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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTX1N4493DUS/TR	45.2400	RFQ	8290	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANTX1N444493DUS/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V							150 v	700欧姆
1N4148UBCC	27.0900	RFQ	2645	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	1N4148	标准		UBC	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对普通阴极	75 v	200mA	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C
2N911	30.5700	RFQ	1284	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			800兆	TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-2N911	Ear99	8541.21.0095	1											60 V		-			NPN	1V @ 5mA，50mA	1000 @ 3A，4V	50MHz
JANSF2N3439U4	413.4420	RFQ	2395	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			800兆	U4	-			到达不受影响	150-JANSF2N3439U4			1											350 v	1 a	2µA			NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANTX1N4113D-1	16.9800	RFQ	3282	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4113		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 14.5 V							19 v	150欧姆
1 PMT4117C/TR7	1.2450	RFQ	6619	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午1点		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
JANS1N4476CUS/TR	283.9800	RFQ	8395	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-				150-JANS1N4476CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	50					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 24 V							30 V	20欧姆
JANS1N4464DUS	330.2550	RFQ	6015	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANS1N4464DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		300 NA @ 5.46 V							9.1 v	4欧姆
JANTX1N3012RB	538.8900	RFQ	6831	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/124	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱			10 W	DO-213AA（DO-4）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 2 A		10 µA @ 121.6 V							160 v	200欧姆
CDLL4746A	3.4650	RFQ	6090	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4746			do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 13.7 V							18 V	20欧姆
1月1N977D-1	6.4950	RFQ	1562	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N977		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 36 V							47 V	105欧姆
JANTX1N6304	-	RFQ	5572	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		50 V		1.18 V @ 150 A	60 ns	25 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	70a
JANTXV1N938BUR-1	-	RFQ	9757	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/156	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														9 V	20欧姆
JANTXV2N6193U3	-	RFQ	2430	微芯片技术	*	大部分	积极的			-	-	2N6193			-	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANS1N6350C	358.7400	RFQ	9840	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANS1N6350C	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 91 V							120 v	600欧姆
JANTX1N4996DUS	-	RFQ	1620年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 297 V							390 v	1800欧姆
Jan1n4496d	25.4550	RFQ	2759	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4496		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1 V @ 200 MA		250 NA @ 160 V							200 v	1500欧姆
1N5348A/TR12	2.6250	RFQ	7742	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5348		5 w	T-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		5 µA @ 8 V							11 V	2.5欧姆
CDLL4106D/TR	11.5650	RFQ	4868	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL4106D/TR	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.12 V							12 v	200欧姆
JANTX1N988B-1	-	RFQ	3337	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 99 V							130 v	1100欧姆
jankca1n5540d	-	RFQ	9598	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANKCA1N5540D	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 18 V							20 v	100欧姆
JANTXV1N3595AUS/TR	14.5050	RFQ	6001	微芯片技术	MIL-PRF-19500	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，d		标准		D-5D	-				150-JANTXV1N3595AUS/TR			109	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v		920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	8pf @ 0v，1MHz
JANS1N4615DUR-1/TR	449.6820	RFQ	9885	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4615DUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		2.5 µA @ 1 V							2 v	1.25欧姆
JANTXV1N6347	14.6700	RFQ	7247	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6347		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 69 V							91 v	270欧姆
1N6920UTK4AS	259.3500	RFQ	3671	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-1N6920UTK4AS			1
JANS1N3157UR-1/TR	-	RFQ	4366	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/158	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TA）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N3157UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 5.5 V							8.4 v	15欧姆
1N4697	4.8300	RFQ	6011	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N4697		500兆	do-7	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7.6 V							10 v
1 PMT4121/TR7	0.9600	RFQ	5199	微芯片技术	PowerMite®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C	表面安装	do-216aa	下午4121		1 w	do-216	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 25.08 V							33 V	200欧姆
78161GNP	-	RFQ	6950	微芯片技术	-	大部分	积极的					78161				-			到达不受影响	150-78161GNP			25
1N6314	8.4150	RFQ	3061	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6314		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 1 V							3.9 v	23欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²