RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（41164）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	电流 -最大	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
1N1374	44.3850	RFQ	2608	微芯片技术	-	大部分	积极的	±10％	-		螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N137		10 W	DO-203AA（DO-4）	-			到达不受影响	150-1N1374	Ear99	8541.10.0050	1																91 v	35欧姆
SMBJ5341C/TR13	2.1900	RFQ	4856	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		表面安装	DO-214AA，SMB	SMBJ5341		5 w	SMBJ（DO-214AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		1 µA @ 3 V									6.2 v	1欧姆
JANSF2N5154L	98.9702	RFQ	7403	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/544	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1											80 V	1 MA			1ma				NPN	1.5V @ 500mA，5a	70 @ 2.5A，5V	-
1N5943CP/TR12	2.2800	RFQ	1100	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N5943		1.5 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 42.6 V									56 v	86欧姆
2N4959UB	82.5000	RFQ	7655	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2N4959UB			1
1 PMT5940E3/TR13	0.7350	RFQ	2320	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V									43 V	53欧姆
JAN1N746CUR-1	11.3850	RFQ	4079	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	大部分	积极的	±2％	-65°C〜175°C		表面安装	DO-213AA（）	1N746		500兆	do-213aa	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V									3.3 v	17欧姆
CDLL4619/TR	3.0989	RFQ	6253	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-CDLL4619/tr	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		400 na @ 1 V									3 V	1600欧姆
JANTXV1N4106-1	-	RFQ	8130	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	大部分	在sic中停产	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.2 V									12 v	200欧姆
JANTX1N3340B	-	RFQ	8794	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/358	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱			50 W	do-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		10 µA @ 76 V									100 v	20欧姆
JANTX1N967B-1/TR	2.0482	RFQ	6891	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/127	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTX1N967B-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 na @ 14 V									18 V	21欧姆
JANTXV1N6320CUS	57.1050	RFQ	6210	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/533	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	SQ-MELF，b	1N6320		500兆	B，平方米	下载			到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1					1.4 V @ 1 A		2 µA @ 4 V									6.8 v	3欧姆
SMAJ5926E3/TR13	0.6450	RFQ	4169	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±20％	-65°C〜150°C		表面安装	do-214ac，SMA	SMAJ5926		3 W	DO-214AC（SMAJ）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	7,500					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V									11 V	5.5欧姆
1 PMT5940BE3/TR13	0.7350	RFQ	7510	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C〜150°C		表面安装	do-216aa	下午1点		3 W	do-216aa	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	12,000					1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 32.7 V									43 V	53欧姆
JANS1N4576AUR-1	163.6800	RFQ	3467	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/452	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TA）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1							2 µA @ 3 V									6.4 v	50欧姆
JAN1N4104C-1/TR	9.4430	RFQ	3517	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/435	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜175°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JAN1N4104C-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 7.6 V									10 v	200欧姆
JANS1N7054UR-1/TR	163.0650	RFQ	5575	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANS1N7054UR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1
JANSD2N3636L	-	RFQ	8877	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/357	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50											175 v	10 µA			10µA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 50mA，10v	-
1N5527C	3.6176	RFQ	3370	微芯片技术	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5527C	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		500 NA @ 6.8 V									7.5 v	35欧姆
1N4745CP/TR12	2.2800	RFQ	4682	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-65°C〜150°C		通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4745		1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000					1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 12.2 V									16 V	16欧姆
JANTXV1N55330BUR-1/TR	17.2900	RFQ	7600	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/437	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANTXV1N55330BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		50 NA @ 9.1 V									10 v	60欧姆
1N6025ur/tr	3.7350	RFQ	8001	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-				150-1N6025ur/tr	Ear99	8541.10.0050	264					1.1 V @ 200 ma											110 v
1N5370BE3/TR12	2.6850	RFQ	4500	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		通过洞	T-18，轴向	1N5370		5 w	T-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000					1.2 V @ 1 A		500 NA @ 40.3 V									56 v	35欧姆
MG1006-M11	-	RFQ	4551	微芯片技术	-	托盘	积极的		-			螺柱	MG1006			-	-			到达不受影响	150-MG1006-M11	Ear99	8541.10.0060	1		700 MA	100兆							-			PIN-单	10V				-
MNS2N3810U	49.7850	RFQ	5309	微芯片技术	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	6-SMD，没有铅	2N3810		350MW	你	-			到达不受影响	150-MNS2N3810U			1											60V	50mA			10µA（ICBO）				2 PNP （双）	250mv @ 100µA，1mA	150 @ 1mA，5V	-
JANS1N5311-1	99.8700	RFQ	1919年	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/463	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	-	通过洞	do-204aa，do-7，轴向	1N5311		500MW	do-7	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1																							100V	3.96mA	2.5V
JANTX2N3737	-	RFQ	9942	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/395	大部分	在sic中停产		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-46-3			500兆	TO-46（（TO-206AB）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1											40 V	1.5 a			10µA（ICBO）				NPN	900mv @ 100mA，1a	20 @ 1A，1.5V	-
1N5231BUR-1/TR	4.4023	RFQ	9818	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	do-213aa			500兆	do-213aa	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N5231BUR-1/TR	Ear99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V									5.1 v	17欧姆
1N6625US/TR	15.2250	RFQ	4502	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	SQ-MELF，a		标准		A夫人	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-1N6625US/TR	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）			1100 v	1.75 V @ 1 A	60 ns	1 µA @ 1100 V	-65°C〜150°C	1a	10pf @ 10V，1MHz
JANS2N918	160.6802	RFQ	2742	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/301	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			200兆	到72	-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1											15 v	50 mA			1µA（ICBO）				NPN	400mv @ 1mA，10mA	20 @ 3mA，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（41164）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²