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离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N6625US/TR	15.2250	RFQ	4502	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		A夫人	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6625US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1100 v	1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
JANS2N918	160.6802	RFQ	2742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			200兆	到72	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																				15 v	50 mA	1µA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-
JANS1N4128D-1	101.3100	RFQ	6528	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 45.6 V							60 V	400欧姆
Jan2n2907aub	5.6525	RFQ	3279	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/291	托盘	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N2907		500兆	UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Q4153288	Ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
APTM100UM65SAG	346.0300	RFQ	2996	微芯片技术	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SP6	APTM100	MOSFET （金属 o化物）		SP6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	1000 v	145a（TC）	10V	78mohm @ 72.5a，10v	5V @ 20mA	1068 NC @ 10 V	±30V	28500 PF @ 25 V	-	3250W（TC）
JANTX1N6333US	-	RFQ	9694	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，b			500兆	B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.4 V @ 1 A		50 na @ 18 V							24 V	24欧姆
JAN1N4621D-1/TR	10.7730	RFQ	5861	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1％	-65°C〜175°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4621D-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		3.5 µA @ 2 V							3.6 v	1700欧姆
JANTXV1N5802US/TR	14.2500	RFQ	2506	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SQ-MELF，a		标准		D-5A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N5802US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												50 V	875 mv @ 1 a	25 ns	1 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	25pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N2835B	-	RFQ	9273	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204ad	1N2835		10 W	TO-204AD（TO-3）	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 2 A		10 µA @ 56 V							75 v	9欧姆
Jan1n5809urs	17.4750	RFQ	2945	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/477	大部分	积极的			表面安装	SQ-MELF，b	1N5809	标准		B，平方米	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	875 mv @ 4 A	30 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	3a	60pf @ 10V，1MHz
JANTXV1N4463US	17.2200	RFQ	4391	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	SQ-MELF，a	1N4463		1.5 w	D-5A	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		500 NA @ 4.92 V							8.2 v	3欧姆
CDLL4578A	18.5100	RFQ	1364	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	-55°C〜100°C	表面安装	do-213aa	CDLL4578		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 3 V								50欧姆
JANTXV1N3018DUR-1	57.6750	RFQ	2724	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/115	大部分	积极的	±1％	-55°C 〜175°C	表面安装	DO-213AB，MELF（MELF））	1N3018		1 w	DO-213AB（梅尔，LL41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		50 µA @ 6.2 V							8.2 v	4.5欧姆
2N6691	755.0400	RFQ	1926年	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-211MA，TO-210AC，TO-61-4，螺柱			3 W	TO-61	-			到达不受影响	150-2N6691	Ear99	8541.29.0095	1																				300 v	15 a	100µA			NPN	1V @ 3a，15a	15 @ 1a，3v	-
1N4112UR	3.7950	RFQ	6126	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4112		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 13.67 V							18 V	100欧姆
JANTXV1N4130DUR-1	36.0000	RFQ	2129	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AA（）	1N4130		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		10 na @ 51.7 V							68 v	700欧姆
CDLL4485	11.3550	RFQ	6965	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL4485		1.5 w	do-213ab	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1 V @ 200 MA		250 NA @ 54.4 V							68 v	100欧姆
2N5732	77.3850	RFQ	2766	微芯片技术	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-204AA，TO-3			75 w	TO-204AD（TO-3）	-			到达不受影响	150-2N5732	Ear99	8541.29.0095	1																				80 V	20 a	-			NPN	-	-	-
CDLL3024B	15.3000	RFQ	8555	微芯片技术	-	大部分	积极的	±5％	-55°C 〜175°C	表面安装	do-213ab，Melf	CDLL3024		1 w	do-213ab	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 11.4 V							15 v	14欧姆
JANTX1N4574AUR-1/TR	35.7000	RFQ	7917	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N4574AUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 3 V								100欧姆
CDS759AUR-1/TR	-	RFQ	8081	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-			到达不受影响	150-CDS759AR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	50
JANTXV1N6840U3	-	RFQ	4030	微芯片技术	-	大部分	积极的			表面安装	3-SMD，没有铅		肖特基		U3	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												35 v	880 mv @ 20 a			-65°C〜150°C	10a	-
JANS1N4985CUS	343.6210	RFQ	2026	微芯片技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N4985CUS	Ear99	8541.10.0050	1
CDLL5221C/TR	6.9150	RFQ	9071	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C	表面安装	do-213aa			10兆	do-213aa	-			到达不受影响	150-CDLL5221C/TR	Ear99	8541.10.0050	137														1.1 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V							2.4 v	30欧姆
JANTXV1N4480CUS	45.1350	RFQ	5242	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/406	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	SQ-MELF，a			1.5 w	D-5A	-			到达不受影响	150-JANTXV1N4480CUS	Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 1 A		50 NA @ 34.4 V							43 V	40欧姆
SMBJ4754A/TR13	0.8850	RFQ	7498	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ4754		2 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 29.7 V							39 v	60欧姆
2N3635L	11.4646	RFQ	6270	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以	2N3635		1 w	TO-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																				140 v	1 a	10µA			PNP	600mv @ 5mA，50mA	100 @ 50mA，10V	-
JANTX1N4623D-1	14.5650	RFQ	3929	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	积极的	±1％	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-			到达不受影响	150-JANTX1N4623D-1	Ear99	8541.10.0050	1														1.1 V @ 200 ma		2 µA @ 2 V							4.3 v	1600欧姆
1N6761-1	82.6950	RFQ	8422	微芯片技术	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N6761	肖特基		do-41	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												100 v	690 mv @ 1 a		100 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	70pf @ 5V，1MHz
2N6231	39.3148	RFQ	1973	微芯片技术	*	大部分	积极的					2N6231				-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²