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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
1N6004A	1.9950	RFQ	6506	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6004		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 9.1 V				15 v	42欧姆
1N6004C	4.1550	RFQ	5826	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6004		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 11 V				15 v	32欧姆
1N6005D	5.1900	RFQ	7725	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6005		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V				16 V	36欧姆
1N6007A	1.9950	RFQ	8305	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6007		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 12 V				20 v	62欧姆
1N6007C	4.1550	RFQ	2562	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6007		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15 V				20 v	48欧姆
1N6008A	1.9950	RFQ	8218	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6008		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 14 V				22 v	70欧姆
1N6008D	5.1900	RFQ	6713	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6008		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 17 V				22 v	55欧姆
1N6009A	1.9950	RFQ	7591	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6009		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 15 V				24 V	78欧姆
1N6010A	1.9950	RFQ	8096	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6010		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 17 V				27 V	88欧姆
1N6011A	1.9950	RFQ	8357	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6011		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 18 V				30 V	95欧姆
1N6012D	5.1900	RFQ	3546	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6012		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 25 V				33 V	88欧姆
1N6013A	1.9950	RFQ	2745	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6013		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 23 V				36 V	130欧姆
1N6015A	1.9950	RFQ	4900	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N6015		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		100 na @ 27 V				43 V	180欧姆
1N3155A	15.7600	RFQ	156	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N3155		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					10 µA @ 5.5 V				8.4 v	15欧姆
1N3595US	10.4000	RFQ	7642	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N3595	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）		1 V @ 200 MA	3 µs	1 NA @ 125 V	-65°C〜150°C	4a	-
1N4109	2.4800	RFQ	180	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4109		500兆	DO-204AH（DO-35）（DO-35）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 11.4 V				15 v	100欧姆
1N4110-1	2.4800	RFQ	1562	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4110		500兆	DO-204AH（DO-35）（DO-35）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 12.2 V				16 V	100欧姆
1N4454UR-1	2.6400	RFQ	96	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	do-213aa	1N4454	标准		do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	1 V @ 10 mA	4 ns	100 na @ 50 V	-55°C 〜175°C	200mA	-
1N4495	-	RFQ	7402	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		250 NA @ 144 V				180 v	1300欧姆
1N4579A-1	27.3800	RFQ	41	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	50欧姆
1N4581A-1	-	RFQ	3999	微芯片技术	-	大部分	在sic中停产	±5％	-55°C〜100°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					2 µA @ 3 V				6.4 v	25欧姆
1N4621UR-1	3.1050	RFQ	8203	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N4621		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 v	1700欧姆
1N4746A	3.6900	RFQ	7458	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4746		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	1n4746am	Ear99	8541.10.0050	1					5 µA @ 13.7 V				18 V	20欧姆
1N4992	13.6950	RFQ	8434	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N4992		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		2 µA @ 206 V				270 v	800欧姆
1N5231BUR-1	4.8200	RFQ	258	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa	1N5231		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V				5.1 v	17欧姆
1N5812	62.2350	RFQ	1005	微芯片技术	-	大部分	积极的			螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5812	标准		do-203aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）	50 V	950 mv @ 20 a	15 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	20a	300pf @ 10V，1MHz
1N5968	64.9050	RFQ	8123	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	E，轴向	1N5968		5 w	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 1 A		5000 µA @ 4.28 V				5.6 v	1欧姆
JANTX1N4103-1	5.2800	RFQ	2044	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4103		500兆	do-35	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		500 na @ 7 V				9.1 v	200欧姆
JANTX1N4112-1	5.8950	RFQ	7984	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4112		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.7 V				18 V	100欧姆
JANTX1N4115-1	4.4250	RFQ	3912	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N4115		500兆	do-35	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 ma		10 na @ 16.8 V				22 v	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²