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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N4487US/TR	11.5000	RFQ	4137	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		250 na @ 65.6 V							82 v	160欧姆
1N5711UBCA/TR	32.0600	RFQ	7651	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	肖特基		UB	-				100	小信号= <200ma（io（io），任何速度	1对公共阳极	50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C
1N4758ur-1/tr	3.6200	RFQ	5189	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	272				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 42.6 V							56 v	110欧姆
1N5237BUR-1/TR	3.0200	RFQ	8664	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	329				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6.5 V							8.2 v	8欧姆
1N6701US/TR	30.1200	RFQ	8998	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，c	肖特基		D-5C	-				100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		30 V	470 mv @ 5 a		200 µA @ 30 V	-65°C〜125°C	5a	-
1N47533龙/tr	3.6200	RFQ	3073	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	272				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 27.4 V							36 V	50欧姆
1N5274BUR-1/TR	5.3400	RFQ	1062	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	182				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 99 V							130 v	1100欧姆
1N4987US/TR	13.1100	RFQ	7645	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 121.6 V							160 v	350欧姆
1N4115UR-1/tr	3.9400	RFQ	7796	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	249				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V							22 v	150欧姆
1N4692UR-1/TR	5.2400	RFQ	4225	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 100 ma		10 µA @ 5.1 V							6.8 v
1N4114ur/tr	3.9400	RFQ	6809	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	249				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 15.2 V							20 v	150欧姆
1N3043BUR-1/TR	15.4500	RFQ	6735	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 69.2 V							91 v	250欧姆
1N4488US/TR	11.5000	RFQ	7068	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		250 na @ 72.8 V							91 v	200欧姆
1N5711UB/TR	23.5500	RFQ	1878年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅	肖特基		UB	-				100	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V	1 V @ 15 mA		200 na @ 50 V	-65°C〜150°C	33ma	2pf @ 0v，1MHz
1N4749ur-1/tr	3.6200	RFQ	7146	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	272				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 18.2 V							24 V	25欧姆
1N5806urs/tr	32.5400	RFQ	3302	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	标准		a，平方米	-				100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
1N4989US/TR	13.1100	RFQ	3671	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，E		5 w	E-Melf	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V							200 v	500欧姆
1N3595AUS/TR	9.9200	RFQ	9392	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213aa	标准		do-213aa	-				100	小信号= <200ma（io（io），任何速度		125 v	920 MV @ 100 mA	3 µs	2 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	8pf @ 0v，1MHz
1N6633US/TR	22.2800	RFQ	5390	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.5 V @ 1 A		250 µA @ 1 V							3.6 v	2.5欧姆
1N4729AUR/TR	3.6200	RFQ	8657	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	272				1.2 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							3.6 v	10欧姆
1N5535CUR-1/TR	13.1400	RFQ	3271	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	100				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V							15 v	100欧姆
1N4121UR-1/TR	3.9400	RFQ	6103	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	249				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 25.1 V							33 V	200欧姆
1N5946BUR-1/TR	4.6800	RFQ	7368	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	209				1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 56 V							75 v	140欧姆
1N5541Bur-1/tr	6.6300	RFQ	9497	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	146				1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19.8 V							22 v	100欧姆
1N5279BUR-1/TR	5.3400	RFQ	1753年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	182				1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 137 V							180 v	2200欧姆
1N4748AR/TR	3.6200	RFQ	5184	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	272				1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 16.7 V							22 v	23欧姆
1N3825AR-1/TR	8.9400	RFQ	9695	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.5 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-		Ear99	8541.10.0050	108				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V							4.7 v	8欧姆
1N5236BUR-1/TR	3.0900	RFQ	2089	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-		Ear99	8541.10.0050	323				1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 6 V							7.5 v	6欧姆
JAN2N2946AUB/TR	-	RFQ	4588	微芯片技术	MIL-PRF-19500/382	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅		400兆	UB	-	150-JAN2N2946AUB/TR			1										35 v	100 ma	10µA（ICBO）			PNP	-	50 @ 1mA，500mv	-
JAN1N6488CUS/TR	-	RFQ	2734	微芯片技术	MIL-PRF-19500/406	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a		1.5 w	D-5A	下载	150-JAN1N6488CUS/TR	Ear99	8541.10.0050	1				1.5 V @ 1 A		5 µA @ 1 V							4.3 v	9欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²