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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N5759	77.3850	RFQ	2024	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w	TO-204AD（TO-3）	-	到达不受影响	150-2N5759	Ear99	8541.29.0095	1								120 v	6 a	-			PNP	-	-	-
JANTXV1N4483CUS	45.1350	RFQ	2805	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4483CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 na @ 44.8 V							56 v	70欧姆
jankca1n4119c	-	RFQ	7456	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4119c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 21.28 V							28 V	200欧姆
JANSL2N5154	95.9904	RFQ	6884	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANSL2N5154			1								80 V	2 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
2N7374	244.5450	RFQ	7817	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-257-3			52.5 w	TO-257	-	到达不受影响	150-2N7374	Ear99	8541.29.0095	1								200 v	5 a	-			NPN	-	-	-
1N6338C	14.5350	RFQ	2899	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N6338C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 30 V							39 v	55欧姆
jankca1n4122c	-	RFQ	9565	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4122c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 NA @ 27.38 V							36 V	200欧姆
CDLL5554	12.2400	RFQ	5618	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDLL5554	Ear99	8541.10.0050	1
1N3970	62.1150	RFQ	7491	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N3970	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.25 V @ 200 A	25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	70a	-
JANTXV2N4236L	45.9249	RFQ	4150	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/580	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANTXV2N4236L			1								80 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JANTX1N6334CUS	39.7950	RFQ	5090	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6334CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 21 V							27 V	27欧姆
JANTXV1N6327D	45.0600	RFQ	3169	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6327D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 9.9 V							13 V	8欧姆
JANTXV1N6331C	37.5300	RFQ	3740	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6331C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 na @ 15 V							20 v	18欧姆
1N2495	44.1600	RFQ	2904	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N2495	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.3 V @ 30 A	10 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	6a	-
1N4989CUS	25.8900	RFQ	2472	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-1N4989CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 152 V							200 v	500欧姆
2C2369A-MSCL	5.2950	RFQ	5252	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-2C2369A-MSCL			1
2N2990	27.6600	RFQ	5591	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			5 w	TO-5AA	-	到达不受影响	150-2N2990	Ear99	8541.29.0095	1								100 v	1 a	-			NPN	-	-	-
JANTXV1N6322DUS	71.3850	RFQ	1867年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6322DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	1 µA @ 6 V							8.2 v	5欧姆
Janhca1n4615c	-	RFQ	7056	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4615c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	5 µA @ 1 V							2 v	1250欧姆
CDS914	-	RFQ	9326	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS914			50
S4280IL	102.2400	RFQ	2733	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-S4280IL	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	800 v	1.2 V @ 200 A	50 µA @ 800 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANTX1N6343C	29.2350	RFQ	5144	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTX1N6343C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 47 V							62 v	125欧姆
2N7369	324.9000	RFQ	4273	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA			115 w	TO-254AA	-	到达不受影响	150-2N7369	Ear99	8541.29.0095	1								80 V	10 a	5mA			PNP	1V @ 500mA，5a	50 @ 1A，2V	-
Janhca1n4627d	-	RFQ	3045	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4627d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 5 V							6.2 v	1200欧姆
2N1715	20.3850	RFQ	8024	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5AA	-	到达不受影响	150-2N1715	Ear99	8541.29.0095	1								100 v	1 a	-			NPN	-	-	-
1N5534A	1.8150	RFQ	8996	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5534A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 11.5 V							14 V
Jan2n2920a	30.6432	RFQ	9037	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW	TO-78-6	-	到达不受影响	150-JAN2N2920A			1								60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JANSG2N2222A	98.4404	RFQ	2023	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-	到达不受影响	150-JANSG2N2222A			1								50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JANSL2N5152U3	229.9812	RFQ	9300	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3 （SMD-0.5）	-	到达不受影响	150-JANSL2N5152U3			1								80 V	2 a	50µA			NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
1N2970D	184.9050	RFQ	4202	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2970		10 W	DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N2970D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	150 µA @ 5.2 V							6.8 v	1.2欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²