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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
Janhca1n6677	-	RFQ	8859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		肖特基		DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n6677	Ear99	8541.10.0070	50	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
R42100D	102.2400	RFQ	7902	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R42100D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	125a	-
UTR40	9.2550	RFQ	1439	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向		标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTR40	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.1 V @ 200 ma	350 ns	3 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
S30780	49.0050	RFQ	1289	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S30780			1
UFT3010A	62.1000	RFQ	8100	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3		标准		TO-204AA（TO-3）	-	到达不受影响	150-UFT3010A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
2N3904UB	59.6550	RFQ	4175	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-2N3904UB			1
CDLL5276C	6.7200	RFQ	6041	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5276C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 108 V							150 v	1500欧姆
1N2135	74.5200	RFQ	3357	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2135	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
CDLL4955	11.1450	RFQ	1784年	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDLL4955	Ear99	8541.10.0050	1
CD965A	1.6950	RFQ	1179	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD965A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 11 V							15 v	16欧姆
CDLL5919E3	4.1250	RFQ	7738	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL5919E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V							5.6 v	2欧姆
1N1663	158.8200	RFQ	2497	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N1663	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 200 V	-65°C 〜190°C	275a	-
CDLL3595	17.5500	RFQ	3773	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDLL3595			1
CDLL5535C	12.1950	RFQ	6205	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5535C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V							15 v	100欧姆
JANTX1N6331CUS	39.7950	RFQ	9796	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6331CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V							20 v	18欧姆
2N5743	37.1850	RFQ	6829	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			43 W	TO-66（TO-213AA）	-	到达不受影响	150-2N5743	Ear99	8541.29.0095	1											60 V	20 a	-			PNP	1.5V @ 1mA，10mA	-	-
CD4372	2.6250	RFQ	5414	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD4372	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		50 µA @ 1 V							3 V	29欧姆
CDLL4756B	3.6450	RFQ	5869	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））			1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL4756B	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		100 na @ 35.8 V							47 V	80欧姆
S306AA0F	49.0050	RFQ	5938	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-S306AA0F			1
1N2818BU3	339.9900	RFQ	8922	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	1N2818		50 W	U3 （SMD-0.5）	下载	到达不受影响	150-1N2818BU3	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 15.2 V							20 v	2.4欧姆
1n1373a	44.3850	RFQ	4452	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-	螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N137		10 W	DO-203AA（DO-4）	-	到达不受影响	150-1N1373A	Ear99	8541.10.0050	1														82 v	22欧姆
2N4235L	40.7850	RFQ	5265	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-2N4235L	Ear99	8541.29.0095	1											60 V	1 a	1ma			PNP	600mv @ 100mA，1a	40 @ 100mA，1V	-
JankCAM2N3636	-	RFQ	8424	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JankCAM2N3636			100											175 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
CD4150V	2.8350	RFQ	4165	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	死		标准		死	-	到达不受影响	150-CD4150V	Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		50 V		1 V @ 200 MA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
1N3624	44.1600	RFQ	2192	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准		DO-4（do-203AA）	-	到达不受影响	150-1N3624	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1 V @ 1 A	3 µs	100 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	16a	-
JANTXV1N4978DUS	51.1200	RFQ	8715	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4978DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 51.7 V							68 v	50欧姆
CD964D	-	RFQ	1777年	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD964D	Ear99	8541.10.0050	556					1.5 V @ 200 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
1N1674	158.8200	RFQ	8712	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N1674	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 300 V	-65°C 〜190°C	275a	-
JANSL2N5153U3	229.9812	RFQ	6434	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/545	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1.16 w	U3	-	到达不受影响	150-JANSL2N5153U3			1											80 V	2 a	50µA			PNP	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
JANS1N4493D	343.5150	RFQ	7926	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANS1N4493D	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V							150 v	700欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²