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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CDS965B-1	-	RFQ	9738	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-CDS965B-1	Ear99	8541.10.0050	50
Janhca1n4117c	-	RFQ	1859年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4117c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 19 V							25 v	150欧姆
S43140T	112.3200	RFQ	1061	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		标准		DO-205AA（DO-8）	-	到达不受影响	150-S43140T	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	1400 v	1.1 V @ 200 A		50 µA @ 1400 V	-65°C 〜200°C	150a	-
Janhca1n986c	-	RFQ	3739	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n986c	Ear99	8541.10.0050	100			1.3 V @ 200 ma		5 µA @ 83.6 V							110 v	750欧姆
CDLL5524C	12.1950	RFQ	1317	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	到达不受影响	150-CDLL5524C	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 3.5 V							5.6 v	30欧姆
UTR2360	11.8800	RFQ	9844	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	-	到达不受影响	150-UTR2360	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	600 v	1.1 V @ 2 A	400 ns	5 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	2a	160pf @ 0v，1MHz
R21100F	33.4500	RFQ	2755	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-R21100F			1
jankca1n5539c	-	RFQ	4777	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-Jankca1n5539c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 17.1 V							19 v	100欧姆
2n6299p	40.0500	RFQ	7972	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			64 W	TO-66（TO-213AA）	-	到达不受影响	150-2N6299P	Ear99	8541.29.0095	1									80 V	8 a	500µA			pnp-达灵顿	2V @ 80mA，8a	750 @ 4A，3V	-
Janhca1n980c	-	RFQ	2788	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n980c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 47.1 V							62 v	185欧姆
1N4576A	8.4300	RFQ	9994	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N4576A	Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V							6.4 v	50欧姆
Janhca1n4126d	-	RFQ	4473	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4126d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 NA @ 38.76 V							51 v	300欧姆
2N3676	30.6450	RFQ	6727	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			8 w	TO-5AA	-	到达不受影响	150-2N3676	Ear99	8541.29.0095	1									90 v	3 a	-			NPN	800mv @ 100µA，1mA	-	-
JANSL2N2219A	114.6304	RFQ	6052	微芯片技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜200°C	通过洞	到205AD，TO-39-3			800兆	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANSL2N2219A			1									50 V	800 MA	10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
2C5238-MSCL	13.3950	RFQ	2475	微芯片技术	*	大部分	积极的									-	到达不受影响	150-2C5238-MSCL			1
JANS1N6322D	350.3400	RFQ	3184	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANS1N6322D	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		1 µA @ 6 V							8.2 v	5欧姆
1N1124R	38.3850	RFQ	8700	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准，反极性		DO-4（do-203AA）	下载	到达不受影响	150-1N1124R	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）	200 v	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	12a	-
Janhca1n4107c	-	RFQ	5636	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4107c	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.857 V							13 V	200欧姆
1N5248D	9.7800	RFQ	2967	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-1N5248D	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 14 V							18 V	21欧姆
JANS1N6338DUS	532.6350	RFQ	9010	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	-	到达不受影响	150-JANS1N6338DUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.4 V @ 1 A		50 NA @ 30 V							39 v	55欧姆
JANTXV1N4493C	33.0000	RFQ	8748	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4493C	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 120 V							150 v	700欧姆
JASP2N3500	41.5800	RFQ	2469	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANSP2N3500			1									150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
jankccg2n3500	-	RFQ	9141	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/366	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	TO-39（（TO-205AD）	-	到达不受影响	150-JANKCCG2N3500			100									150 v	300 MA	10µA（ICBO）			NPN	400mv @ 15mA，150mA	40 @ 150mA，10V	-
JANTX2N2920A	35.9632	RFQ	2525	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/355	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-78-6金属罐	2N2920		350MW	TO-78-6	-	到达不受影响	150-JANTX2N2920A			1									60V	30mA	10µA（ICBO）			2 NPN （双）	300mv @ 100µA，1mA	300 @ 1mA，5v	-
JANS2N3506L	70.3204	RFQ	2739	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/349	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	-	到达不受影响	150-JANS2N3506L			1									40 V	3 a	1µA			NPN	1.5V @ 250mA，2.5a	50 @ 500mA，1V	-
1N756	2.1600	RFQ	1973	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	到达不受影响	150-1N756	Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							8.2 v	8欧姆
JANTXV1N4990CUS	40.8900	RFQ	7395	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	-	到达不受影响	150-JANTXV1N4990CUS	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 167 V							220 v	550欧姆
CD5245	4.0650	RFQ	8289	微芯片技术	-	大部分	积极的	±20％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-CD5245	Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 200 ma		100 na @ 11 V							15 v	16欧姆
Janhca1n4105d	-	RFQ	1551年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	-	到达不受影响	150-Janhca1n4105d	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 8.44 V							11 V	200欧姆
jankca1n5538c	-	RFQ	5171	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	到达不受影响	150-JANKCA1N5538C	Ear99	8541.10.0050	100			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.2 V							18 V	100欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²