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离散半导体产品（（41164）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT））
JANTX1N3326B Microchip Technology JANTX1N3326B -
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/158 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 27.4 V 36 V 3.5欧姆
JANTX1N3332B Microchip Technology JANTX1N3332B -
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/158 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3332 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 10 µA @ 38.8 V 51 v 5.2欧姆
JANTX1N3891A Microchip Technology JANTX1N3891A -
RFQ
 ECAD 9489 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/304 大部分 在sic中停产 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 DO-203AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.5 V @ 38 A 150 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜175°C 12a -
JANTXV1N3893 Microchip Technology JANTXV1N3893 366.6000
RFQ
 ECAD 4442 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/304 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 1N3893 标准 DO-203AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） 400 v 1.5 V @ 20 A 200 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 12a 115pf @ 10V，1MHz
JANTX1N3893R Microchip Technology JANTX1N3893R -
RFQ
 ECAD 9968 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/304 大部分 在sic中停产 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 标准 DO-203AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 400 v 1.5 V @ 38 A 150 ns 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 12a -
JANTX1N3911 Microchip Technology JANTX1N3911 -
RFQ
 ECAD 3410 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/308 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3911 标准 DO-203AB（DO-5） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.4 V @ 50 A 200 ns 15 µA @ 200 V -65°C〜150°C 50a -
JANTXV1N3912 Microchip Technology JANTXV1N3912 -
RFQ
 ECAD 1462 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/308 大部分 积极的 底盘，螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N3912 标准 do-203ab 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 300 v 1.4 V @ 50 A 150 ns 15 µA @ 300 V -65°C〜150°C 50a -
JANTX1N3998A Microchip Technology JANTX1N3998A -
RFQ
 ECAD 1758年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/124 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 10 W DO-213AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 2 A 10 µA @ 2 V 6.2 v 1.1欧姆
JANTXV1N4153-1 Microchip Technology JANTXV1N4153-1 -
RFQ
 ECAD 3212 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/337 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N4153 标准 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 50 V 880 mv @ 20 ma 4 ns 50 na @ 50 V -65°C〜175°C 150mA 2pf @ 0v，1MHz
JANTX1N4553B Microchip Technology JANTX1N4553B -
RFQ
 ECAD 7658 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/358 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 螺柱坐骑 do-203ab，do-5，螺柱 1N4553 50 W do-5 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 20 µA @ 1 V 5.6 v 0.12欧姆
JAN1N4561B Microchip Technology Jan1n4561b -
RFQ
 ECAD 3354 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/114 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 to-204ad 1N4561 50 W TO-204AD（TO-3） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 10 A 20 µA @ 1 V 5.6 v 0.12欧姆
JAN1N485B Microchip Technology Jan1n485b -
RFQ
 ECAD 4575 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/118 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N485 500兆 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1 V @ 100 ma 5 µA @ 180 V 180 v
JANTX1N4991US Microchip Technology JANTX1N4991US 21.7800
RFQ
 ECAD 8447 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4991 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 182 V 240 v 650欧姆
JANTX1N4992US Microchip Technology JANTX1N4992US -
RFQ
 ECAD 6731 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 在sic中停产 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 206 V 270 v 800欧姆
JANS1N4993US Microchip Technology JANS1N4993US 115.5000
RFQ
 ECAD 2994 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4993 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 228 V 300 v 950欧姆
JAN1N4994 Microchip Technology 1月1N4994 -
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4994 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 251 V 330 v 1175欧姆
JANTXV1N4994 Microchip Technology JANTXV1N4994 -
RFQ
 ECAD 9831 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 251 V 330 v 1175欧姆
JANTX1N4995 Microchip Technology JANTX1N4995 -
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4995 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 274 V 360 v 1400欧姆
JANS1N4995US Microchip Technology JANS1N4995US -
RFQ
 ECAD 1974年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4995 5 w E，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 274 V 360 v 1400欧姆
JANTXV1N4996US Microchip Technology JANTXV1N4996US -
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N4996 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 2 µA @ 297 V 390 v 1800欧姆
JANTX1N5196 Microchip Technology JANTX1N5196 -
RFQ
 ECAD 5125 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/118 大部分 积极的 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 1N5196 标准 do-35 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1 小信号= <200ma（io（io），任何速度 225 v 1 V @ 100 ma 1 µA @ 250 V -65°C〜175°C 200mA -
JANS1N5816 Microchip Technology JANS1N5816 -
RFQ
 ECAD 6931 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/478 大部分 在sic中停产 底盘，螺柱坐骑 do-203AA，do-4，螺柱 肖特基 DO-203AA（DO-4） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 950 mv @ 20 a 35 ns 10 µA @ 150 V -65°C〜175°C 20a 300pf @ 10V，1MHz
JANTX1N5968 Microchip Technology JANTX1N5968 -
RFQ
 ECAD 1940年 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5968 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTX1N5968US Microchip Technology JANTX1N5968US -
RFQ
 ECAD 8411 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5968 5 w E，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTXV1N5968US Microchip Technology JANTXV1N5968US -
RFQ
 ECAD 7681 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5968 5 w E，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 5000 µA @ 4.28 V 5.6 v 1欧姆
JANTX1N5969 Microchip Technology JANTX1N5969 -
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5969 5 w E，轴向 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v 1欧姆
JANS1N5969CUS Microchip Technology JANS1N5969CUS -
RFQ
 ECAD 1375 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±2％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 1N5969 5 w E，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v 1欧姆
JANTX1N5969US Microchip Technology JANTX1N5969US -
RFQ
 ECAD 8046 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/356 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 E，轴向 5 w E，轴向 - Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 1 mA @ 4.74 V 6.2 v 1欧姆
JANTX1N4101UR-1 Microchip Technology JANTX1N4101UR-1 9.0150
RFQ
 ECAD 5133 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/435 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 表面安装 do-213aa 1N4101 500兆 do-213aa 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.1 V @ 200 ma 1 µA @ 6.24 V 8.2 v 200欧姆
JANTX1N4476 Microchip Technology JANTX1N4476 6.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 微芯片技术 军事，MIL-PRF-19500/406 大部分 积极的 ±5％ -65°C〜175°C 通过洞 do-204al，do-41，轴向 1N4476 1.5 w DO-204AL（DO-41） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1 1.5 V @ 1 A 50 NA @ 24 V 30 V 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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