- RFQ
- bom
- 联系我们
电话： +86-0755-83501345
电子邮件：sales@swxic.com
- 中文
- 英语
- 法语
- 德语
- 葡萄牙语
- 西班牙语
- 俄语
- 日本人
- 韩国人
- 阿拉伯
- 爱尔兰人
- 希腊语
- 土耳其
- 意大利人
- 丹麦语
- 罗马尼亚人
- 印度尼西亚
- 捷克
- 南非荷兰语
- 瑞典
- 抛光
- 巴斯克
- 加泰罗尼亚
- 世界语
- 印地语
- 老挝
- 阿尔巴尼亚人
- 阿姆哈拉语
- 亚美尼亚人
- 阿塞拜疆
- 白俄罗斯人
- 孟加拉
- 波斯尼亚
- 保加利亚语
- 宿务
- Chichewa
- 科西嘉
- 克罗地亚人
- 荷兰
- 爱沙尼亚人
- 菲律宾
- 芬兰
- 弗里斯安
- 加利西亚人
- 格鲁吉亚人
- 古吉拉特语
- 海地
- 豪萨
- 夏威夷人
- 希伯来语
- 苗族
- 匈牙利
- 冰岛
- 伊博
- 爪哇人
- 卡纳达语
- 哈萨克
- 高棉
- 库尔德
- 吉尔吉斯
- 拉丁
- 拉脱维亚
- 立陶宛语
- Luxembou ..
- 马其顿
- 马尔加什
- 马来语
- 马拉雅拉姆语
- 马耳他
- 毛利人
- 马拉地语
- 蒙
- 缅甸
- 尼泊尔
- 挪威
- Pashto
- 波斯语
- 旁遮普
- 塞尔维亚
- 塞索托
- 僧伽罗
- 斯洛伐克
- 斯洛文尼亚人
- 索马里
- 萨摩亚
- 苏格兰盖尔语
- 肖纳
- 信德
- 圣丹尼斯
- 斯W希里语
- 塔吉克
- 泰米尔人
- 泰卢固语
- 泰国
- 乌克兰
- 乌尔都语
- 乌兹别克
- 越南人
- 威尔士语
- xhosa
- 意第绪
- 约鲁巴
- 祖鲁
- Kinyarwanda
- 塔塔尔
- 奥里亚
- 土库曼
- Uyghur
离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV1N4477CUS/TR | 45.2850 |  | 6318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4477CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 26.4 V | 33 V | 25欧姆 | |||||||||||||||||
| cds749aur-1/tr | - | | 4990 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 150-CDS749AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | JANS1N6491US/TR | - | | 5515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANS1N6491US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 500 na @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||
| JANS1N6486CUS/TR | - | | 9269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANS1N6486CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTXV1N5712UB/TR | 65.2200 | | 3184 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 肖特基 | UB | - | 150-JANTXV1N5712UB/TR | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 16 V | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 V | -65°C〜150°C | 75mA | 2pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||||
| JANS1N4575AR-1/TR | 86.1150 | | 6232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-JANS1N4575AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 2 µA @ 3 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||
| JANTXV1N4956DUS/TR | 33.1950 | | 1544年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4956DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | |||||||||||||||||
| Jan1n4462us/tr | 10.6050 | | 9049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4462US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTXV1N4957CUS/TR | 26.8950 | | 7148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4957CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||
 | JANTX1N6315CUS/TR | 44.6250 | | 4895 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6315CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||
 | JAN1N5968CUS/TR | - | | 6415 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JAN1N5968CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 ma @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | |||||||||||||||||
| JAN1N6336DUS/TR | 49.8300 | | 5176 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6336DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 25 V | 33 V | 40欧姆 | |||||||||||||||||
| MSCSM120HRM163AG | 282.3100 | | 3105 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | - | - | 150-MSCSM120HRM163AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | （SIC） | ||||||||||||||||||||||
 | JANTXV1N6353CUS/TR | - | | 5625 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | 下载 | 150-JANTXV1N6353CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 122 V | 160 v | 1200欧姆 | |||||||||||||||||
| 1N6010ur/tr | 3.7350 | | 3556 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N6010ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 27 V | |||||||||||||||||||
| MSCSM170HRM233AG | 257.3200 | | 2581 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | 602W（TC），395W（tc） | - | - | 150-MSCSM170HRM233AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV） | 124A（TC），89A （TC） | 22.5mohm @ 60a，20v，31mohm @ 40a，20v | 3.2V @ 5mA，2.8V @ 3mA | 356nc @ 20v，232nc @ 20v | 6600pf @ 1000V，3020pf @ 1000V | （SIC） | |||||||||||||||
| JAN1N6314DUS/TR | 49.0650 | | 3088 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6314DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||||||||||
| MSCSM170HRM451AG | 149.6700 | | 9909 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | 319W（TC），395W（tc） | - | - | 150-MSCSM170HRM451AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV） | 64A（TC），89A （TC） | 45mohm @ 30a，20v，31mohm @ 40a，20v | 3.2V @ 2.5mA，2.8V @ 3mA | 178nc @ 20v，232nc @ 20V | 3300pf @ 1000V，3020pf @ 1000V | （SIC） | |||||||||||||||
| JANTXV1N4477DUS/TR | 56.5650 | | 6501 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4477DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 26.4 V | 33 V | 25欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTX1N4993CUS/TR | 55.9050 | | 5613 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4993CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 228 V | 300 v | 950欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTXV1N5711UBD/TR | 120.7350 | | 7207 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 肖特基 | UB | - | 150-JANTXV1N5711UBD/TR | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对系列连接 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||
| JANTX1N5711UBCA/TR | 104.5800 | | 5889 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 肖特基 | UB | - | 150-JANTX1N5711UBCA/TR | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 1对公共阳极 | 50 V | 1 V @ 15 mA | 200 na @ 50 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||
| JANTX1N6311DUS/TR | 55.7550 | | 1043 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6311DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTXV1N6340CUS/TR | 49.6202 | | 3631 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTXV1N6340CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 36 V | 47 V | 75欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTX1N6330DUS/TR | 42.2400 | | 4547 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6330DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 14 V | 18 V | 14欧姆 | |||||||||||||||||
 | JANTXV1N4485CUS/TR | 45.2850 | | 6777 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4485CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 NA @ 54.4 V | 68 v | 100欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTXV1N5969US/TR | - | | 8836 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 1N5969 | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTXV1N5969US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 1 mA @ 4.74 V | 6.2 v | 1欧姆 | ||||||||||||||||
| JANS1N4970DUS/TR | 460.3500 | | 6728 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4970DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 25.1 V | 33 V | 10欧姆 | |||||||||||||||||
| JANS1N4486CUS/TR | 283.9800 | | 2689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4486CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 60 V | 75 v | 130欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTX1N6343DUS/TR | 58.0500 | | 9811 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6343DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）