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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CD4781	18.4950	RFQ	9991	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	死			死	-	到达不受影响	150-CD4781	Ear99	8541.10.0050	1																8.5 v	200欧姆
1N2285R	74.5200	RFQ	3436	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2285R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		600 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	35a	-
1N5526C	11.3550	RFQ	8039	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5526C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 6.2 V									6.8 v	30欧姆
CDS758A-1	-	RFQ	9907	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDS758A-1	Ear99	8541.10.0050	50
JANS1N4989DUS	527.9550	RFQ	1241	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANS1N4989DUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V									200 v	500欧姆
JANTXV1N6351CUS	57.1050	RFQ	5756	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTXV1N6351CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 99 V									130 v	850欧姆
UZ712	22.4400	RFQ	9884	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向		3 W	a，轴向	-	到达不受影响	150-UZ712	Ear99	8541.10.0050	1							10 µA @ 9.1 V									12 v	5欧姆
JANTXV1N4989CUS	40.8900	RFQ	7964	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4989CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 152 V									200 v	500欧姆
2N3491	547.4100	RFQ	7634	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱		115 w	TO-61	-	到达不受影响	150-2N3491	Ear99	8541.29.0095	1											80 V	7 a			-			NPN	-	-	-
1N2275	74.5200	RFQ	1348	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2275	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		300 v		1.19 V @ 90 A	5 µs	10 µA @ 300 V	-65°C 〜200°C	6a	-
680-4e3	216.7048	RFQ	7450	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	na	标准		na	-	到达不受影响	150-680-4e3	Ear99	8541.10.0080	1					1.2 V @ 2 A		2 µA @ 400 V		10 a				单相	400 v
R43140	102.2400	RFQ	5608	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R43140	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1400 v		1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
Janhca1n749d	-	RFQ	6015	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n749d	Ear99	8541.10.0050	100					1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V									4.3 v	22欧姆
SBR6025	148.2150	RFQ	6501	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	肖特基		DO-5（do-203ab）	-	到达不受影响	150-SBR6025	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		25 v		600 mv @ 60 a		2 ma @ 25 V	-55°C〜150°C	60a	-
Janhca1n6677	-	RFQ	8859	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/610	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	肖特基		DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Janhca1n6677	Ear99	8541.10.0070	50	小信号= <200ma（io（io），任何速度		40 V		500 mV @ 200 ma		5 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	200mA	50pf @ 0v，1MHz
R42100D	102.2400	RFQ	7902	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱	标准，反极性		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-R42100D	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.2 V @ 200 A		50 µA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	125a	-
UTR40	9.2550	RFQ	1439	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	a，轴向	标准		a，轴向	-	到达不受影响	150-UTR40	Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		400 v		1.1 V @ 200 ma	350 ns	3 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	500mA	60pf @ 0v，1MHz
S30780	49.0050	RFQ	1289	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-S30780			1
UFT3010A	62.1000	RFQ	8100	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-204AA，TO-3	标准		TO-204AA（TO-3）	-	到达不受影响	150-UFT3010A	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对公共阳极	100 v	30a	930 MV @ 15 A	35 ns	15 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
2N3904UB	59.6550	RFQ	4175	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-2N3904UB			1
CDLL5276C	6.7200	RFQ	6041	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa			do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5276C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 108 V									150 v	1500欧姆
1N2135	74.5200	RFQ	3357	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	标准		DO-5（do-203ab）	下载	到达不受影响	150-1N2135	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		400 v		1.25 V @ 200 A		25 µA @ 400 V	-65°C 〜200°C	70a	-
CDLL4955	11.1450	RFQ	1784年	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL4955	Ear99	8541.10.0050	1
CD965A	1.6950	RFQ	1179	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死		500兆	死	-	到达不受影响	150-CD965A	Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 200 ma		500 na @ 11 V									15 v	16欧姆
CDLL5919E3	4.1250	RFQ	7738	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））		1.25 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	-	到达不受影响	150-CDLL5919E3	Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 3 V									5.6 v	2欧姆
1N1663	158.8200	RFQ	2497	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	标准		DO-205AB（DO-9）	下载	到达不受影响	150-1N1663	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		200 v		1.3 V @ 300 A		75 µA @ 200 V	-65°C 〜190°C	275a	-
CDLL3595	17.5500	RFQ	3773	微芯片技术	*	大部分	积极的								-	到达不受影响	150-CDLL3595			1
CDLL5535C	12.1950	RFQ	6205	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa		500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5535C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		10 na @ 13.5 V									15 v	100欧姆
JANTX1N6331CUS	39.7950	RFQ	9796	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b		500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANTX1N6331CUS	Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 15 V									20 v	18欧姆
2N5743	37.1850	RFQ	6829	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2		43 W	TO-66（TO-213AA）	-	到达不受影响	150-2N5743	Ear99	8541.29.0095	1											60 V	20 a			-			PNP	1.5V @ 1mA，10mA	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²