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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 当前 - 最大 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 分布类型 电压 - 逆势高峰(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 电阻@If,F 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
RN739DT146 Rohm Semiconductor RN739DT146 0.1411
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ECAD 6293 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 RN739 贴片3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 50毫安 100毫W 0.4pF@35V,1MHz PIN - 1 对长江 50V 7欧姆@10mA,100MHz
UDZWTE-172.0B Rohm Semiconductor UDZWTE-172.0B -
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ECAD 8864 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 表面贴装 SC-90、SOD-323F UMD2 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 3,000
SCS304AJTLL Rohm Semiconductor SCS304AJTLL 3.0800
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB SCS304 SiC(碳化硅)肖特基 LPTL 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@4A 0纳秒 650V时为20μA 175℃(最高) 4A 200pF@1V、1MHz
MTZJT-726.8B Rohm Semiconductor MTZJT-726.8B -
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ECAD 2665 0.00000000 罗姆半导体 MTZ J 胶带和盒子 (TB) 过时的 ±3% - 通孔 DO-204AG、DO-34、矫正 MTZJT-72 500毫W 默沙东 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MTZJT726.8B EAR99 8541.10.0050 5,000 2μA@3.5V 6.8V 20欧姆
EDZVT2R7.5B Rohm Semiconductor EDZVT2R7.5B 0.1800
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ECAD 52 0.00000000 罗姆半导体 EDZV 卷带式 (TR) 的积极 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-79、SOD-523 EDZVT2 150毫W EMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 8,000 500nA@4V 7.5V 30欧姆
RFUS20TM4S Rohm Semiconductor RFUS20TM4S 0.8550
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ECAD 7057 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 不适合新设计 通孔 TO-220-3全包 射频US20 标准 TO-220FN - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 430伏 1.6V@20A 35纳秒 430V时为10μA 150℃(最高) 20A -
DTA144VCAT116 Rohm Semiconductor DTA144VCAT116 0.3500
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ECAD 950 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 DTA144 200毫W 海温3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 300mV@500μA,10mA 33@5mA,5V 250兆赫 47欧姆 10欧姆
RB238T100NZC9 Rohm Semiconductor RB238T100NZC9 2.7600
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ECAD 第864章 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全包 RB238 肖特基 TO-220FN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 40A 860 毫伏 @ 20 安 100V时为20μA 150℃
RRR030P03HZGTL Rohm Semiconductor RRR030P03HZGTL 0.6300
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ECAD 15 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-96 RRR030 MOSFET(金属O化物) TSMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 30V 3A(塔) 4V、10V 75毫欧@3A,10V 2.5V@1mA 5.2nC@5V ±20V 480pF@10V - 700毫W(塔)
KDZLVTFTR82 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR82 0.4500
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ECAD 22号 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 - 150℃ 表面贴装 SOD-123F KDZLVTFTR82 1W SOD-123FL 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 5μA@63V 82V
RBR40NS60AFHTL Rohm Semiconductor RBR40NS60AFHTL 2.0500
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ECAD 第466章 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB RBR40 肖特基 LPDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 40A 600毫伏@20安 60V时为800μA 150℃(最高)
RB050L-40TE25 Rohm Semiconductor RB050L-40TE25 0.5000
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 DO-214AC、SMA RB050 肖特基 PMDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 1,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 40V 550毫伏 @ 3安 1毫安@40伏 125℃(最高) 3A -
RB051MS-2YTR Rohm Semiconductor RB051MS-2YTR -
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ECAD 9176 0.00000000 罗姆半导体 * 卷带式 (TR) 过时的 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH旅行 过时的 0000.00.0000 3,000
SP8M9FU6TB Rohm Semiconductor SP8M9FU6TB -
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ECAD 7434 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) SP8M9 MOSFET(金属O化物) 2W 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N 和 P 沟道 30V 9A、5A 18毫欧@9A,10V 2.5V@1mA 21nC@5V 1190pF@10V 逻辑电平门
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524KNXC7G 5.5800
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ECAD 990 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 R6524 MOSFET(金属O化物) TO-220FM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 846-R6524KNXC7G EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 24A(塔) 10V 185毫欧@11.3A,10V 5V@750μA 45nC@10V ±20V 1850pF@25V - 74W(温度)
