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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTX1N4996DUS/TR | - |  | 3295 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTX1N4996DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 297 V | 390 v | 1800欧姆 | |||||||||||||||
 | 1N3070ur/tr | 9.2100 | | 7421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 150-1N3070ur/tr | 100 | |||||||||||||||||||||||||||
 | JAN1N6317DUS/TR | 49.0650 | | 4064 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6317DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 14欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n5802urs/tr | 19.6200 | | 1288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/477 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 标准 | D-5A | - | 150-JAN1N5802URS/TR | 100 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 50 V | 875 mv @ 1 a | 25 ns | 1 µA @ 50 V | -65°C〜175°C | 1a | 25pf @ 10V，1MHz | |||||||||||||||
| JANTXV1N6633CUS/TR | - | | 4529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTXV1N666633CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 250 µA @ 1 V | 3.6 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||
 | JANTXV1N942BUR-1/TR | - | | 7894 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/157 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-JANTXV1N942BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 15 µA @ 8 V | 11.7 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||
 | JANTXV2N2907AUBC/TR | 26.4600 | | 3631 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 500兆 | UBC | - | 150-JANTXV2N2907AUBC/tr | 100 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA，500mA | 100 @ 150mA，10V | - | |||||||||||||||
| 1N5524ur-1/tr | 5.6100 | | 3659 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±20％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 173 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 3 V | 5.6 v | |||||||||||||||||
| 1N6486US/TR | 14.0400 | | 2791 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N5259BUR-1/TR | 3.0200 | | 9829 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 329 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 30 V | 39 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N5712UB/TR | 23.5500 | | 3046 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 4-SMD，没有铅 | 肖特基 | UB | - | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 16 V | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 V | -65°C〜150°C | 75mA | 2pf @ 0v，1MHz | |||||||||||||||||
| 1N4755UR-1/tr | 3.6200 | | 8482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±10％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 272 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 32.7 V | 43 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N459AR/TR | 5.8600 | | 9135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 166 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N4711ur-1/tr | 5.2400 | | 3153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 186 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 20.4 V | 27 V | |||||||||||||||||
| 1N486BUR/TR | 5.0800 | | 9178 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 192 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5233DUR-1/TR | 7.3200 | | 4793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 132 | 1.1 V @ 200 ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N5533UR-1/TR | 6.6300 | | 6583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±20％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 146 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 10.5 V | 13 V | |||||||||||||||||
| 1N4981US/TR | 9.5200 | | 8980 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 101 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 69.2 V | 91 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N4150UBCA/TR | 25.5400 | | 9674 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 1N5519CUR-1/TR | 13.1100 | | 8471 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 3.6 v | 24欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N7555AR-1/TR | 3.1800 | | 8077 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||
| 2n930ub/tr | 22.8600 | | 3771 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 200°C（TJ） | 表面安装 | 4-SMD，没有铅 | UB | - | 100 | 45 v | 30 ma | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||||
 | 1N3823AUR-1/TR | 8.9400 | | 9799 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1.5 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 108 | 1.2 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N5254BUR-1/TR | 3.0900 | | 3930 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 323 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N4118ur/tr | 3.9400 | | 5554 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 249 | 1.1 V @ 200 ma | 10 na @ 20.45 V | 27 V | 150欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N5928BUR-1/TR | 3.1800 | | 2617 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1.25 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 313 | 1.2 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N3037BUR-1/TR | 15.4500 | | 6333 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 38.8 V | 51 v | 95欧姆 | ||||||||||||||||
| 1N4581AUR-1/TR | 8.9400 | | 6661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 108 | 2 µA @ 3 V | 25欧姆 | ||||||||||||||||||
| 1N3041Bur-1/tr | 15.4500 | | 7306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -55°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 56 V | 75 v | 175欧姆 | ||||||||||||||||
| 2N2604UB/TR | 81.6100 | | 2058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 400兆 | UB | - | 100 | 60 V | 30 ma | 10NA | PNP | 300mv @ 500µA，10mA | 60 @ 500µA，5V | - |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
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