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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
JANTX1N5536B-1 Microchip Technology JANTX1N5536B-1 6.8550
RFQ
 ECAD 7859 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/437 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5536 500兆 DO-204AH（DO-35）（DO-35） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 10 na @ 14.4 V 16 V 100欧姆
JANTX1N5617US Microchip Technology JANTX1N5617US 8.5000
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/429 大部分 积极的 表面安装 SQ-MELF，a 1N5617 标准 D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.6 V @ 3 A 150 ns 500 µA @ 400 V -65°C〜175°C 1a 35pf @ 12V，1MHz
JANTX1N6319 Microchip Technology JANTX1N6319 -
RFQ
 ECAD 8825 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
JANTX1N6322US Microchip Technology JANTX1N6322U 18.0900
RFQ
 ECAD 4303 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/533 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，b 1N6322 500兆 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 6 V 8.2 v 5欧姆
JANTX1N6488US Microchip Technology JANTX1N6488US -
RFQ
 ECAD 4043 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，a 1.5 w D-5A 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5 µA @ 1 V 4.3 v 9欧姆
JANTX1N747A-1 Microchip Technology JANTX1N747A-1 2.2800
RFQ
 ECAD 1200 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N747 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 3.6 v 22欧姆
JANTX1N749A-1 Microchip Technology JANTX1N749A-1 2.2800
RFQ
 ECAD 2699 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N749 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 1 V 4.3 v 18欧姆
JANTX1N751DUR-1 Microchip Technology JANTX1N751DUR-1 16.9050
RFQ
 ECAD 4772 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±1％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N751 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 17欧姆
JANTX1N752A-1 Microchip Technology JANTX1N752A-1 2.3800
RFQ
 ECAD 534 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N752 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2.5 V 5.6 v 8欧姆
JANTX1N753A-1 Microchip Technology JANTX1N753A-1 2.3850
RFQ
 ECAD 4489 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N753 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3.5 V 6.2 v 3欧姆
JANTX1N755C-1 Microchip Technology JANTX1N755C-1 -
RFQ
 ECAD 9578 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 2 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
JANTX1N966B-1 Microchip Technology JANTX1N966B-1 2.2650
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N966 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 12 V 16 V 17欧姆
JANTX1N967B-1 Microchip Technology JANTX1N967B-1 2.1800
RFQ
 ECAD 556 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/127 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N967 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 14 V 18 V 21欧姆
JANTX1N970B-1 Microchip Technology JANTX1N970B-1 2.2500
RFQ
 ECAD 7317 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N970 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 na @ 18 V 24 V 33欧姆
JANTX1N972B-1 Microchip Technology JANTX1N972B-1 2.2200
RFQ
 ECAD 3504 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N972 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 21 V 27 V 41欧姆
JANTX1N974B-1 Microchip Technology JANTX1N974B-1 2.8500
RFQ
 ECAD 3680 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N974 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 27 V 36 V 70欧姆
JANTX1N978B-1 Microchip Technology JANTX1N978B-1 3.4350
RFQ
 ECAD 8966 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N978 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 39 V 51 v 125欧姆
JANTX1N982B-1 Microchip Technology JANTX1N982B-1 4.4850
RFQ
 ECAD 2268 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N982 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 56 V 75 v 270欧姆
JANTX1N983B-1 Microchip Technology JANTX1N983B-1 2.7750
RFQ
 ECAD 8347 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/117 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N983 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 500 NA @ 62 V 82 v 330欧姆
JANTX2N3740 Microchip Technology JANTX2N3740 -
RFQ
 ECAD 6626 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/441 大部分 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 TO-213AA，TO-66-2 2N3740 25 w 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 60 V 4 a 10µA PNP 600mv @ 125mA，1a 30 @ 250mA，1V -
1N6316US Microchip Technology 1N6316US 16.5300
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，b 1N6316 500兆 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 5 µA @ 3.5 V 4.7 v 1500欧姆
1N6325US Microchip Technology 1N6325US 16.4400
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，b 1N6325 500兆 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 1 µA @ 8.5 V 11 V 7欧姆
1N6332US Microchip Technology 1n6332us -
RFQ
 ECAD 4233 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 na @ 17 V 22 v 500欧姆
1N6334US Microchip Technology 1N6334US -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 SQ-MELF，b 500兆 B，平方米 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.4 V @ 1 A 50 NA @ 21 V 27 V 27欧姆
1N747A Microchip Technology 1N747A 2.1600
RFQ
 ECAD 419 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N747 500兆 DO-7（do-204AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 1n747am Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 1 V 3.6 v 24欧姆
1N757A Microchip Technology 1N757A 2.3400
RFQ
 ECAD 1100 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204aa，do-7，轴向 1N757 500兆 DO-7（do-204AA） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
1N945B Microchip Technology 1N945B 37.3050
RFQ
 ECAD 1505 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±2％ -55°C〜150°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N945 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Q9122451 Ear99 8541.10.0050 1 15 µA @ 8 V 11.7 v 30欧姆
1N959BE3 Microchip Technology 1N959BE3 3.8100
RFQ
 ECAD 9481 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N959 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 50 µA @ 6.2 V 8.2 v 6.5欧姆
2N3637UB Microchip Technology 2N3637UB 14.1900
RFQ
 ECAD 268 0.00000000 微芯片技术 - 托盘 积极的 -65°C 〜200°C（TJ） 表面安装 3-SMD，没有铅 2N3637 1.5 w UB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µA PNP 600mv @ 5mA，50mA 100 @ 50mA，10V -
689-3P Microchip Technology 689-3p -
RFQ
 ECAD 4587 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 在sic中停产 底盘安装 nd，模块 689-3 标准 ND 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 300 v 15a 1.2 V @ 10 A 500 ns 10 µA @ 300 V 150°C （最大）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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