RF051VA1STR Rohm Semiconductor RF051VA1STR 0.1020
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ECAD 8320 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 表面贴装 2-SMD,写入 RF051 标准 TUMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0070 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 980毫伏@500毫安 25纳秒 10μA@100V 150℃(最高) 500毫安 -
RSF010P05TL Rohm Semiconductor RSF010P05TL 0.4800
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ECAD 15 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 3-SMD,写入 RSF010 MOSFET(金属O化物) TUMT3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 45V 1A(塔) 4V、10V 460毫欧@1A,10V 2.5V@1mA 2.3nC@5V ±20V 160pF@10V - 800毫W(塔)
RFN20TF6SFHC9 Rohm Semiconductor RFN20TF6SFHC9 2.0300
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ECAD 第462章 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 管子 的积极 通孔 TO-220-2全包 RFN20 标准 TO-220NFM 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.55V@20A 60纳秒 600V时为10μA 150℃(最高) 20A -
CDZVT2R3.9B Rohm Semiconductor CDZVT2R3.9B 0.2700
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ECAD 4 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 - 150℃ 表面贴装 2-SMD,写入 CDZVT2 100毫W VMN2M 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 8,000 1V时为5μA 3.9V 100欧姆
EDZTE619.1B Rohm Semiconductor EDZTE619.1B 0.3600
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ECAD 750 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-79、SOD-523 EDZTE619 150毫W EMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 500nA@6V 9.1V 30欧姆
RB238T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB238T-60NZC9 2.0100
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ECAD 1 0.00000000 罗姆半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全包 RB238 肖特基 TO-220FN 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 60V 40A 860 毫伏 @ 20 安 60V时为12μA 150℃(最高)
DTA015TUBTL Rohm Semiconductor DTA015TUBTL 0.0536
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ECAD 5225 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 SC-85 DTA015 200毫W UMT3F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500nA(ICBO) PNP - 预偏置 250mV@250μA,5mA 100@5mA,10V 250兆赫 100欧姆
PTZTFTE2518B Rohm Semiconductor 云台TFTE2518B 0.6100
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ECAD 第945章 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 ±6.01% 150°C(太焦) 表面贴装 DO-214AC、SMA 1W PMDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 1,500人 13V时为10μA 19.15V 12欧姆
RLZTE-1110A Rohm Semiconductor RLZTE-1110A -
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ECAD 8431 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 ±3% - 表面贴装 DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 500毫W LLDS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 2,500人 7V时为200nA 9.7V 8欧姆
UDZSTE-1718B Rohm Semiconductor UDZSTE-1718B 0.3500
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ECAD 5 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 ±2% -55℃~150℃ 表面贴装 SC-90、SOD-323F 乌兹别克斯坦 200毫W UMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 100nA@13V 18V 65欧姆
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor R6020JNJGTL 4.8900
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ECAD 940 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB R6020 MOSFET(金属O化物) LPTS 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 1,000 N沟道 600伏 20A(温度) 15V 234mOhm@10A,15V 7V@3.5mA 45nC@15V ±30V 1500 pF @ 100 V - 252W(温度)
RB522S-30T9TE61 Rohm Semiconductor RB522S-30T9TE61 -
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ECAD 2006年 0.00000000 罗姆半导体 - 卷带式 (TR) 过时的 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 846-RB522S-30T9TE61TR 过时的 3,000
EDZVFHT2R3.0B Rohm Semiconductor EDZVFHT2R3.0B 0.3400
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ECAD 8768 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 ±3.5% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-79、SOD-523 EDZVFHT2 150毫W EMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 8,000 1V时为50μA 3V 120欧姆
MTZJT-7724D Rohm Semiconductor MTZJT-7724D -
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ECAD 9519 0.00000000 罗姆半导体 MTZ J 胶带和盒子 (TB) 过时的 ±3% - 通孔 DO-204AG、DO-34、矫正 500毫W 默沙东 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 MTZJT7724D EAR99 8541.10.0050 5,000 19V时为200nA 24V 35欧姆
TFZFHTR5.6B Rohm Semiconductor TFZFHTR5.6B 0.1075
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ECAD 7137 0.00000000 罗姆半导体 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 - -55℃~150℃ 表面贴装 2-SMD,写入 TFZFHTR5.6 500毫W TUMD2 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.10.0050 3,000 2.5V时为5μA 5.6V 13欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库