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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N6325US	16.4400	RFQ	557	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b	1N6325		500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V									11 V	7欧姆
1n6332us	-	RFQ	4233	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 na @ 17 V									22 v	500欧姆
1N6334US	-	RFQ	4404	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		50 NA @ 21 V									27 V	27欧姆
1N747A	2.1600	RFQ	419	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N747		500兆	DO-7（do-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n747am	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		3 µA @ 1 V									3.6 v	24欧姆
1N757A	2.3400	RFQ	1100	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N757		500兆	DO-7（do-204AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 7 V									9.1 v	10欧姆
1N945B	37.3050	RFQ	1505	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-55°C〜150°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N945		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q9122451	Ear99	8541.10.0050	1							15 µA @ 8 V									11.7 v	30欧姆
1N959BE3	3.8100	RFQ	9481	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N959		500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V									8.2 v	6.5欧姆
2N3637UB	14.1900	RFQ	268	微芯片技术	-	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N3637		1.5 w	UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
689-3p	-	RFQ	4587	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产			底盘安装	nd，模块	689-3	标准		ND	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	1对普通阴极	300 v	15a	1.2 V @ 10 A	500 ns	10 µA @ 300 V	150°C （最大）
803-2	-	RFQ	4404	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4平方，MB		标准		MB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1							20 µA @ 100 V						单相	100 v
UES1103SM	21.9300	RFQ	90	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	UES1103	标准		A夫人	-	Rohs不合规	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		150 v		975 mv @ 2 a	25 ns	2 µA @ 150 V	175°c （最大）	2.5a	-
UFR3020	68.3850	RFQ	7867	微芯片技术	-	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	UFR3020	标准		do-4	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		975 MV @ 30 A	35 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	30a	140pf @ 10V，1MHz
CDLL5246BE3	2.5800	RFQ	8232	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	CDLL5246		10兆	do-213aa	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1086-15187-mil	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V									16 V	17欧姆
CDLL5819E3	9.2400	RFQ	4650	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	CDLL5819	肖特基		do-213ab	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1086-15189-mil	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
CDS5711UR-1	182.1000	RFQ	23	微芯片技术	*	大部分	积极的					CDS5711				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
Jan1n3016b-1	9.2700	RFQ	9168	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N3016		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.2 V @ 200 ma		150 µA @ 5.2 V									6.8 v	3.5欧姆
1月1N3174	1.0000	RFQ	3	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/211	大部分	积极的			底盘，螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱		标准		DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		1000 v		1.55 V @ 940 A		10 mA @ 1000 V	-65°C 〜200°C	300A	-
Jan1n3339b	-	RFQ	6430	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-203ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 69.2 V									91 v	15欧姆
1月1N3595-1	2.3100	RFQ	6135	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3595	标准		do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		125 v		1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜175°C	150mA	-
Jan1n4148ur-1	1.2000	RFQ	694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/241	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4148	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度		100 v		800 mv @ 10 ma	20 ns	25 na @ 20 V	-65°C〜175°C	200mA	2.8pf @ 1.5V，1MHz
Jan1n5554us	9.9900	RFQ	5469	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/420	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，E	1N5554	标准		D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1000 v		1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	5a	-
Jan1n5615us	8.4300	RFQ	5223	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/429	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，a	1N5615	标准		D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		200 v		800 mv @ 3 a	150 ns	500 µA @ 200 V	-65°C 〜200°C	1a	-
Jan1n5819ur-1	8.5200	RFQ	9220	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/586	大部分	积极的			表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N5819	肖特基		DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）		45 v		490 mv @ 1 A		50 µA @ 45 V	-65°C〜125°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
1月1N6490	88.6600	RFQ	18	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N6490		1.5 w	do-41	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		1 µA @ 1 V									5.1 v	7欧姆
JANS1N4109UR-1	49.4550	RFQ	2693	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4109		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V									15 v	100欧姆
JANS1N4471US	-	RFQ	5269	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		50 NA @ 14.4 V									18 V	11欧姆
JANS1N4627UR-1	-	RFQ	6238	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 5 V									6.2 v	1200欧姆
JANS1N4971US	88.5000	RFQ	6	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E	1N4971		5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 27.4 V									36 V	11欧姆
JANS1N4972US	86.7300	RFQ	3	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，E			5 w	D-5B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 29.7 V									39 v	14欧姆
JANS1N6314US	-	RFQ	7319	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 1 A		2 µA @ 1 V									3.9 v	23欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²