N930UB/TR Microchip Technology JANTX2N930UB/TR -
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 UB - 150-JANTX2N930UB/TR 1 45 v 30 ma - NPN - - -
JANTXV1N4491CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4491CUS/TR 45.2850
RFQ
 ECAD 5261 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANTXV1N4491CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 NA @ 96 V 120 v 400欧姆
JANTX1N6332CUS/TR Microchip Technology JANTX1N6332CUS/TR 34.6201
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JANTX1N6332CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 na @ 17 V 22 v 20欧姆
JANTX1N4967DUS/TR Microchip Technology JANTX1N4967DUS/TR 30.9000
RFQ
 ECAD 7713 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 150-JANTX1N4967DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 18.2 V 24 V 5欧姆
JAN1N6634US/TR Microchip Technology Jan1n6634us/tr -
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w E-Melf 下载 150-JAN1N6634US/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 175 µA @ 1 V 3.9 v 2欧姆
JANTX1N4973DUS/TR Microchip Technology JANTX1N4973DUS/TR 30.9000
RFQ
 ECAD 5220 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - 150-JANTX1N4973DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 32.7 V 43 V 20欧姆
CDS5244BUR-1/TR Microchip Technology CDS5244BUR-1/TR -
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 150-CDS5244BUR-1/TR Ear99 8541.10.0050 1
1N4120UR/TR Microchip Technology 1N4120ur/tr 3.9450
RFQ
 ECAD 3624 0.00000000 微芯片技术 MIL-STD-750 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - 150-1N4120ur/tr Ear99 8541.10.0050 249 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 22.8 V 30 V 200欧姆
JANTX1N6350CUS/TR Microchip Technology JANTX1N6350CUS/TR 39.9450
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/533 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - 150-JANTX1N6350CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 91 V 120 v 600欧姆
JAN1N4492CUS/TR Microchip Technology JAN1N4492CUS/TR 26.9100
RFQ
 ECAD 2305 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JAN1N44492CUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 na @ 104 V 130 v 500欧姆
JANTX1N4494US/TR Microchip Technology JANTX1N4494US/TR 15.2100
RFQ
 ECAD 8996 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANTX1N4494US/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 250 na @ 128 V 160 v 1000欧姆
JANTXV1N4479DUS/TR Microchip Technology JANTXV1N4479DUS/TR 56.5650
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/406 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±1％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A - 150-JANTXV1N4479DUS/TR Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 31.2 V 39 v 30欧姆
JANTXV1N6634CUS/TR Microchip Technology JANTXV1N6634CUS/TR -
RFQ
 ECAD 8728 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/356 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，E 5 w E-Melf 下载 150-JANTXV1N666634CUS/TR Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 175 µA @ 1 V 3.9 v 2欧姆
1N5920BUR-1/TR Microchip Technology 1N5920BUR-1/TR 4.2200
RFQ
 ECAD 5563 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1.25 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 233 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 2欧姆
1N6080US/TR Microchip Technology 1N6080US/TR 46.2000
RFQ
 ECAD 9683 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SQ-MELF，c 标准 D-5C - 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 1.5 V @ 37.7 A 30 ns 10 µA @ 100 V -65°C〜155°C 2a -
1N4728UR-1/TR Microchip Technology 1N4728ur-1/tr 3.6200
RFQ
 ECAD 4079 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
1N4735UR-1/TR Microchip Technology 1N4735UR-1/tr 3.6200
RFQ
 ECAD 9457 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 272 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 6.2 v 2欧姆
1N5312UR-1E3/TR Microchip Technology 1N5312UR-1E3/tr 22.1600
RFQ
 ECAD 6557 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/463 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） - 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 500MW DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 100 100V 4.29mA 2.6V
1N4618UR/TR Microchip Technology 1N4618ur/tr 3.5700
RFQ
 ECAD 5064 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 500兆 do-213aa - Ear99 8541.10.0050 277 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 1 V 2.7 v 1500欧姆
1N5950BUR-1/TR Microchip Technology 1N5950BUR-1/TR 4.6800
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 DO-213AB，MELF（MELF）） 1.25 w DO-213AB（梅尔，LL41） - Ear99 8541.10.0050 209 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 83.6 V 110 v 300欧姆
1N6078US/TR Microchip Technology 1N6078US/TR 36.7600
RFQ
 ECAD 3831 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SQ-MELF，b 标准 E-Melf - 100 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 1.76 V @ 18.8 A 30 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜155°C 1.3a -
1N6333US/TR Microchip Technology 1N6333US/TR 14.7900
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±5％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 - Ear99 8541.10.0050 100 1.4 V @ 1 A 50 na @ 18 V 24 V 24欧姆
1N4989CUS/TR Microchip Technology 1N4989CUS/TR 26.0400
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±2％ -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 SQ-MELF，b 5 w E-Melf - Ear99 8541.10.0050 100 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 152 V 200 v 500欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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