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6960）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2SA1038STPR	-	RFQ	6789	Rohm半导体	-	（TB）	积极的			150°C（TJ）		通过洞	SC-72形成铅	2SA1038			300兆	spt	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-2SA1038STPRTB			5,000																									120 v	50 mA					500NA（ICBO）			PNP	350mv @ 50mA，1a	120 @ 500mA，2V
EMF33T2R	-	RFQ	6432	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		12V PNP，30V n通道		通用目的	表面安装	SOT-563，SOT-666	EMF33				EMT6	-	rohs3符合条件		到达不受影响	846-EMF33T2RTR			8,000				500mA PNP，100mA n通道																														PNP，N通道
SP8M4TB	1.1385	RFQ	7853	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SP8M4		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	846-SP8M4TBTR	Ear99	8541.29.0095	2,500	-					30V	9a，7a		18mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	21nc @ 5V		1190pf @ 10V	标准
R6004RND3TL1	1.1900	RFQ	600	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6004		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	4A（TC）	15V	1.73OHM @ 2A，15V	7V @ 450µA	10.5 NC @ 15 V	±30V	230 pf @ 100 V	-	60W（TC）
R6007RND3TL1	1.5800	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	R6007		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			600 v	7A（TC）	15V	940MOHM @ 3.5A，15V	7V @ 1mA	17.5 NC @ 15 V	±30V	460 pf @ 100 V	-	96W（TC）
RH6R025BHTB1	1.8900	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	RH6R025		MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			150 v	25A（TA）	6V，10V	60mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	16.7 NC @ 10 V	±20V	1010 PF @ 75 V	-	2W（TA），59w（tc）
DTC114YE3TL	0.3600	RFQ	3	Rohm半导体	DTA144E	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	SC-75，SOT-416	DTC114			150兆	EMT3	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma					500NA（ICBO）			pnp- +二极管	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	47科姆斯	47科姆斯
RS1P090ATTB1	2.9100	RFQ	1024	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	RS1P090		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	下载		（1 （无限）					2,500			P通道			100 v	（9A）（ta），33a（tc）	4.5V，10V	34mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	125 NC @ 10 V	±20V	5650 pf @ 50 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
RGPR20NS43HRTL	1.8900	RFQ	84	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			-40°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	RGPR20	标准		107 w	LPD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					300V，8A，100OHM，5V																			-	460 v	20 a	2.0V @ 5V，10a	-	14 NC	500NS/4µs
RB751S-40GTE61	-	RFQ	2935	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的							RB751					-	rohs3符合条件	（1 （无限）		846-RB751S-40GTE61TR	过时的		3,000
BZX84C18VLT116	0.2300	RFQ	1	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±6.39％		150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84			250兆	SSD3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				100 na @ 13 V												18 V	45欧姆
DTC123JE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm半导体	DTA143Z	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	SC-75，SOT-416	DTC123			150兆	EMT3	-	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	100 ma					500NA（ICBO）			pnp- +二极管	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
rv1c002unt2cl	0.4000	RFQ	831	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	3-SMD，没有铅	RV1C002		MOSFET （金属 o化物）		VML0806	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000			n通道			20 v	150mA（ta）	1.2V，4.5V	2ohm @ 150mA，4.5V	1V @ 100µA		±8V	12 pf @ 10 V	-	100mW（TA）
RV4C020ZPHZGTCR1	0.7200	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装，可润湿的侧面	6 PowerWFDFN	RV4C020		MOSFET （金属 o化物）		DFN1616-6W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			20 v	2A（TA）	1.5V，4.5V	260MOHM @ 2A，4.5V	1.3V @ 1mA	2 NC @ 4.5 V	±8V	80 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
R8006knxc7g	3.3400	RFQ	790	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	R8006		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			800 v	6a（6a）	10V	900MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 4mA	22 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 100 V	-	52W（TC）
RX3R05BBHC16	3.9700	RFQ	9237	Rohm半导体	-	管子	积极的			150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	RX3R05		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	846-RX3R05BBHC16	Ear99	8541.29.0095	100			n通道			150 v	50a（ta）	6V，10V	29mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 75 V	-	89w（ta）
RB088T150NZC9	1.6000	RFQ	500	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	管子	积极的					通过洞	TO-220-3完整包	RB088		肖特基		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	150 v	10a	880 mv @ 5 a	15 µA @ 150 V	150°C
RX3G07BBGC16	3.7100	RFQ	1334	Rohm半导体	-	管子	积极的			150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	RX3G07		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	3（168））		846-RX3G07BBGC16	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	130a（TA），70A （TC）	4.5V，10V	3mohm @ 70a，10v	2.5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	3540 pf @ 20 V	-	89W（TC）
R6524enjtl	6.6500	RFQ	94	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	R6524		MOSFET （金属 o化物）		LPT	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	24A（TC）	10V	185mohm @ 11.3a，10v	4V @ 750µA	70 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	245W（TC）
RD3L07BATTL1	2.3700	RFQ	5558	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RD3L07		MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			60 V	70a（ta）	4.5V，10V	12.7MOHM @ 70A，10V	2.5V @ 1mA	105 NC @ 10 V	±20V	6700 PF @ 30 V	-	101W（ta）
RV2C010UNT2L	0.4100	RFQ	8	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			150°C（TJ）		表面安装	SC-101，SOT-883	RV2C010		MOSFET （金属 o化物）		VML1006	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	8,000			n通道			20 v	1A（1A）	1.2V，4.5V	470MOHM @ 500mA，4.5V	1V @ 1mA		±8V	40 pf @ 10 V	-	400MW（TA）
RQ3E150MNTB1	0.5924	RFQ	9123	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	RQ3E150		MOSFET （金属 o化物）		8-hsmt（3.2x3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	15A（TA）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±20V	1100 pf @ 15 V	-	2W（TA）
RSF010P03TL	0.6800	RFQ	190	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计			150°C（TJ）		表面安装	3-SMD，平坦的铅	RSF010		MOSFET （金属 o化物）		Tumt3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道			30 V	1A（1A）	4V，10V	350MOHM @ 1A，10V	-	1.9 NC @ 5 V	±20V	120 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
PTZTE254.7B	0.2014	RFQ	6053	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	±5％		-		表面安装	do-214ac，SMA	PTZTE254.7			1 w	PMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1,500																				20 µA @ 1 V												4.9 v	10欧姆
rrd07mm4str	0.4000	RFQ	3	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					表面安装	SOD-123F	RRD07		标准		PMDU	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）															400 v		980 mv @ 700 mA	1 µA @ 400 V	150°C （最大）	700mA	-
tfzvtr18b	0.3700	RFQ	6	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±3％		150°C		表面安装	2-SMD，平坦的铅	TFZVTR18			500兆	tumd2m	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				200 na @ 13 V												18 V	23欧姆
UFZVFHTE-176.8B	0.3100	RFQ	2	Rohm半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2.5％		150°C（TJ）		表面安装	SC-90，SOD-323F	UFZVFHTE			500兆	UMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																				2 µA @ 3.5 V												6.8 v	8欧姆
RLZTE-115.1A	-	RFQ	6217	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％		-		表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																				5 µA @ 1.5 V												5.1 v	20欧姆
RLZTE-117.5C	-	RFQ	4326	Rohm半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±3％		-		表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																				500 na @ 4 V												7.3 v	8欧姆
EDZVT2R6.2B	0.2800	RFQ	23	Rohm半导体	EDZV	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％		-55°C〜150°C		表面安装	SC-79，SOD-523	EDZVT2			150兆	EMD2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																				1 µA @ 3 V												6.2 v	60欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6960）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²