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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
UTX225	12.8400	RFQ	8485	微芯片技术	-	大部分	积极的				通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTX225	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				250 v	1 V @ 1 A	75 ns	3 µA @ 250 V	-195°C〜175°C	2a	-
MX2N4861UB	68.7743	RFQ	6263	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w	UB	-	到达不受影响	150-MX2N4861UB			1		n通道	30 V	18pf @ 10V										30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA				60欧姆
1N1582	38.3850	RFQ	7279	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N1582	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				100 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 100 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANS1N6333CUS	527.5650	RFQ	2411	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N633333CUS	Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V										24 V	24欧姆
JANSM2N2219A	114.6304	RFQ	2201	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜200°C		通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANSM2N2219A			1												50 V	800 MA				10NA				NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N3511D-1	6.2250	RFQ	4335	微芯片技术	*	大部分	积极的						1N3511				下载	到达不受影响	150-1N3511D-1	Ear99	8541.10.0050	1
JANS1N6341DUS	527.5650	RFQ	3528	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6341DUS	Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V										51 v	85欧姆
S306050F	49.0050	RFQ	2250	微芯片技术	*	大部分	积极的										-	到达不受影响	150-S306050F			1
R306010f	49.0050	RFQ	9214	微芯片技术	*	大部分	积极的										-	到达不受影响	150-R306010F			1
CD5521D	-	RFQ	3513	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5521D	Ear99	8541.10.0050	164						1.5 V @ 200 ma		3 µA @ 1.5 V										4.3 v	18欧姆
CDLL4732AE3	3.2850	RFQ	9608	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL4732AE3	Ear99	8541.10.0050	1						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V										4.7 v	8欧姆
UZ7740小时	468.9900	RFQ	9585	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C		螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	-	到达不受影响	150-UZ7740小时	Ear99	8541.10.0050	1								10 µA @ 30.4 V										40 V	15欧姆
JANS1N6342DUS	527.5650	RFQ	8342	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6342DUS	Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		50 NA @ 43 V										56 v	100欧姆
UZ806	22.4400	RFQ	9778	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C〜175°C		通过洞	a，轴向			3 W	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ806	Ear99	8541.10.0050	1
JANTXV1N4491D	41.2350	RFQ	6040	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4491D	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		250 NA @ 96 V										120 v	400欧姆
1N6872UTK2AS	259.3500	RFQ	9202	微芯片技术	*	大部分	积极的										-	到达不受影响	150-1N6872UTK2AS			1
JANSL2N3500L	41.5800	RFQ	5711	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-	到达不受影响	150-JANSL2N3500L			1												150 v	300 MA				10µA（ICBO）				NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
1N5300	18.6000	RFQ	4307	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜175°C	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5300		475MW	do-7	-	到达不受影响	150-1N5300			1																									100V	1.43mA	1.5V
2N6282	61.4550	RFQ	8698	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	死			160 w	死	-	到达不受影响	150-2N6282	Ear99	8541.29.0095	1												60 V	20 a				1ma				npn-达灵顿	3V @ 200mA，20a	750 @ 10a，3v	-
JASP2N5152U3	229.9812	RFQ	7033	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3 （SMD-0.5）	-	到达不受影响	150-JANSP2N5152U3			1												80 V	2 a				50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
JANTXV1N6346C	37.5300	RFQ	6041	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6346C	Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		50 NA @ 62 V										82 v	220欧姆
1N1586	38.3850	RFQ	7833	微芯片技术	-	大部分	积极的				螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N1586	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）				500 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	3a	-
jankca1n758c	-	RFQ	4975	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N758C	Ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V										10 v	17欧姆
Janhca1n4130d	-	RFQ	3419	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C		表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4130d	Ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 51.68 V										68 v	700欧姆
2C6045	26.8050	RFQ	6258	微芯片技术	*	大部分	积极的										-	到达不受影响	150-2C6045			1
Janhca1n4624c	-	RFQ	5574	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-JANHCA1N4624C	Ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V										4.7 v	1550年
JASP2N5153U3	229.9812	RFQ	9511	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-	到达不受影响	150-JANSP2N5153U3			1												80 V	2 a				50µA				PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
MNS2N3700UB	13.6500	RFQ	7346	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-	到达不受影响	150-MNS2N3700UB			1												80 V	1 a				10NA				NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANS1N4471CUS	283.8300	RFQ	7833	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANS1N4471CUS	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V										18 V	11欧姆
1N6895UTK1	259.3500	RFQ	3368	微芯片技术	*	大部分	积极的										-	到达不受影响	150-1N6895UTK1			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²