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离散半导体产品（（41164）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） | （（ZZT）） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | JANTX1N6340US/TR | 18.2400 | | 4278 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6340US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 36 V | 47 V | 75欧姆 | |||||||||||||||
 | JANTX1N4965CUS/TR | 20.5800 | | 2169 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4965CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 15.2 V | 20 v | 4.5欧姆 | |||||||||||||||
 | 1月1N989CUR-1/TR | - | | 9500 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | 下载 | 150-JAN1N989CUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 114 V | 150 v | 1500欧姆 | |||||||||||||||
| JANS1N4986CUS/TR | 462.1650 | | 4708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANS1N4986CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 114 V | 150 v | 330欧姆 | |||||||||||||||
 | JAN1N6321DUS/TR | 38.3700 | | 3366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6321DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 5 V | 7.5 v | 4欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n4478dus/tr | 34.7550 | | 8840 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4478DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 28.8 V | 36 V | 27欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4982CUS/TR | 41.0400 | | 7755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4982CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 2 µA @ 76 V | 100 v | 110欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N4464CUS/TR | 36.1500 | | 3318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTX1N4464CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 300 NA @ 5.46 V | 9.1 v | 4欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N4960DUS/TR | 32.4000 | | 1940年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTX1N4960DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 10 µA @ 9.1 V | 12 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N6337CUS/TR | 57.2550 | | 6584 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTXV1N6337CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 27 V | 36 V | 50欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n989dur-1/tr | - | | 3008 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/117 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 400兆 | do-213aa | 下载 | 150-JAN1N989DUR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.3 V @ 200 ma | 500 NA @ 114 V | 150 v | 1500欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4477CUS/TR | 45.2850 | | 6318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JANTXV1N4477CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 NA @ 26.4 V | 33 V | 25欧姆 | |||||||||||||||
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| JANS1N6486CUS/TR | - | | 9269 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | 下载 | 150-JANS1N6486CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N5712UB/TR | 65.2200 | | 3184 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/444 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 表面安装 | 3-SMD，没有铅 | 肖特基 | UB | - | 150-JANTXV1N5712UB/TR | 100 | 小信号= <200ma（io（io），任何速度 | 16 V | 1 V @ 35 MA | 150 na @ 16 V | -65°C〜150°C | 75mA | 2pf @ 0v，1MHz | ||||||||||||||||
| JANS1N4575AR-1/TR | 86.1150 | | 6232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/452 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C〜175°C | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-JANS1N4575AR-1/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 50 | 2 µA @ 3 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||
| JANTXV1N4956DUS/TR | 33.1950 | | 1544年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4956DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 50 µA @ 6.2 V | 8.2 v | 1.5欧姆 | |||||||||||||||
| Jan1n4462us/tr | 10.6050 | | 9049 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/406 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±5％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，a | 1.5 w | D-5A | - | 150-JAN1N4462US/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||
| JANTXV1N4957CUS/TR | 26.8950 | | 7148 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 5 w | E-Melf | - | 150-JANTXV1N4957CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 V @ 1 A | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 2欧姆 | |||||||||||||||
| JANTX1N6315CUS/TR | 44.6250 | | 4895 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JANTX1N6315CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 4.3 v | 20欧姆 | |||||||||||||||
| JAN1N5968CUS/TR | - | | 6415 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/356 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，E | 5 w | E-Melf | 下载 | 150-JAN1N5968CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 1 A | 5 ma @ 4.28 V | 5.6 v | 1欧姆 | |||||||||||||||
| JAN1N6336DUS/TR | 49.8300 | | 5176 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6336DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 50 na @ 25 V | 33 V | 40欧姆 | |||||||||||||||
| MSCSM120HRM163AG | 282.3100 | | 3105 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | - | - | 150-MSCSM120HRM163AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | （SIC） | ||||||||||||||||||||
| JANTXV1N6353CUS/TR | - | | 5625 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±2％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | 下载 | 150-JANTXV1N6353CUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 V @ 1 A | 50 NA @ 122 V | 160 v | 1200欧姆 | |||||||||||||||
| 1N6010ur/tr | 3.7350 | | 3556 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | - | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | do-213aa | 500兆 | do-213aa | - | 150-1N6010ur/tr | Ear99 | 8541.10.0050 | 264 | 1.1 V @ 200 ma | 27 V | |||||||||||||||||
| MSCSM170HRM233AG | 257.3200 | | 2581 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | 602W（TC），395W（tc） | - | - | 150-MSCSM170HRM233AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV） | 124A（TC），89A （TC） | 22.5mohm @ 60a，20v，31mohm @ 40a，20v | 3.2V @ 5mA，2.8V @ 3mA | 356nc @ 20v，232nc @ 20v | 6600pf @ 1000V，3020pf @ 1000V | （SIC） | |||||||||||||
| JAN1N6314DUS/TR | 49.0650 | | 3088 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/533 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | ±1％ | -65°C 〜175°C（TJ） | 表面安装 | SQ-MELF，b | 500兆 | B，平方米 | - | 150-JAN1N6314DUS/TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 V @ 1 A | 2 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | |||||||||||||||
| MSCSM170HRM451AG | 149.6700 | | 9909 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 底盘安装 | 模块 | （SIC） | 319W（TC），395W（tc） | - | - | 150-MSCSM170HRM451AG | 1 | （4 n 通道（三级逆变器） | 1700V（（1.7kV），1200V（1.2kV） | 64A（TC），89A （TC） | 45mohm @ 30a，20v，31mohm @ 40a，20v | 3.2V @ 2.5mA，2.8V @ 3mA | 178nc @ 20v，232nc @ 20V | 3300pf @ 1000V，3020pf @ 1000V | （SIC） |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
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