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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
Jan1n5298-1/tr	31.6650	RFQ	3259	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5298		500MW	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5298-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	1.21ma	1.4V
CDLL5295/tr	25.2900	RFQ	3393	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL52		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5295/tr	Ear99	8541.10.0050	1																																						100V	902µA	1.25V
CDLL5287/tr	25.2900	RFQ	5183	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL52		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5287/tr	Ear99	8541.10.0050	1																																						100V	363µA	1V
JANTXV1N964BUR-1	7.5600	RFQ	1428	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
1N5297-1E3/tr	22.0200	RFQ	7502	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5297		500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5297-1E3/tr	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	1.1ma	1.35V
1N5289/tr	21.8400	RFQ	3183	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5289		500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5289/tr	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	473µA	1.05V
JANTX1N5304-1/TR	34.1550	RFQ	6790	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5304		500MW	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N5304-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	1.98mA	1.75V
Jan1n4618ur-1	6.5550	RFQ	5130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N4618		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma		500 na @ 1 V							2.7 v	1500欧姆
JANTXV1N4102D-1/TR	25.8153	RFQ	5317	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N4102D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.7 V							8.7 v	200欧姆
1N5829	45.6750	RFQ	2656	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5829	肖特基		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	1N5829MS	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					20 v	440 mv @ 25 A		3 ma @ 20 V	-65°C〜125°C	25a	1650pf @ 5V，1MHz
CDLL6012B	2.7150	RFQ	7379	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL6012B	Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V							33 V	88欧姆
1N5300	18.6000	RFQ	4307	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜175°C	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5300		475MW	do-7	-			到达不受影响	150-1N5300			1																																						100V	1.43mA	1.5V
CDLL7049/TR	68.3250	RFQ	3760	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						CDLL70				-			到达不受影响	150-CDLL7049/tr			100
Jan1n5287ur-1/tr	36.6000	RFQ	6882	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5287		500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N5287UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	363µA	1V
1N5313-1E3/tr	22.0200	RFQ	7281	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5313		500MW	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5313-1E3/tr			100																																						100V	4.73mA	2.75V
Janhca1n5291	-	RFQ	5972	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5291	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	616µA	1.1V
GA301	29.2999	RFQ	9416	微芯片技术	-	大部分	积极的		0°C〜125°C		通过洞	TO-206AA，TO-18-3				TO-18	-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1			5 ma											100 v	750 mv	-	200 µA	1.5 v	100 a	10 MA	标准恢复
JANS1N4623-1	59.3250	RFQ	9160	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																							1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V							4.3 v	1600欧姆
MSR2N3439	-	RFQ	4579	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/368	大部分	积极的		-55°C 〜200°C		通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响	150-MSR2N3439			100																													350 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
1N3970	62.1150	RFQ	7491	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载			到达不受影响	150-1N3970	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					600 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
apt30m61sllg/tr	13.9118	RFQ	2152	微芯片技术	PowerMos7®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	APT30M61	MOSFET （金属 o化物）		d3pa k	下载			到达不受影响	150-APT30M61SLLG/TR	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		300 v	54A（TC）	10V	61mohm @ 27a，10v	5V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±30V	3720 PF @ 25 V	-	403W（TC）
JANTXV1N5553US	17.4150	RFQ	3351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的				表面安装	SQ-MELF，b		标准		B，平方米	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					800 v	1.3 V @ 9 A	2 µs		-65°C〜175°C	3a	-
JAN2N3867U4	145.2360	RFQ	7451	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																													40 V	3 a	100µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 250mA，2.5a	40 @ 1.5A，2V	-
CDS5303-1/tr	-	RFQ	3896	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的						CDS53				-			到达不受影响	150-CDS5303-1/tr			50
Janhca1n5311	-	RFQ	5265	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5311	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	3.96mA	2.5V
Janhca1n5313	-	RFQ	1076	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500MW	do-7	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-Janhca1n5313	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	4.73mA	2.75V
JANS1N5293UR-1/TR	130.3050	RFQ	7420	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N5293UR-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	748µA	1.15V
1N4526	62.1150	RFQ	2734	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	1N4526	标准		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																					400 v	1.19 V @ 90 A		10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	40a	-
JANTXV1N5313-1/TR	36.5700	RFQ	6338	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5313		500MW	do-7	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5313-1/TR	Ear99	8541.10.0070	1																																						100V	4.73mA	2.75V
1N5313ur-1/tr	21.9800	RFQ	6764	微芯片技术	MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			500MW	DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	100																																						100V	4.73mA	2.75V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²