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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 当前 - 最大 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 分布类型 | 电压 - 逆势高峰(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 电阻@If,F | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RN739DT146 | 0.1411 | ![]() | 6293 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | RN739 | 贴片3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50毫安 | 100毫W | 0.4pF@35V,1MHz | PIN - 1 对长江 | 50V | 7欧姆@10mA,100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZWTE-172.0B | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | UMD2 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCS304AJTLL | 3.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | SCS304 | SiC(碳化硅)肖特基 | LPTL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@4A | 0纳秒 | 650V时为20μA | 175℃(最高) | 4A | 200pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-726.8B | - | ![]() | 2665 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | MTZ J | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通孔 | DO-204AG、DO-34、矫正 | MTZJT-72 | 500毫W | 默沙东 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | MTZJT726.8B | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 2μA@3.5V | 6.8V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVT2R7.5B | 0.1800 | ![]() | 52 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | EDZV | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZVT2 | 150毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 500nA@4V | 7.5V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFUS20TM4S | 0.8550 | ![]() | 7057 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 不适合新设计 | 通孔 | TO-220-3全包 | 射频US20 | 标准 | TO-220FN | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 430伏 | 1.6V@20A | 35纳秒 | 430V时为10μA | 150℃(最高) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144VCAT116 | 0.3500 | ![]() | 950 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | DTA144 | 200毫W | 海温3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500纳安 | PNP - 预偏置 | 300mV@500μA,10mA | 33@5mA,5V | 250兆赫 | 47欧姆 | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB238T100NZC9 | 2.7600 | ![]() | 第864章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全包 | RB238 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 40A | 860 毫伏 @ 20 安 | 100V时为20μA | 150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRR030P03HZGTL | 0.6300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-96 | RRR030 | MOSFET(金属O化物) | TSMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 30V | 3A(塔) | 4V、10V | 75毫欧@3A,10V | 2.5V@1mA | 5.2nC@5V | ±20V | 480pF@10V | - | 700毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KDZLVTFTR82 | 0.4500 | ![]() | 22号 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 150℃ | 表面贴装 | SOD-123F | KDZLVTFTR82 | 1W | SOD-123FL | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5μA@63V | 82V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RBR40NS60AFHTL | 2.0500 | ![]() | 第466章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | RBR40 | 肖特基 | LPDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 40A | 600毫伏@20安 | 60V时为800μA | 150℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB050L-40TE25 | 0.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | RB050 | 肖特基 | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 550毫伏 @ 3安 | 1毫安@40伏 | 125℃(最高) | 3A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB051MS-2YTR | - | ![]() | 9176 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | * | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP8M9FU6TB | - | ![]() | 7434 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | SP8M9 | MOSFET(金属O化物) | 2W | 8-SOP | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,500人 | N 和 P 沟道 | 30V | 9A、5A | 18毫欧@9A,10V | 2.5V@1mA | 21nC@5V | 1190pF@10V | 逻辑电平门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6524KNXC7G | 5.5800 | ![]() | 990 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | R6524 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 846-R6524KNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 650伏 | 24A(塔) | 10V | 185毫欧@11.3A,10V | 5V@750μA | 45nC@10V | ±20V | 1850pF@25V | - | 74W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF051VA1STR | 0.1020 | ![]() | 8320 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | RF051 | 标准 | TUMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 980毫伏@500毫安 | 25纳秒 | 10μA@100V | 150℃(最高) | 500毫安 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSF010P05TL | 0.4800 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 3-SMD,写入 | RSF010 | MOSFET(金属O化物) | TUMT3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P沟道 | 45V | 1A(塔) | 4V、10V | 460毫欧@1A,10V | 2.5V@1mA | 2.3nC@5V | ±20V | 160pF@10V | - | 800毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFN20TF6SFHC9 | 2.0300 | ![]() | 第462章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全包 | RFN20 | 标准 | TO-220NFM | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.55V@20A | 60纳秒 | 600V时为10μA | 150℃(最高) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R3.9B | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 150℃ | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | CDZVT2 | 100毫W | VMN2M | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1V时为5μA | 3.9V | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZTE619.1B | 0.3600 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZTE619 | 150毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500nA@6V | 9.1V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB238T-60NZC9 | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全包 | RB238 | 肖特基 | TO-220FN | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 60V | 40A | 860 毫伏 @ 20 安 | 60V时为12μA | 150℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA015TUBTL | 0.0536 | ![]() | 5225 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | SC-85 | DTA015 | 200毫W | UMT3F | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100毫安 | 500nA(ICBO) | PNP - 预偏置 | 250mV@250μA,5mA | 100@5mA,10V | 250兆赫 | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 云台TFTE2518B | 0.6100 | ![]() | 第945章 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±6.01% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 1W | PMDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,500人 | 13V时为10μA | 19.15V | 12欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RLZTE-1110A | - | ![]() | 8431 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | ±3% | - | 表面贴装 | DO-213AC、迷你-MELF、SOD-80 | 500毫W | LLDS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 7V时为200nA | 9.7V | 8欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZSTE-1718B | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±2% | -55℃~150℃ | 表面贴装 | SC-90、SOD-323F | 乌兹别克斯坦 | 200毫W | UMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100nA@13V | 18V | 65欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020JNJGTL | 4.8900 | ![]() | 940 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | R6020 | MOSFET(金属O化物) | LPTS | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N沟道 | 600伏 | 20A(温度) | 15V | 234mOhm@10A,15V | 7V@3.5mA | 45nC@15V | ±30V | 1500 pF @ 100 V | - | 252W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RB522S-30T9TE61 | - | ![]() | 2006年 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 846-RB522S-30T9TE61TR | 过时的 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R3.0B | 0.3400 | ![]() | 8768 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | ±3.5% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-79、SOD-523 | EDZVFHT2 | 150毫W | EMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 1V时为50μA | 3V | 120欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MTZJT-7724D | - | ![]() | 9519 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | MTZ J | 胶带和盒子 (TB) | 过时的 | ±3% | - | 通孔 | DO-204AG、DO-34、矫正 | 500毫W | 默沙东 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | MTZJT7724D | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 19V时为200nA | 24V | 35欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TFZFHTR5.6B | 0.1075 | ![]() | 7137 | 0.00000000 | 罗姆半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | - | -55℃~150℃ | 表面贴装 | 2-SMD,写入 | TFZFHTR5.6 | 500毫W | TUMD2 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2.5V时为5μA | 5.6V | 13欧姆 |

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