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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
2N5880	41.7354	RFQ	2288	微芯片技术	*	大部分	积极的							2N5880						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MSCSM70XM75CTYZBNMG	-	RFQ	2650	微芯片技术	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块			（SIC）	90W（TC），141W（tc）		-	下载	rohs3符合条件						1	6 n通道（3相桥）							700V	31a（TC），52a（tc）		75mohm @ 20a，20v，44mohm @ 30a，20v	2.4V @ 1MA，2.7V @ 2mA	56nc @ 20v，99nc @ 20v		1175pf @ 700V，2010pf @ 700V	（SIC）
MSCGLQ50X120CTYZBNMG	-	RFQ	6964	微芯片技术	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块				330 w	三相桥梁整流器	-	下载	rohs3符合条件						1	三期逆变器																											-	1200 v	90 a	2.4V @ 15V，50a		25 µA	是的			2770 pf @ 25 V
ICPB1005-1-110I	-	RFQ	2728	微芯片技术	-	盒子	积极的		28 V			表面安装	死		14GHz	甘姆特			死	下载	rohs3符合条件						1	-			2a	250 MA	25W	6.4dB											-														28 V
MSCGLQ50X065CTYZBNMG	-	RFQ	1202	微芯片技术	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块				210 w	三相桥梁整流器	-	下载	rohs3符合条件						1	三期逆变器																											-	650 v	70 a	2.3V @ 15V，50a		50 µA	是的			3100 pf @ 25 V
CDLL5313/tr	25.2900	RFQ	4553	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C〜175°C	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL53			500MW		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL5313/tr	Ear99	8541.10.0050	1																																						100V	4.73mA	2.75V
CDLL5944B	3.9300	RFQ	6994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜175°C		表面安装	do-213ab，Melf	CDLL5944			1.25 w		do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 47.1 V											62 v	100欧姆
JANTX1N6624/TR	17.1900	RFQ	8950	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/585	胶带和卷轴（（tr）	积极的					通过洞	a，轴向			标准			a，轴向	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N6624/TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		990 v		1.55 V @ 1 A	50 ns	500 NA @ 990 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
1N6857-1/tr	8.8800	RFQ	6601	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的					通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			肖特基			DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6857-1/tr	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		20 v		750 mv @ 35 ma		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C	150mA	4.5pf @ 0v，1MHz
APTGLQ75H120TG	152.8300	RFQ	5295	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜175°C（TJ）		底盘安装	模块	APTGLQ75			385 w	标准	SP4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥																											沟渠场停止	1200 v	130 a	2.4V @ 15V，75a		50 µA	是的			4.4 NF @ 25 V
APTML100U60R020T1AG	138.1500	RFQ	12	微芯片技术	-	大部分	积极的			-40°C〜150°C（TJ）		底盘安装	SP1	APTML100		MOSFET （金属 o化物）			SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					1000 v	20A（TC）	10V	720MOHM @ 10a，10v	4V @ 2.5mA		±30V	6000 pf @ 25 V	-	520W（TC）
1N5712UBCA/TR	32.0600	RFQ	5851	微芯片技术	MIL-PRF-19500/444	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	3-SMD，没有铅			肖特基			UB	-							100		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	1对公共阳极	16 V	75mA	1 V @ 35 MA		150 na @ 16 V	-65°C〜150°C
1N4756ur-1/tr	3.6200	RFQ	1985	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±10％		-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				1 w		DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	272																						1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 35.8 V											47 V	80欧姆
1N4742AURE3/tr	3.8000	RFQ	5588	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				1 w		DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	258																						1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 9.1 V											12 v	9欧姆
1N992BUR-1/TR	10.6400	RFQ	5350	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				400兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	100																						1.3 V @ 200 ma		500 NA @ 152 V											200 v	2500欧姆
1N3024BUR-1/TR	15.4500	RFQ	5505	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				1 w		DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	100																						1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V											15 v	14欧姆
1N6009ur-1/tr	3.7400	RFQ	6221	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264																						1.1 V @ 200 ma													24 V
1N6350US/TR	14.7900	RFQ	9092	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				500兆		B，平方米	-					Ear99	8541.10.0050	100																						1.4 V @ 1 A		50 NA @ 91 V											120 v	600欧姆
1N6010ur-1/tr	3.7400	RFQ	5639	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264																						1.1 V @ 200 ma													27 V
1N4130ur-1/tr	3.9400	RFQ	6992	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	249																						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V											68 v	700欧姆
Jan1n4992us/tr	14.7300	RFQ	4765	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w		E-Melf	-				150-JAN1N4992US/TR	Ear99	8541.10.0050	100																						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V											270 v	800欧姆
1N5301UR-1/tr	21.9800	RFQ	1429	微芯片技术	MIL-PRF-19500/463	胶带和卷轴（（tr）	积极的			-65°C 〜175°C（TJ）	-	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				500MW		DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	100																																						100V	1.54mA	1.55V
1n4992us/tr	16.4800	RFQ	8833	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w		E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	100																						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V											270 v	800欧姆
JANTX1N4992US/TR	22.2900	RFQ	5288	微芯片技术	MIL-PRF-19500/356	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w		E-Melf	-				150-JANTX1N4992US/TR	Ear99	8541.10.0050	100																						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V											270 v	800欧姆
1N4988US/TR	13.1100	RFQ	1568年	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w		E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	100																						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 136.8 V											180 v	450欧姆
1N5943BUR-1/TR	4.6800	RFQ	5451	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））				1.25 w		DO-213AB（梅尔，LL41）	-					Ear99	8541.10.0050	209																						1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V											56 v	86欧姆
1N757AR-1/TR	3.1800	RFQ	4995	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				400兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	313																						1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V											9.1 v	6欧姆
1N4686ur-1/tr	5.2400	RFQ	3965	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	186																						1.5 V @ 100 ma		5 µA @ 2 V											3.9 v
1N5998ur-1/tr	3.7400	RFQ	3048	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa				500兆		do-213aa	-					Ear99	8541.10.0050	264																						1.1 V @ 200 ma													8.2 v
1N4984US/TR	13.1100	RFQ	5218	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b				5 w		E-Melf	-					Ear99	8541.10.0050	100																						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 91.2 V											120 v	170欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²