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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 当前 -收集器截止（最大） | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） | 晶体管类型 | vce 饱和度（最大） @ ib，ic | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan1n4490dus/tr | 33.6000 |  | 1252 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N444490DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 88 V | 110 v | 300欧姆 | ||||||||||||||
 | cds4148ur-1/tr | - | | 8077 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | 150-CDS4148UR-1/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||
| JANTX1N4488US/TR | 15.2850 | | 7617 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTX1N4488US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 250 na @ 72.8 V | 91 v | 200欧姆 | ||||||||||||||
| JAN1N6343DUS/TR | 49.8300 | | 8364 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6343DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 47 V | 62 v | 125欧姆 | ||||||||||||||
 | JANTXV1N5968DUS/TR | - | | 8115 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANTXV1N5968DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 ma @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | ||||||||||||||
| JANS1N6637CUS/TR | - | | 6587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JANS1N666637CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 1 V | 5.1 v | 1.5欧姆 | ||||||||||||||
| JAN1N4957CUS/TR | 22.7100 | | 9503 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4957CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | ||||||||||||||
| Jan1n4471dus/tr | 34.7550 | | 3771 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4471DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 14.4 V | 18 V | 11欧姆 | ||||||||||||||
| JANS1N4474CUS/TR | 283.9800 | | 3769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANS1N4474CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 50 na @ 19.2 V | 24 V | 16欧姆 | ||||||||||||||
| JANTXV2N930UB/TR | - | | 4440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 200°C（TJ） | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | UB | - | 150-JANTXV2N930UB/TR | 1 | 45 v | 30 ma | - | NPN | - | - | - | |||||||||||||||
| Jan1n4992dus/tr | 46.8450 | | 6171 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JAN1N4992DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 206 V | 270 v | 800欧姆 | ||||||||||||||
| JANS1N6315DUS/TR | 412.3050 | | 1474 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANS1N6315DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20欧姆 | ||||||||||||||
| 1N6000ur/tr | 3.7350 | | 1827年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N6000ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 10 v | ||||||||||||||||
 | JANTXV1N990DUR-1/TR | - | | 6819 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | - | 150-JANTXV1N990DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 122 V | 160 v | 1700欧姆 | ||||||||||||||
 | JANTX1N6321CUS/TR | 34.8900 | | 8800 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6321CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | ||||||||||||||
 | Jan1n3051bur-1/tr | - | | 3188 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/115 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C〜175°C | 表面安装 | DO-213AB，MELF（MELF）） | 1.5 w | DO-213AB（梅尔，LL41） | 下载 | 150-JAN1N3051BUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 200 ma | 500 NA @ 152 V | 200 v | 1500欧姆 | ||||||||||||||
| JANTX1N6332DUS/TR | 58.0500 | | 1897年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6332DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 17 V | 22 v | 20欧姆 | ||||||||||||||
| Jan1n5196ur/tr | 27.2400 | | 8873 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/118 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | do-213aa | 标准 | do-213aa | - | 150-JAN1N5196UR/TR | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 225 v | 1 V @ 100 ma | 1 µA @ 250 V | -65°C〜175°C | 200mA | - | |||||||||||||||
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| JANS1N4580AR-1/TR | 86.1150 | | 9386 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-JANS1N4580AUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 2 µA @ 3 V | 25欧姆 | ||||||||||||||||
| JAN1N4461CUS/TR | 26.9100 | | 9119 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4461CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 5 µA @ 4.08 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | ||||||||||||||
| JANTXV1N6350DUS/TR | 68.7000 | | 8452 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTXV1N6350DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 91 V | 120 v | 600欧姆 | ||||||||||||||
| JAN1N6340CUS/TR | 63.8550 | | 3704 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6340CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 36 V | 47 V | 75欧姆 | ||||||||||||||
| JANTX1N6340US/TR | 18.2400 | | 4278 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6340US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 36 V | 47 V | 75欧姆 | ||||||||||||||
| JANTX1N4965CUS/TR | 20.5800 | | 2169 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4965CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 15.2 V | 20 v | 4.5欧姆 | ||||||||||||||
| 1月1N989CUR-1/TR | - | | 9500 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | 下载 | 150-JAN1N989CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 114 V | 150 v | 1500欧姆 | ||||||||||||||
| JANS1N4986CUS/TR | 462.1650 | | 4708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4986CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | ||||||||||||||
 | JAN1N6321DUS/TR | 38.3700 | | 3366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6321DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | ||||||||||||||
| Jan1n4478dus/tr | 34.7550 | | 8840 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4478DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 28.8 V | 36 V | 27欧姆 | ||||||||||||||
| JANTXV1N4982CUS/TR | 41.0400 | | 7755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4982CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
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