RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANTXV1N4461CUS	35.2500	RFQ	2854	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4461CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5 µA @ 4.08 V							6.8 v	2.5欧姆
1N6655	316.1850	RFQ	8908	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-254-3，TO-254AA		标准		TO-254AA	-	到达不受影响	150-1N6655	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	150 v	1 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	20a	150pf @ 10V，1MHz
Jan1n6341c	39.6300	RFQ	2545	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JAN1N6341C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 39 V							51 v	85欧姆
JANTXV1N4982C	2000年222日	RFQ	9351	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4982C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 76 V							100 v	110欧姆
S3860	61.1550	RFQ	9605	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	-	到达不受影响	150-S3860	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	600 v	1.15 V @ 200 A		25 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	100a	-
CD4148W-O	1.4250	RFQ	5304	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-	到达不受影响	150-CD4148W-O	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	75 v	1.2 V @ 100 ma	5 ns	500 NA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
R5340T	158.8200	RFQ	5198	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R5340TS			1
JANS1N6872UTK2	608.4000	RFQ	3699	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/469	大部分	积极的			表面安装	Thinkey™2		标准		Thinkey™2	-	到达不受影响	150-JANS1N6872UTK2	Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 400 MA			-65°C〜175°C	400mA	-
CD3826	4.0650	RFQ	2813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	-	到达不受影响	150-CD3826	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V							5.1 v	7欧姆
1N2136RA	74.5200	RFQ	6525	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2136RA	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	450 v	1.25 V @ 200 A		25 µA @ 450 V	-65°C 〜200°C	70a	-
jankca1n4130c	-	RFQ	3496	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Jankca1n4130c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 51.68 V							68 v	700欧姆
1N4154-1E3	2.7000	RFQ	6817	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4154-1E3	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度	35 v	1 V @ 30 mA	2 ns	100 na @ 25 V	-65°C〜150°C	200mA	-
JAN1N6328CUS	63.7050	RFQ	1940年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JAN1N6328CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 na @ 11 V							15 v	10欧姆
1N5244	3.9150	RFQ	2870	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5244	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 9.5 V							14 V	15欧姆
1N5546	3.0750	RFQ	4722	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5546	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 28 V							33 V
1N749D-1E3	5.5800	RFQ	6302	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N749D-1E3	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V							4.3 v	22欧姆
CDS5283UR-1	-	RFQ	1115	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDS52				-	到达不受影响	150-CDS5283UR-1			50
JANTXV1N4465DUS	38.6100	RFQ	2042	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4465DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		300 na @ 8 V							10 v	5欧姆
JANTXV1N4980D	23.4600	RFQ	5288	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4980D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 62.2 V							82 v	80欧姆
jankca1n4371c	-	RFQ	1444	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N4371C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		75 µA @ 1 V							2.7 v	30欧姆
1N5222B-1	2.0400	RFQ	7111	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5222B-1	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.5 v	30欧姆
JANTXV1N6327DUS	71.3850	RFQ	8736	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6327DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 9.9 V							13 V	8欧姆
JANTXV1N4489D	41.2350	RFQ	8722	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4489D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 na @ 80 V							100 v	250欧姆
1N4736AGE3	3.3300	RFQ	3913	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do041，轴向			1 w	do-41	-	到达不受影响	150-1N4736AGE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V							6.8 v	3.5欧姆
CDLL5281A	3.5850	RFQ	7776	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5281A	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 144 V							200 v	2500欧姆
UZ5230	32.2650	RFQ	9545	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5230	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 210 V							300 v	950欧姆
2N2977	33.4200	RFQ	6858	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N297				-	到达不受影响	150-2N2977			1
JANTXV1N4472CUS	45.1350	RFQ	9945	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4472CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		50 na @ 16 V							20 v	12欧姆
MSR2N2222A	-	RFQ	9465	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	-	到达不受影响	150-MSR2N2222A			100									50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
1N3006RB	36.9900	RFQ	1750	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N3006		10 W	DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N3006RB	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A		10 µA @ 76 V							105 v	45欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²