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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
60HFU-100	116.5650	RFQ	9490	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-203AB（DO-5）	-			到达不受影响	150-60HFU-100			1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	100 v				-65°C〜175°C	-	-
R34140	36.6600	RFQ	9570	微芯片技术	R34	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	R34140	标准，反极性		DO-203AB（DO-5）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.15 V @ 90 A		10 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	45a	-
R4260F	59.8350	RFQ	5793	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	R4260	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.2 V @ 200 A		50 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	125a	-
JANTXV1N5524D-1	29.2200	RFQ	7640	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5524		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
CDLL6676	2.7450	RFQ	9458	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	CDLL6676	肖特基		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	30 V	500 mV @ 200 ma		5 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
R20130	33.4500	RFQ	2242	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-R20130			1
JANS2N2221	61.8704	RFQ	7939	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的		-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				TO-18（（TO-206AA）	-			到达不受影响	150-JANS2N2221			1									30 V		-			NPN	-	100 @ 150mA，10V	250MHz
1N5813	75.5100	RFQ	8715	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5813	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	75 v	950 mv @ 20 a	35 ns	10 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
1N5353E3/TR12	2.6250	RFQ	3303	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C	通过洞	T-18，轴向	1N5353		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 1 A		1 µA @ 11.5 V							16 V	2.5欧姆
MSASC150W60LS/TR	-	RFQ	2241	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-MSASC150W60LS/TR			100
JANS1N5622	59.9100	RFQ	5966	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/427	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1.3 V @ 3 A	2 µs	500 NA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	1a	-
CD3050B	4.0650	RFQ	3827	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CD3050B	Ear99	8541.10.0050	1
SMBJ4742AE3/TR13	0.5250	RFQ	1858年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4742		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000			1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V							12 v	9欧姆
1N1347B	45.3600	RFQ	6931	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N1347	标准		DO-4（do-203AA）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	500 v	1.3 V @ 30 A		10 µA @ 500 V	-65°C 〜200°C	16a	-
1N646ur-1/tr	5.4400	RFQ	6624	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa		标准		do-213aa	-							179	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	300 v	1 V @ 400 MA		200 NA @ 300 V	-65°C〜175°C	400mA	-
UFR3270	199.2450	RFQ	3063	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3270	标准		DO-203AA（DO-4）	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	700 v	1.35 V @ 30 A	60 ns	15 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	30a	100pf @ 10V，1MHz
JANS1N825UR-1/TR	182.0850	RFQ	5433	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/159	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AA（）			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N825UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.55 v	15欧姆
1N4740APE3/TR8	0.9450	RFQ	9145	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4740		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V							10 v	7欧姆
1N2262A	44.1600	RFQ	3063	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	下载			到达不受影响	150-1N2262A	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	22a	-
JANTX2N3725L	-	RFQ	9219	微芯片技术	-	大部分	积极的		200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以				TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响			0000.00.0000	1									50 V	500 MA	-			NPN	-	-	-
JANTX1N4148UB2/TR	24.7950	RFQ	3160	微芯片技术	MIL-PRF-19500/116	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	2-SMD，没有铅		标准		UB2	-				150-JANTX1N4148UB2/tr			100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	20 ns	500 NA @ 75 V	-65°C 〜200°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
1N6941UTK3AS/TR	267.4800	RFQ	7190	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	Thinkey™3		肖特基，反极性		Thinkey™3	-			到达不受影响	150-1N6941UTK3AS/TR	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	30 V	500 mv @ 50 a		5 ma @ 30 V	-65°C〜150°C	150a	7500pf @ 5V，1MHz
1N5227BUR-1/TR	3.0200	RFQ	1930年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	329			1.1 V @ 200 ma		15 µA @ 1 V							3.6 v	24欧姆
CDS6858UR-1	-	RFQ	2402	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-CDS6858UR-1			50
S306AA0F	49.0050	RFQ	5938	微芯片技术	*	大部分	积极的									-			到达不受影响	150-S306AA0F			1
1N3742R	158.8200	RFQ	5013	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准，反极性		DO-205AB（DO-9）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N3742R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1000 v	1.3 V @ 300 A		75 µA @ 1000 V	-65°C 〜190°C	275a	-
1N5543D/tr	5.8650	RFQ	3730	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-1N5543D/tr	Ear99	8541.10.0050	161			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 22.4 V							25 v	100欧姆
JANTXV1N6625US	20.9100	RFQ	2381	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N6625	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1100 v	1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	-
JANTXV1N982C-1	7.5750	RFQ	5643	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/117	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N982		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 56 V							75 v	270欧姆
UT8160	398.3350	RFQ	2314	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	螺柱		标准		轴向	-			到达不受影响	150-UT8160	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1 V @ 8 A		10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	12a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²