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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | tt8j2tr | 0.9800 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | TT8 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W | 8-TSST | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 2.5a | 84mohm @ 2.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 4.8NC @ 5V | 460pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||
![]() | um6j1ntn | 0.4800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UM6J1 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 30V | 200mA | 1.4OHM @ 200mA,10v | 2.5V @ 1mA | - | 30pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||
![]() | EM6K7T2R | 0.5400 | ![]() | 589 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | EM6K7 | MOSFET (金属 o化物) | 150MW | EMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 n 通道(双) | 20V | 200mA | 1.2OHM @ 200mA,2.5V | 1V @ 1mA | - | 25pf @ 10V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||
![]() | RZE002P02TL | 0.3900 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-75,SOT-416 | RZE002 | MOSFET (金属 o化物) | EMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 200ma(ta) | 1.2V,4.5V | 1.2OHM @ 200mA,4.5V | 1V @ 100µA | 1.4 NC @ 4.5 V | ±10V | 115 pf @ 10 V | - | 150MW(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | IMX25T110 | 0.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-74,SOT-457 | IMX25 | 300MW | SMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 20V | 300mA | 100NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 100mv @ 3mA,30mA | 820 @ 4mA,2V | 35MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | GDZT2R8.2 | - | ![]() | 9566 | 0.00000000 | Rohm半导体 | GDZ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -55°C〜125°C | 表面安装 | 0201(0603公制) | GDZT2R | 100兆 | GMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500 na @ 5 v | 8.2 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr3.6b | 0.1836 | ![]() | 1595年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr3.6 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 60 µA @ 1 V | 3.8 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr3.9b | 0.1836 | ![]() | 9022 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr3.9 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µA @ 1 V | 4.1 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr4.7b | 0.1836 | ![]() | 9615 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr4.7 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 1 V | 4.9 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr6.2b | 0.1836 | ![]() | 1706年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr6.2 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3 V | 6.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr6.8b | 0.1836 | ![]() | 9675 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr6.8 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 3.5 V | 7.3 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr7.5b | 0.5200 | ![]() | 488 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr7.5 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µA @ 4 V | 7.9 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr11b | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr11 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 8 V | 11.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr24b | 0.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±7% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | KDZTR24 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 19 V | 25.3 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr33b | 0.1836 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr33 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 25 V | 35 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | kdztr36b | 0.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | KDZ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±5% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123F | kdztr36 | 1 w | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 27 V | 39.2 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSX101M-30TR | 0.1094 | ![]() | 6611 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOD-123F | RSX101 | 肖特基 | PMDU | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 390 mv @ 1 a | 200 µA @ 30 V | 150°C (最大) | 1a | 60pf @ 10V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB521ZS-30T2R | - | ![]() | 4110 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | RB521 | 肖特基 | GMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 370 mv @ 10 mA | 7 µA @ 10 V | 150°C (最大) | 100mA | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD2662T100 | 0.6700 | ![]() | 455 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | 2SD2662 | 2 w | MPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 1.5 a | 100NA(ICBO) | NPN | 350mv @ 50mA,1a | 270 @ 100mA,2V | 330MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143ZMT2L | 0.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | DTA143 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | 47科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB713ZMT2L | 0.1002 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-723 | DTB713 | 150兆 | VMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 ma | 500NA | pnp-预先偏见 | 300mv @ 2.5mA,50mA | 140 @ 100mA,2V | 260 MHz | 1 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RSF010P03TL | 0.6800 | ![]() | 190 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 3-SMD,平坦的铅 | RSF010 | MOSFET (金属 o化物) | Tumt3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 1A(1A) | 4V,10V | 350MOHM @ 1A,10V | - | 1.9 NC @ 5 V | ±20V | 120 pf @ 10 V | - | 800MW(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | RTR020N05TL | 0.9200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RTR020 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 45 v | 2A(TA) | 2.5V,4.5V | 180MOHM @ 2A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 4.1 NC @ 4.5 V | ±12V | 200 pf @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | RTR040N03TL | 0.5100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-96 | RTR040 | MOSFET (金属 o化物) | TSMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 4A(ta) | 2.5V,4.5V | 48mohm @ 4A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 8.3 NC @ 4.5 V | ±12V | 475 PF @ 10 V | - | 1W(ta) | |||||||||||||||||||||
![]() | R5013ANXFU6 | - | ![]() | 8121 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 500 v | 13A(TA) | 10V | 380MOHM @ 6.5A,10V | 4.5V @ 1mA | 35 NC @ 10 V | ±30V | 1300 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RDX045N60FU6 | - | ![]() | 7226 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RDX045 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 600 v | 4.5A(ta) | 10V | 2.1OHM @ 2.25a,10V | 4V @ 1mA | 16 NC @ 10 V | ±30V | 500 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||||||||
RRS100N03TB1 | - | ![]() | 7524 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
RSS065N06FU6TB | - | ![]() | 6553 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS065 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 6.5A(TA) | 4V,10V | 37mohm @ 6.5a,10v | 2.5V @ 1mA | 16 NC @ 5 V | 20V | 900 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
RSS070P05FU6TB | - | ![]() | 2505 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSS070 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 7a(ta) | 4V,10V | 27mohm @ 7a,10v | - | 47.6 NC @ 5 V | ±20V | 4100 PF @ 10 V | - | 2W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RCX050N25 | 1.0786 | ![]() | 5457 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RCX050 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 250 v | 5A(5A) | 10V | 1100mohm @ 2.5a,10v | 5.5V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | ±30V | 410 pf @ 25 V | - | 30W(TC) |
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