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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
JANSM2N3700UB	40.1900	RFQ	4795	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/391	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			500兆	UB	-	到达不受影响	150-JANSM2N3700UB			1								80 V	1 a	10NA			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
Janhca1n4627c	-	RFQ	2185	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4627c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	10 µA @ 5 V							6.2 v	1200欧姆
CDLL5268D	8.4150	RFQ	5369	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5268D	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	100 na @ 62 V							82 v	330欧姆
1N2443	102.2400	RFQ	3597	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N2443	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	400 v	1.1 V @ 200 A	50 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
1N5077SM	27.0900	RFQ	3813	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			3 W	a，平方米	-	到达不受影响	150-1N5077SM	Ear99	8541.10.0050	1				1 µA @ 22.8 V							30 V	15欧姆
2C3421-MSCL	5.4750	RFQ	2556	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-2C3421-MSCL			1
JANTX1N6341DUS	57.9000	RFQ	6892	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6341DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 39 V							51 v	85欧姆
JANTXV2N2920A	38.1577	RFQ	4051	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW	TO-78-6	-	到达不受影响	150-JANTXV2N2920A			1								60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
2N2484UBC	34.4850	RFQ	9637	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			360兆w	UBC	-	到达不受影响	150-2N2484UBC	Ear99	8541.21.0095	1								60 V	50 mA	2NA			NPN	300mv @ 100µA，1mA	250 @ 1mA，5V	-
1N2977BE3	37.5300	RFQ	2094	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N2977		10 W	DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N2977BE3	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 2 A	10 µA @ 9.9 V							13 V	3欧姆
JANTX1N6344DUS	57.9000	RFQ	6563	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6344DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 52 V							68 v	155欧姆
2N4931U4	82.5000	RFQ	2664	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U4	-	到达不受影响	150-2N4931U4	Ear99	8541.29.0095	1								250 v	200 ma	250NA（ICBO）			PNP	1.2V @ 3mA，30mA	50 @ 30mA，10v	-
UZ5118	32.2650	RFQ	3565	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	B，轴向			5 w	B，轴向	-	到达不受影响	150-UZ5118	Ear99	8541.10.0050	1				5 µA @ 137 V							180 v	450欧姆
2N6689	755.0400	RFQ	6152	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			6 W	TO-61	-	到达不受影响	150-2N6689	Ear99	8541.29.0095	1								300 v	15 a	100µA			NPN	5V @ 5a，15a	15 @ 1a，3v	-
SBR6050	148.2150	RFQ	6803	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		肖特基		DO-5（do-203ab）	-	到达不受影响	150-SBR6050	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	700 mv @ 60 a	2 ma @ 50 V	-55°C〜150°C	60a	-
JANS1N6344C	358.7400	RFQ	7101	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6344C	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A	50 NA @ 52 V							68 v	155欧姆
JANSG2N2221AUA	154.1904	RFQ	7171	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/255	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	4-SMD，没有铅			650兆	UA	-	到达不受影响	150-JANSG2N2221AUA			1								50 V	800 MA	50NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10V	-
2N5628	74.1300	RFQ	4441	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			116 W	TO-204AD（TO-3）	-	到达不受影响	150-2N5628	Ear99	8541.29.0095	1								100 v	10 a	-			PNP	1.5V @ 1mA，5mA	-	-
JANTXV1N4974CUS	40.8900	RFQ	2324	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4974CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 35.8 V							47 V	25欧姆
2N5676	46.7250	RFQ	9357	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-2N5676			1
1N413B	44.2050	RFQ	8220	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	下载	到达不受影响	150-1N413B	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 200 A	50 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	100a	-
JANTXV1N4964DUS	27.0600	RFQ	1841年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4964DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	5 µA @ 13.7 V							18 V	4欧姆
2N5331	660.6600	RFQ	5810	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MB，TO-63-4，螺柱			175 w	TO-63	-	到达不受影响	150-2N5331	Ear99	8541.29.0095	1								90 v	30 a	-			NPN	-	-	-
JANS1N4485CUS	283.8300	RFQ	9501	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-	到达不受影响	150-JANS1N4485CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	250 NA @ 54.4 V							68 v	100欧姆
2N6594	110.9100	RFQ	6383	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			100 W	TO-204AD（TO-3）	-	到达不受影响	150-2N6594	Ear99	8541.29.0095	1								40 V	12 a	-			PNP	-	-	-
Janhca1n5527c	-	RFQ	3605	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n5527c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma	500 NA @ 6.8 V							7.5 v	35欧姆
JANTXV1N4983DUS	51.1200	RFQ	2570	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4983DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A	2 µA @ 83.6 V							110 v	125欧姆
CDLL942A	13.0200	RFQ	6414	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL942A	Ear99	8541.10.0050	1				15 µA @ 8 V							11.7 v	30欧姆
1N5540	1.8150	RFQ	4361	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5540	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma	10 na @ 17 V							20 v
CDS5542B-1	-	RFQ	8268	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS5542B-1	Ear99	8541.10.0050	50

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²