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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N938B-1/tr	8.9700	RFQ	6378	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-1N938B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	100																		9 V	20欧姆
UZ8714	22.4400	RFQ	6394	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	a，轴向			1 w	a，轴向	到达不受影响	150-UZ8714	Ear99	8541.10.0050	1								500 NA @ 10.6 V										14 V	12欧姆
2N5675	34.3200	RFQ	5202	微芯片技术	*	大部分	积极的									到达不受影响	150-2N5675			1
1N6931UTK1	259.3500	RFQ	6162	微芯片技术	*	大部分	积极的									到达不受影响	150-1N6931UTK1			1
1N5251A-1	2.0700	RFQ	7800	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-1N5251A-1	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 ma		100 na @ 16.2 V										22 v	29欧姆
CD747D	-	RFQ	9911	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	到达不受影响	150-CD747D	Ear99	8541.10.0050	223						1.5 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V										3.6 v	24欧姆
S034120F	49.0050	RFQ	8846	微芯片技术	*	大部分	积极的									到达不受影响	150-S034120F			1
jankca1n4112d	-	RFQ	2847	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	到达不受影响	150-Jankca1n4112d	Ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V										18 V	100欧姆
JANTXV1N6333CUS	57.1050	RFQ	3293	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	到达不受影响	150-JANTXV1N6333CUS	Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V										24 V	24欧姆
JANS1N4496C	361.6050	RFQ	9802	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	到达不受影响	150-JANS1N4496C	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V										200 v	1500欧姆
1N5525C	11.3550	RFQ	8056	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-1N5525C	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		1 µA @ 5 V										6.2 v	30欧姆
CDLL5226D	8.4150	RFQ	2950	微芯片技术	-	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	到达不受影响	150-CDLL5226D	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V										3.3 v	28欧姆
JANSD2N5152U3	229.9812	RFQ	1872年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅			1 w	U3 （SMD-0.5）	到达不受影响	150-JANSD2N5152U3			1												80 V	2 a				50µA				NPN	1.5V @ 500mA，5a	30 @ 2.5A，5V	-
CD4757	2.0700	RFQ	3149	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	表面安装	死			1 w	死	到达不受影响	150-CD4757	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 ma		100 na @ 38.8 V										51 v	95欧姆
1N4689-1E3	4.5900	RFQ	5348	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-1N4689-1E3	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 3 V										5.1 v
JANTXV1N6325C	37.5300	RFQ	2537	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-JANTXV1N6325C	Ear99	8541.10.0050	1						1.4 V @ 1 A		1 µA @ 8.5 V										11 V	7欧姆
CDLL5271C	6.7200	RFQ	7355	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	到达不受影响	150-CDLL5271C	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 76 V										100 v	500欧姆
JANTXV1N4981DUS	51.1200	RFQ	4196	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，b			5 w	E-Melf	到达不受影响	150-JANTXV1N4981DUS	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 69.2 V										91 v	90欧姆
2N4861UB	97.8750	RFQ	5107	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4861		360兆w	UB	到达不受影响	150-2N4861UB			1		n通道	30 V	18pf @ 10V										30 V	8 ma @ 15 V	800 MV @ 500 PA				60欧姆
JANS1N4496D	452.0100	RFQ	5470	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do041，轴向			1.5 w	do-41	到达不受影响	150-JANS1N4496D	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		250 NA @ 160 V										200 v	1500欧姆
2N7376	324.9000	RFQ	6394	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA			58 w	TO-254AA	到达不受影响	150-2N7376	Ear99	8541.29.0095	1												200 v	5 a				-				PNP	-	-	-
CDLL5275A	3.5850	RFQ	8886	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜200°C	表面安装	do-213aa				do-213aa	到达不受影响	150-CDLL5275A	Ear99	8541.10.0050	1						1.1 V @ 200 ma		100 NA @ 101 V										140 v	1300欧姆
UES1304H2	25.6800	RFQ	1253	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	B，轴向		标准		B，轴向	到达不受影响	150-ues1304hr2	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）				200 v	1 V @ 3 A	50 ns	20 µA @ 200 V	-	5a	-
jankcbd2n2907a	-	RFQ	8504	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			500兆	TO-18（（TO-206AA）	到达不受影响	150-JANKCBD2N2907A			100												60 V	600 MA				50NA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
jankca1n4128c	-	RFQ	1620年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	死			500兆	死	到达不受影响	150-JANKCA1N4128C	Ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V										60 V	400欧姆
UZ7824	468.9900	RFQ	6697	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C〜175°C	螺柱坐骑	螺柱			10 W	轴向	到达不受影响	150-UZ7824	Ear99	8541.10.0050	1								20 µA @ 17.3 V										24 V	5欧姆
2N5658	287.8650	RFQ	3788	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	螺柱坐骑	TO-210AA，TO-59-4，螺柱			30 W	TO-59	到达不受影响	150-2N5658	Ear99	8541.29.0095	1												80 V	10 a				-				PNP	-	-	-
jankca1n748c	-	RFQ	4300	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-JANKCA1N748C	Ear99	8541.10.0050	100						1.1 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V										3.9 v	23欧姆
JANTXV1N4973D	23.4600	RFQ	3536	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/356	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	E，轴向			5 w	E，轴向	到达不受影响	150-JANTXV1N4973D	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 1 A		2 µA @ 32.7 V										43 V	20欧姆
1N5263A	2.1000	RFQ	7589	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	到达不受影响	150-1N5263A	Ear99	8541.10.0050	1						1.5 V @ 200 ma		100 na @ 41 V										56 v	150欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²