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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV1N6327DUS	71.3850	RFQ	8736	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6327DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V							13 V	8欧姆
JANTXV1N4489D	41.2350	RFQ	8722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4489D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 80 V							100 v	250欧姆
1N4736AGE3	3.3300	RFQ	3913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-	到达不受影响	150-1N4736AGE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V							6.8 v	3.5欧姆
CDLL5281A	3.5850	RFQ	7776	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5281A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 144 V							200 v	2500欧姆
UZ5230	32.2650	RFQ	9545	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5230	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 210 V							300 v	950欧姆
2N2977	33.4200	RFQ	6858	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N297				-	到达不受影响	150-2N2977			1
JANTXV1N4472CUS	45.1350	RFQ	9945	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4472CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V							20 v	12欧姆
MSR2N2222A	-	RFQ	9465	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-	到达不受影响	150-MSR2N2222A			100									50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N3006RB	36.9900	RFQ	1750	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3006		10 W	DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N3006RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V							105 v	45欧姆
CDLL5229C	6.7200	RFQ	3851	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5229C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V							4.3 v	22欧姆
JANSF2N3019S	124.6306	RFQ	3349	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANSF2N3019S			1									80 V	1 a	10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
JankCAM2N3637	-	RFQ	5118	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JankCAM2N3637			100									175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
UTR50	9.2550	RFQ	7898	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTR50	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	500 v	1.1 V @ 200 ma	400 ns	3 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	500mA	50pf @ 0v，1MHz
UZ5740	32.2650	RFQ	1255	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5740	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 30.4 V							40 V	14欧姆
CDLL5225C	6.7200	RFQ	3354	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5225C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
1N967D	7.9800	RFQ	9365	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向			500兆	do-7	-	到达不受影响	150-1N967D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 13.7 V							18 V	21欧姆
UZ8756	22.4400	RFQ	7382	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ8756	Ear99	8541.10.0050	1					500 NA @ 42.5 V							56 v	110欧姆
1N2058R	158.8200	RFQ	8613	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N2058R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 250 V	-65°C 〜190°C	275a	-
SBR6020	148.2150	RFQ	6310	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		DO-5（do-203ab）	-	到达不受影响	150-SBR6020	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	20 v	600 mv @ 60 a		2 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	60a	-
1N4482C	17.7000	RFQ	2320	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载	到达不受影响	150-1N4482C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 40.8 V							51 v	60欧姆
jankca1n4621c	-	RFQ	1627年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4621C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		7.5 µA @ 2 V							3.6 v	1700欧姆
CD967A	1.6950	RFQ	5688	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD967A	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		500 na @ 14 V							18 V	21欧姆
CDS5542BUR-1	-	RFQ	1692年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5542BUR-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N6326D	45.0600	RFQ	4162	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6326D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 9 V							12 v	7欧姆
1N4480C	17.7000	RFQ	9047	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	下载	到达不受影响	150-1N4480C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V							43 V	40欧姆
1N5096	23.4000	RFQ	2954	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	轴向			3 W	轴向	-	到达不受影响	150-1N5096	Ear99	8541.10.0050	1					1 µA @ 83.6 V							110 v	250欧姆
1N2440R	102.2400	RFQ	2409	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N2440R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	250 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 250 V	-65°C 〜200°C	150a	-
CD937A	23.0250	RFQ	8674	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死				死	-	到达不受影响	150-CD937A	Ear99	8541.10.0050	1												9 V	30欧姆
Jan1n6328d	24.7800	RFQ	5735	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6328D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V							15 v	10欧姆
JANTXV1N6910UTK2	-	RFQ	9368	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/723	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		SIC （碳化硅）		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6910UTK2	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）	15 v	520 mv @ 25 A		1.2 ma @ 15 V	-65°C〜150°C	25a	2000pf @ 5V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²